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World File Search System信号线
LED 驱动控制专用电路TM1652
Command1~Command n: 发送显示地址命令，地址1~n(最多可设置6个地址) Data1~Data n:发送显示数据（最多6 bytes） Time：数据线置高时间（最小时间为3ms） CommandX：发送显示控制命令（0x18） CommandY:发送显示控制调节命令（包括位占空比、段驱动电流以及显示模式设置） 芯片不需要命令来设置芯片是工作在地址自动加1模式还是固定地址模式，严格来说它只有一种地 址自动加1模式，此处划分是为了更好地说明芯片也可以单独给某个显示寄存器地址写显示数据，如 果单独给某个显示地址写显示数据，写完显示地址后，紧跟着只能写一个显示数据，就把信号线置高 至少3ms，如果紧跟着写几个显示数据，那么芯片在接收到第一个数据后，显示地址就会在规定的地 址上自动加1，再接收第二个显示数据，直到接收到最后一个显示地址的显示数据。
OCX - 氧气/可燃物变送器
提供 HART 通信。可通过 375 型手持通信器或使用资产管理解决方案 (AMS) 软件的 PC 访问 HART 协议。HART 协议提供与艾默生过程管理 Plantweb 现场架构的链接。仪器技术人员可以从控制室或分析仪信号线终止的任何位置与 O 2 /可燃物变送器交互。服务诊断和校准也可以远程执行。作为一种选择，位于分析仪电子设备上的本地操作员界面 (LOI) 允许与电子设备进行本地通信。OCX 提供单个警报输出。可选地，低氧水平警报、高可燃物水平警报和设备故障的继电器输出可以由单独的 HART 设备提供。
HERD-1 应用说明
对于超导量子计算中使用的常见材料和薄膜厚度，截止频率在几十 GHz 到几 THz 的范围内。例如，在 Al（用于实现约瑟夫森结（超导 QPU 的核心元素）的最常见材料）中，截止频率约为 80 GHz。为了保护 QPU，已经实施了各种滤波策略，包括基于磁加载电介质或铜粉的吸收滤波器（在 QPU 的输入线上）和铁氧体循环器（在从 QPU 到信号放大级的输出线上）。由于其在通带中的超低损耗，HERD-1 可以集成在将 QPU 连接到更高温度级的所有信号线中，从而减少热干扰并为 QPU 提供卓越的性能。
Miras 示范试点项目 - 面向 SMOS
系统部门表示，为了演示 MIRAS 等分布式系统的技术，必须对整个仪器的代表性部件进行面包板测试和端到端测试。也就是说，我们必须超越子系统制造，进入系统级别，真正巩固孔径合成辐射计的技术，包括校准。这不仅是为了证明电气性能，也是为了证明机械设计和信号线束。因此，建议建立 MIRAS 演示试点项目 (MDPP-1) 活动，以制造整个臂段，以及位于平台轮毂中的一些其他单元，以完成系统。因此，MDPP-1 包括： – SMOS 参数任务设计 – 完整段的 STM，包括部署机制 – 四个 LICEF 天线接收器 – 为整个段和完整轮毂服务的 CAS 系统 – 为整个段或完整轮毂服务的 MOHA。
数字计时器 H5CZ - RS Components
(EMI) EN61812-1 外壳发射：EN55011 第 1 组 A 类 交流电源发射：EN55011 第 1 组 A 类 (EMS) EN61812-1 静电放电抗扰度：EN61000-4-2：6 kV 接触放电（2 级）8 kV 空气放电（3 级） 射频干扰抗扰度：EN61000-4-3：10 V/m（幅度调制，80 MHz 至 1 GHz）（3 级）；10 V/m（脉冲调制，900 MHz 5 MHz）（3 级） 传导干扰抗扰度：EN61000-4-6：10 V（0.15 至 80 MHz）（3 级） 突发抗扰度：EN61000-4-4：2 kV 电源线（3 级）； 1 kV I/O 信号线 (等级 4) 抗浪涌：EN61000-4-5：1 kV 线对线 (电源线和输出线) (等级 3)；2 kV 线对地 (电源线和输出线) (等级 3) 抗电压骤降/中断：EN61000-4-11：0.5 周期，100% (额定电压)
汽车以太网电视的EMC测试
本节描述了ESD保护二极管的操作。虽然没有将ESD脉冲引入系统（即，当系统处于正常操作中时，ESD保护二极管理想地应与保护设备（DUP）断开，以免影响其操作。每个ESD保护二极管的阴极和阳极分别连接到信号线和GND，如下所示。当以这种方式连接ESD保护二极管时，它们在正常运行中时不会充当瞬态电压抑制器。当将ESD脉冲引入系统中时，有必要确保ESD保护二极管进行防止ESD脉冲到达DUP。从连接器中，ESD保护二极管和DUP可以视为并联连接。因此，重要的是要确保ESD保护二极管具有低阻抗，以便大多数ESD能量通过ESD保护二极管分流。
数字面板仪表 - K3TE - myOMRON
EMC（EMI）EN61326+A1 工业辐射外壳：CISPR 11 第 1 组 A 类：CISRP16-1/-2 辐射交流电源：CISPR 11 第 1 组 A 类：CISRP16-1/-2（EMS）EN61326+A1 工业抗 ESD 能力：EN61000-4-2：4 kV 接触放电（2 级）8 kV 空气放电（3 级）抗 RF 干扰能力：EN61000-4-3：10 V/m（调幅，80 MHz 至 1 GHz）（3 级）抗快速瞬态噪声能力：EN61000-4-4：2 kV（电源线）（3 级）抗突发噪声能力：1 kV 线对线（I/O 信号线）抗浪涌能力：EN61000-4-5： 1 kV 线对线 2 kV 线对地 (电源线) 传导干扰抗扰度 EN61000-4-6: 3 V (0.15 至 80 MHz) (2 级) 电压骤降/中断抗扰度 EN61000-4-11: 0.5 个周期，0，180 °，100% (额定电压)
免于在嘈杂环境中对单对以太网（SPE）干扰的免疫力
在许多电磁兼容性（EMC）标准中描述了各种干扰环境，并且可能是在给定情况下可能会遇到的危害的有用资源。在产生，运输，消耗或（尤其是）切换的大量电力的环境中，可以在10 MHz以下产生大量噪声。可能发生这种情况的设置示例包括制造线，机械车间，空中，海上，道路和铁路车辆，发电，变电站和开关房间，仅举几例。用于自动化控制的SPE可能会在10 MHz以下遇到大量噪声。预期会遇到的干扰水平和频谱的细节自然取决于要部署系统的环境细节。但是，在EMC测试标准和建议中，耦合干扰与信号线的来源和机制的性质一次又一次地显示为常见主题。这些包括：
数字定时器 H5CZ - RS Components
(EMI) EN61812-1 外壳发射：EN55011 第 1 组 A 类 交流电源发射：EN55011 第 1 组 A 类 (EMS) EN61812-1 ESD 抗扰度：EN61000-4-2：6 kV 接触放电（2 级）8 kV 空气放电（3 级） RF 干扰抗扰度：EN61000-4-3：10 V/m（幅度调制，80 MHz 至 1 GHz）（3 级）；10 V/m（脉冲调制，900 MHz 5 MHz）（3 级） 传导骚扰抗扰度：EN61000-4-6：10 V（0.15 至 80 MHz）（3 级） 突发抗扰度：EN61000-4-4：2 kV 电源线（3 级）； 1 kV I/O 信号线 (等级 4) 抗浪涌：EN61000-4-5：1 kV 线对线 (电源线和输出线) (等级 3)；2 kV 线对地 (电源线和输出线) (等级 3) 抗电压骤降/中断：EN61000-4-11：0.5 周期，100% (额定电压)
Miras 演示试验项目 - 面向 smos
系统部门表示，为了展示像 MIRAS 这样的分布式系统的技术，必须将整个仪器的代表性部分放在面包板上并进行端到端测试。也就是说，我们必须超越子系统制造，进入系统级别，真正巩固孔径合成辐射计的技术，包括校准。这不仅是为了证明电气性能，也是为了证明机械设计和信号线束。因此，建议建立 MIRAS 演示器试点项目 (MDPP-1) 活动，以制造整个臂段，以及位于平台轮毂中的其他一些单元，以完成系统。因此，MDPP-1 包括： – SMOS 参数任务设计 – 完整段的 STM，包括部署机制 – 四个 LICEF 天线接收器 – 为整个段和完整轮毂提供服务的 CAS 系统 – 为整个段或完整轮毂提供服务的 MOHA。