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半导体先进焊球转移技术
VI. 参考文献 [1] Jamin Ling Joseph Sanchez Ralph Moyer 2、Mark Bachman 2、Dave Stepniak I、Pete Elenius 'Kulicke & Soffa“倒装芯片技术的铜上直接凸块工艺”2002 年电子元件与技术会议。 [2] Li Li、M. Nagar、J. Xue“热界面材料对倒装芯片 PBGA 和 SiP 封装制造和可靠性的影响”2008 年第 58 届电子元件与技术会议。 [3] Samuel Massa、David Shahin、Ishan Wathuthanthri 博士、Annaliese Drechsler 和 Rajneeta Basantkumar“具有不同凸块成分的倒装芯片键合工艺开发”2019 年国际晶圆级封装会议论文集。
2022 年概览
XY-移动 180mm x 180mm X XY-移动 220mm x 220mm XXXXXX XY 微调 X XY-千分尺微调 XXXXOO Z-移动 手动 100mm X Z-移动 自动 100mm XX Z-移动 手动 125mm XX Z-移动 自动 125mm XX Z-键合力 在屏幕上监控 20-1000g XXX Z-键合力控制 20g-50Kg（高强度） XX Z-Active 键合力控制 20-4000g XX 拾取和放置期间的 Z-锁定 XXXXXX 拾取时 Z-停止 XXXXXX 放置时 Z-停止 XXXXXXX Z-键合线厚度 OO 带有气动芯片弹出器的晶圆 XX 带有电子芯片弹出器的晶圆 X 集成分配器 XXXXXXX 由嵌入式 PC（Linux）操作 XXX由一体机（Windows 10）操作 XXXX 倒装芯片 1x 手动（MPA 10mmx 30mm） OOO 倒装芯片 1x 手动（MPA 45mmx 50mm） OOOO 倒装芯片 2x 手动（MPA 45mmx 50mm） OOOO 倒装芯片 2x 自动（MPA 45mmx 50mm） OO 翻转站 OOOOOO 工具加热，带外部温度控制器 OOOOO 工具加热，带内部温度控制器 OO 基板静态加热，带外部温度控制。 OOOOO 基板静态加热，带内部温度控制。 OO 基板动态加热，带外部温度控制。 OOOOO 基板动态加热，带内部温度控制。 OO 成型气体冲洗（冷和手动） OOOOO 成型气体冲洗（冷和软件控制） OO 成型气体冲洗（加热和软件控制） OO 冲压 OOOOOOO 带电动容器的冲压 OOOOOO 超声波（手动控制） OO 超声波（软件控制） OOOO UV 固化 OOOO 定量分配器 OOOOX 标准包括 O 选项
用于超细间距 3D 封装的先进无卤有机层压板的可靠性研究
高 I/O 密度和绿色材料是倒装芯片和 3D IC 封装用封装基板的两大主要驱动力。未来的有机层压基板将需要 5-25 µ m 的线宽和间距以及 50-100 µ m 的封装通孔 (TPV) 间距。这种超细间距要求将因电化学迁移和导电阳极丝 (CAF) 而导致严重的基板故障。因此，有必要开发新型无卤材料并研究其在超细间距应用中的可靠性。这项工作主要集中在四个领域：1) 先进的无卤材料，2) 细线宽和间距中的表面绝缘电阻 (SIR)，3) 细间距 TPV 中的导电阳极丝 (CAF)，以及 4) 倒装芯片互连可靠性。本研究选择的基板材料包括在聚合物主链上加入无卤阻燃剂的树脂配方。在具有 50 µm 间距铜线的基板上研究了 SIR，并在具有 150 µm 和 400 µm 间距 TPV 的基板上研究了 CAF。在这两项测试中，都观察到无卤基板与溴化 FR-4 相比表现出更好的电化学迁移阻力。通过对测试基板进行热循环测试 (TCT)、无偏高加速应力测试 (U-HAST) 和高温存储 (HTS) 测试来研究倒装芯片可靠性。在每次可靠性测试后都进行扫描声学显微镜 (C-SAM) 分析和电阻测量。测试基板分别通过了 200 小时的 HTS、96 小时的 HAST 和 2000 次 TCT 循环。倒装芯片可靠性结果表明，这些材料有可能取代传统的卤化基板用于高密度封装应用。关键词：无卤素基板、表面绝缘电阻、导电阳极丝、倒装芯片可靠性 简介 电子产品向无卤素材料的转变始于 1994 年德国通过的《二恶英法》。从那时起，欧盟 (EU) 制定的生态标签成为印刷线路板采用无卤素材料的驱动力。卤素通常添加到 PWB 中使用的聚合物玻璃复合材料中以达到阻燃效果。然而，卤素材料在特定的燃烧条件下会形成多溴二苯并二恶英 (PBDD) 和多溴二苯并呋喃 (PBDF)，这会对环境和健康造成严重风险。在这方面，无卤材料比卤素材料优越得多，并且在回收过程中也很有用 [1]。印刷电路板研究所
用于 76-GHz 汽车雷达的 HEMT 毫米波单片 IC 技术
本文介绍了用于开发实用汽车雷达系统的单片 IC 技术，涵盖 HEMT 器件结构、IC 制造工艺、倒装芯片组装和电路设计。具有 0.15 µm 栅极的 InGaP/InGaAs HEMT 用于 W 波段的毫米波单片 IC，在 76 GHz 时提供 9 dB 的最大稳定增益。高度控制倒装芯片键合与柱互连被证明是一种低成本的组装方法。提出了一种用于模拟面朝下的共面波导的去嵌入技术。使用该技术设计了一个芯片组，包括 76 GHz 放大器、76 GHz 混频器、76 GHz SPDT 开关、38/76 GHz 倍频器、38 GHz 压控振荡器和 38 GHz 缓冲放大器。所制造的芯片组在汽车雷达系统中表现出了高性能。
双相铜水太空飞行资质
铜水微型热管和 k-core 封装石墨热管理技术已开发用于高性能 ASIC（倒装芯片和微处理器）的直接热管理，并已成功获得太空飞行状态的资格。该技术可实现高性能、组件级直接冷却，并增强从底盘接口到空间散热器的底盘级热扩散。该技术使未来电信卫星有效载荷的散热发生了重大变化。建造了一个由三个代表性面包板底盘组成的资格测试车辆，带有微型热管热管理系统 (TMS)，用于代表性倒装芯片微处理器热负荷的直接热管理以及与底盘级 k-Core 扩散器的热连接。飞行演示测试包括真空环境中的性能测试、热特性、老化和寿命测试以及热机械测试。微型热管和 k-Core TMS 技术已达到 TRL 8，可部署在直接微处理器热管理和热链接应用中，以克服传导传热的局限性。本文概述了该技术、资格测试计划和资格测试数据。
MIL-PRF-38535 标准微电路密封和非...
o 它代表了封装技术的进步，提高了功能密度，并提高了工作频率。这些是基于陶瓷的单芯片系统级芯片 (SoC)，采用非密封倒装芯片结构，采用高引脚数陶瓷柱栅阵列 (CGA) 封装。这些产品使用微型基极金属 (BME) 电容器来保证信号完整性，并使用通风封装来进行热管理。（例如 Xilinx Virtex-4 FPGA）
