XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System倒装
EM4135 数据表
特性 ISO15693 标准：完全符合 工作频率：13.56MHz ± 7KHz（ISM，全球范围内可免费获得许可证） 2.4K 位 EEPROM，分为 38 个字，每个字为 64 位 64 位唯一标识符 (UID) 锁定功能将 EEPROM 字转换为只读 支持应用字段标识符 (AFI) EEPROM 写操作的电源检查 芯片上集成的谐振电容 28pF 或 95pF（可通过掩模选项选择） 无需外部电源缓冲电容 -40 至 +85 ° C 温度范围 非常低功耗（无需电池） 针对倒装芯片组装优化的键合焊盘
BOK——FPGA 封装/组装的底部填充优化
目前，美国国家航空航天局 (NASA) 的许多电子系统正在考虑使用高可靠性版本的商用现货区域阵列封装 (COTS AAP) 技术。尽管许多此类先进电子封装通常在封装内使用底部填充材料，包括倒装芯片 (FC) 芯片下方；但印刷电路板 (PCB) 级别可能还需要全部或部分角落底部填充材料，以提高组装可靠性，特别是在机械和疲劳负载下。由于 NASA 对材料和可靠性有严格的要求，因此对于使用底部填充材料的测试验证指南极其有限。为了准备开发测试矩阵和实施，我们对文献和当前实践以及可靠性问题进行了调查。
AI Technology 应力消除液体毛细管底部填充
用于倒装芯片和板载BGA的创新型底部填充膜和浆料 先进电子封装保护 AI Technology的底部填充材料采用分子结构设计，具有无与伦比的能力，可为芯片和元件焊接互连提供压缩应力，同时在热循环和操作过程中吸收平面剪切应力。设计的分子结构不仅具有高Tg，而且还具有出色的防潮性能和低吸湿性，可实现MSL 1级元件级可靠性。这些功能是通过非常规聚合物工程和设计实现的。AI Technology先进的微电子保护产品已在军用和先进商用设备上证明了其性能。创新的底部填充解决方案：
NIST 和 NQI 的更新
晶圆处理 湿法清洗 溶剂清洗 Piranha 溶液 RCA 清洗 光刻 离子注入 干法蚀刻 湿法蚀刻 等离子灰化 热处理 快速热退火 炉退火 热氧化 化学气相沉积 (CVD) 物理气相沉积 (PVD) 分子束外延 (MBE) 电化学沉积 (ECD) 化学机械平坦化 (CMP) 晶圆测试 晶圆背面研磨 芯片制备 晶圆安装 芯片切割 IC 封装 芯片附着 IC 键合 引线键合 热超声键合 倒装芯片 晶圆键合 胶带自动键合 (TAB) IC 封装 烘烤 电镀 激光打标 修整和成型 IC 测试
大型芯片耐用性 - 在人工智能和高性能计算中
先进封装平台种类繁多，包括扇出型晶圆级封装/2.5-D、3D 堆叠封装和片上系统 (SoC)。多种 AI 和 HPC 技术利用高密度扇出型 HD-FO（或超高密度扇出型）/2.5-D 和 3D 技术，而用于服务器、网络、游戏和边缘设备的其他计算应用可能使用倒装芯片 BGA (FCBGA) 设计。下一代 HD-FO/2.5-D 封装通常具有相当大的占用空间，可集成非常大的芯片。世界顶尖半导体公司开发了许多此类设计的示例，例如 CoWoS ® 和 I-Cube ®。虽然方法和架构各不相同，但这些技术通常集成大型中介层芯片/重分布层 (RDL)，其他芯片（逻辑、计算和堆叠高带宽存储器）集成在其上。结果就是封装体相当大，使得处理和保护变得更具挑战性。
IHTC14-22891 Six Sigma 铜增强柱栅阵列互连陶瓷的有效热导率
倒装芯片式集成电路的热管理通常依赖于通过陶瓷封装和高铅焊料栅格阵列引线进入印刷线路板的热传导作为散热的主要途径。这种封装配置的热分析需要准确表征有时几何形状复杂的封装到电路板的接口。鉴于六西格玛柱栅阵列 (CGA) 互连的独特结构，使用详细的有限元子模型从数字上推导出有效热导率，并与传统 CGA 互连进行比较。一旦获得有效热导率值，整个互连层就可以表示为虚拟的长方体层，以纳入更传统的“闭式”热阻计算。这种方法为封装设计师提供了一种快速而可靠的方法来评估初始热设计研究权衡。
使用量子金刚石显微镜对 8 nm 工艺节点芯片进行矢量磁流成像和 3D 电流分布
业界越来越倾向于采用三维 (3D) 微电子封装，这要求开发新的创新型故障分析方法。为此，我们的团队正在开发一种称为量子金刚石显微镜 (QDM) 的工具，该工具利用金刚石中的一组氮空位 (NV) 中心，在环境条件下同时对微电子进行宽视野、高空间分辨率的矢量磁场成像 [1,2]。在这里，我们展示了 8 nm 工艺节点倒装芯片集成电路 (IC) 中的二维 (2D) 电流分布和定制多层印刷电路板 (PCB) 中的 3D 电流分布的 QDM 测量结果。倒装芯片中 C4 凸块发出的磁场在 QDM 测量中占主导地位，但这些磁场已被证明可用于图像配准，并且可以减去它们以分辨芯片中微米级相邻的电流轨迹。通孔是 3D IC 中的一个重要组件，由于其垂直方向，因此仅显示 B x 和 B y 磁场，而使用传统上仅测量磁场 B z 分量（与 IC 表面正交）的磁强计很难检测到这些磁场。使用多层 PCB，我们证明了 QDM 能够同时测量 3D 结构中的 B x 、B y 和 B z 磁场分量，这对于在电流通过层间时解析通孔磁场非常有利。两个导电层之间的高度差由磁场图像确定，并且与 PCB 设计规范一致。在我们最初使用 QDM 为复杂 3D 电路中的电流源提供更多 z 深度信息的步骤中，我们证明了由于麦克斯韦方程的线性特性，可以从整个结构的磁场图像中减去各个层的磁场图像。这允许从设备中的各个层中分离信号，该信号可用于通过求解 2D 磁逆来映射嵌入式电流路径。这种方法提出了一种迭代分析协议，利用神经网络对包含各种类别的电流源、隔离距离和噪声的图像进行训练，并结合 IC 的先验信息，
2025电子设备整体解决方案展览会
■ 电子元件贴片机及相关设备与系统：电子元件贴片机（Mounter）、电子元件插入机（Inserter）、丝网印刷机、焊接设备（回流焊炉）、分配器 ■ 包装相关设备与系统：搬运系统、AGV、自动仓库、编带机及材料、散装供料器等供料器、自动装配机、激光打标机、清洗设备·清洁器 ■ 半导体包装机与系统：键合设备、倒装芯片包装系统、COB 系统 ■ 工业机器人：搬运机器人、装配机器人、运输机器人 ■ 检查/测试设备：自动光学检查设备、与半导体制造相关的检查/测量设备 ■ 包装设计系统：设计工具、生产优化软件、包装编程设备 ■ 包装设备包装材料 ■ 包装连接系统·焊接/连接材料 ■ 高频兼容设备、部件和材料 ■ 环境相关设备与材料
ASTM F1269-13
1 这些测试方法由 ASTM 电子委员会 F01 负责，并由引线键合、倒装芯片和胶带自动键合分委员会 F01.07 直接负责。当前版本于 2013 年 1 月 1 日批准。2013 年 1 月出版。最初于 1989 年批准。上一版于 2006 年批准，编号为 F1269–06。DOI：10.1520/F1269-13。2 如需参考 ASTM 标准，请访问 ASTM 网站 www.astm.org，或联系 ASTM 客户服务部 service@astm.org。如需了解《ASTM 标准年鉴》卷的信息，请参阅 ASTM 网站上该标准的“文件摘要”页面。3 可从国家技术信息服务处获取，地址：5285 Port Royal Rd., Springfield, VA 22161。4 可从标准化文件订购台获取，地址：Bldg. 4 Section D, 700 Robbins Ave.，费城，宾夕法尼亚州 19111-5094，收件人：NPODS。
TI 太空产品 - TI E2E - 德州仪器
Space-EP 器件与标准目录产品相比具有以下优势：• 受控基线，一个晶圆厂、一个装配站点、一套材料。• 优化材料组，包括芯片连接、模塑化合物、引线框架和键合线，全部经过选择以最大程度提高可靠性。• 无高锡（>97% Sn）结构，包括端子（SnAgCu 焊球和 Matte-Sn 电镀）或内部封装组件（芯片凸块或基板电镀）。• 无铜键合线。产品采用倒装芯片安装（无键合线）或使用金键合线。• 额外的装配处理，包括 100% 温度循环或 100% 单程回流模拟代替温度循环。• 在目标温度范围（–55°C 至 +125°C）内进行特性分析。• 在室温和高温下均采用标准参数测试，并带有保护带以确保低温下的数据表限制。• 装配批次验收，包括 X 射线抽样和 CSAM 抽样。• 使用 MIL-PRF-38535 QML Class V 作为基线进行晶圆批次验收。