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通过液态硅诱导重建控制大面积 4° 偏离 4H-SiC 硅面的宏观步进
摘要。在 SiC/Si/SiC 夹层结构中，使用 1550°C 熔化的 Si 研究了 4°off 4H-SiC 表面的重建。尽管系统地获得了与液态 Si 接触的整个区域的宏观阶梯形貌，但使用原始 4H-SiC 晶片时发现台阶呈波浪形。在处理过的表面上进行表面重建时，台阶的规则性和直线性得到显著改善：在重新抛光的表面上，在某些情况下发现台阶是规则和笔直的，而在原生外延层上则始终观察到这种情况。经过 2 小时的重建过程后，获得了最佳的台阶规则性，平均宽度为 ̴ 3-5 µm。将处理面积从 1.44 cm 2 增加到 4 cm 2 不会影响结果，这表明该工艺具有良好的可扩展性。
风暴让皇家内科医学院偏离了轨道
在此期间，GMC 就医师助理监管进行的磋商仅产生了微小的变化，这些变化无法平息批评者的声音，因为这些变化未能反映出磋商中发现的异议程度 (doi:10.1136/bmj.q2757)。11 Iqbal Singh 在与 Martin Forde 进行独立审查后认为，GMC 至少在平等、多样性和包容性方面取得了一些进展 (doi:10.1136/bmj.q2694)。12 13 但面对可能席卷 GMC 的医师助理风暴，这些都毫无意义。RCP 没有听从，将其权力视为理所当然，并受到了沉重打击。GMC 正处于同样的波涛汹涌之中。
世界偏离气候变化的目标 - 联合国
气候变化 - 联合国应对气候变化的全球努力逐渐偏离了轨道，因为新数据表明，变暖气体的积累速度比人类生存的任何时候都快。当前的国家计划限制碳排放的计划几乎不会削减污染，这使本世纪以下的努力在破烂不堪的1.5摄氏度中保持了努力。该更新是另一份报告显示的，在过去的二十年中，温室气体增长了11％以上，大气浓度在2023年增加。研究人员还担心森林失去吸收碳的能力，这可能会导致大气中创纪录的变暖气体。联合国气候变化，外部的，负责使该问题的联合国机构对碳切割计划进行了分析，该计划已接近200个国家提交。联合国希望看到在降低有可能将全球温度推动到本世纪1.5摄氏度上的排放方面取得了多少进展，这是科学家说将发生极大的破坏性影响的水平。现在，当计划加起来时，它们表明，与2019年相比，到2030年的排放可能仅下降2.6％。这远远远远远远远低于科学家所说的43％的减少，以至于本十年末需要到2050年的净零碳。“该报告的发现很鲜明，但并不奇怪，”联合国气候变化执行秘书西蒙·斯蒂尔（Simon Stiell）说。森林反馈循环“目前的国家气候计划还远远没有阻止全球供暖削弱每个经济体的损失，并破坏了每个国家的数十亿人生和生计。”联合国表示，预计到明年春季，各国将提交新的，更强大的计划 - 关于增加这些努力的野心的讨论将是世界领导人在下个月在阿塞拜疆举行的下一个联合国气候会议上聚集的主要主题。
日本太空计划：偏离“非进攻性”目的？
冷战的两极环境为日本提供了充足的安全保障。该国处于对抗苏联和亚洲共产主义意识形态的斗争的最前线，其地缘战略价值使得东京可以依靠美国作为可靠而强大的保护伙伴。苏联解体后，朝鲜和中国成为东京的主要安全挑战，而日本对美国保护其东亚盟友的意愿和能力的信心下降。对中国尤其如此。美国最大的贸易伙伴也是一个建立了反介入/区域拒止 (A2/AD) 战略的核大国，这使得美国为保卫日本而进行军事干预的成本越来越高，甚至可能高得令人望而却步。 1
中国风电企业业绩偏离度分析
随着全球对能源安全、低碳经济和环境治理重视程度的不断提高，可再生能源在国家电网系统中的比重将不断提高，风电将在我国未来电力系统中发挥重要作用，环境不确定性将影响风电企业碳效率与绩效的时变相关性。利用2011—2018年的面板数据，分析风电行业的发展现状及存在的问题，并利用DCC-GARCH模型计算动态条件相关系数，采用断点分析法分析政策、经济环境对碳效率与风电企业绩效时变相关性的影响。研究结果表明，在中美贸易战期间，突然增加关税的贸易政策变化导致相互依存度急剧上升。鼓励风电行业的相关政策与动态条件相关系数呈正相关，而替代化石燃料的财务表现与动态条件相关系数呈负相关。
通过记录飞行数据的机器学习算法预测飞行员对跑道偏离风险的误解
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跑道偏离定量评估... - arXiv
摘要 — 评估罕见飞机事故（例如跑道偏离）的一种方法是确定促成因素（例如，晚刹车、长着陆、不适当的拉平、不稳定进近）并构建依赖树（例如，长着陆可能是由于不稳定进近后没有复飞而导致的），以描述这些因素之间的因果关系。然后将概率输入此类模型以评估评估的风险。在估计此类概率时，许多来源都可能引起人们的兴趣。航空公司可以访问其机队的综合飞行数据记录；制造商努力收集他们制造的飞机的数据；空中交通管制记录雷达轨迹。尽管不如其他飞行数据记录那么完整，但 Mode S 数据非常有吸引力，尤其是对于学术界来说，由于数据是开放的，可以毫无混淆地发布，并为社区提供可重复的结果。Mode S 还提供了一个不加区分的信息来源（不限于航空公司或飞机类型），这对于将符合不寻常模式的航班置于上下文中非常有帮助。我们建议通过围绕跑道偏离风险评估的案例研究来讨论仅基于 Mode S 数据的分析的优势和局限性。
通过控制衬底偏离角来改善垂直 GaN-on-GaN 功率开关器件的晶圆级均匀性
2 法政大学 关键词：GaN-on-GaN、肖特基势垒二极管、均匀性、光致发光、功率器件 摘要 为了大规模生产 GaN-on-GaN 垂直功率器件，n 漂移层在 10 15 cm 3 范围内的净施主浓度 ND NA 的晶圆级均匀性是一个重要因素，因为它决定了击穿电压 VB 。在本研究中，我们通过控制 GaN 衬底的偏角展示了 GaN 肖特基势垒二极管晶圆级均匀性的改善。通过 MOVPE 在具有各种偏角和偏差的独立 GaN 衬底上生长外延结构。使用电容电压测量（C V）、光致发光（PL）和二次离子质谱（SIMS）仔细分析了 ND NA 的变化。与碳有关的NA变化导致了NDNA的不均匀性，而这与晶圆的衬底偏角有关。通过最小化偏角的变化可以提高NDNA的均匀性。引言在GaN衬底上制造的垂直结构GaN功率开关器件对于高效功率转换系统很有前景，因为这些器件提供极低的导通电阻（R on）和高击穿电压（VB）[1-3]。减少对器件成品率和可靠性致命的致命缺陷是一个重要问题。GaN-on-GaN二极管初始故障机理已有报道[4]，其中具有外延坑的二极管在非常低的反向电压下表现出严重击穿。此外，最近有报道称表面粗糙度会影响可靠性[5]。在使用金属有机 (MO) 源引入碳 (C) 杂质时，n 漂移层中的净施主浓度必须控制在 10 15 cm3 范围内才能获得高 VB [6]。通过低施主含量，可以在负偏置条件下抑制 pn 或肖特基界面处的峰值电场 [7, 8]。然而，关于垂直 GaN-on-GaN 器件中净施主浓度的晶圆级均匀性的报道很少。
欧洲防止跑道偏离行动计划
本行动计划所载建议的核心是统一和一致地应用国际民航组织的规定。这些建议及其支持指导材料主要针对欧洲民航会议 (ECAC) 地区的国家，同时仍然适用于全球。国家航空安全当局应决定各国适用组织的实施战略。这些建议主要是通用的，负责的组织应在考虑当地情况后决定具体细节，例如进行民用和军事联合行动的机场。