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World File Search System偏置
栅极源偏置电压和栅极泄漏电流对FTO型SIC功率MOSFET的短路性能的影响
最近已显示：损害累积和SC-FTO型设备的故障仅用于短路脉冲比给定临界值更长的短路脉冲，此后，栅极裂口电流明显增加； 由于热机械应力和随后的温度相关的顶部金属化挤出，降解和失效是在顶部SIO 2中产生裂纹的结果[1]； 遵守临时偏置条件，由于金属路径在设备顶部区域融合效果，因此可以恢复功能[2]。在此，提出和讨论了一个新的结果，即直接在门和排水之间流动的泄漏电流的检测，也影响晶体管的短路性能和稳健性，为此表明，短路期间门源偏置的值也起着重要作用。
太阳能材料与太阳能电池
本文介绍了一种用于太空太阳能电池的温度加速寿命试验 (ALT)。该试验在黑暗条件下进行，以避免照明 ALT 固有的问题。该 ALT 是我们之前在黑暗条件下仅使用正向偏置的 ALT 的演变。现在，通过正向/反向偏置模拟太阳能电池的工作条件。正向偏置模拟照明下的电气性能，而反向偏置模拟日食期间或任何其他阴影事件（例如天线也可能投射阴影）的阴影。正向与反向时间比为 4:1。此外，当前 ALT 中使用的高温（190、210 和 230 ◦ C）可大大缩短测试时间。此次 ALT 在商用 GaInP/Ga(In)As/Ge 三结太阳能电池上获得的结果表明，退化模式与并联电阻的降低有关，即 GaInP 顶部子电池中发生分流引起的初始退化，随后 Ga(In)As 中间子电池中的并联电阻降低。当前 ALT 中的活化能 (1.06 eV) 高于之前的活化能 (0.88 eV)。反向偏置会促进与正向偏置类似的退化，但更强烈，即在更短的时间内。因此，反向偏置产生的可靠性明显低于之前没有反向偏置的 ALT。尽管可靠性有所降低，但在标称温度 80 ◦ C（许多 GEO 任务的典型温度）下，90% 可靠性的时间为 32 年连续运行。因此，这些太阳能电池似乎非常坚固，并且对于许多太空应用具有很高的可靠性。应该注意的是，这些数字仅与高温引起的退化有关，这里不考虑辐射等其他压力源。
电子设备和电路理论
4 dc偏差 - 通常：v be = 0.7 v，i c e e，i c = b i b;固定偏置：i b =（v cc -v be）> r b，v ce = v cc -i c r c，i c sat = v cc> r c;发射机稳定：i b =（v cc -v be）>（r b +（b + 1）r e），r i =（b + 1）r e，v ce = v cc -i c（r c + r e），i c sat = v cc>（r c + r e）;电压划分：精确：r th = r 1 r 2，e th = r 2 v cc>（r 1 + r 2），i b =（e th -v be）>（r th +（b + 1）r e），v ce = v cc -i c -i c（r c + r e），近似： v e> r e;电压反馈：i b =（v cc -v be）>（r b + b（r c + r e））;公共碱：i b =（v ee -v be）> r e;切换晶体管：t on = t r + t d，t off = t s + t f;稳定性：s（i co）= i c> i co;固定偏置：S（I CO）= B + 1;发射极偏置：s（i co）=（b + 1）（1 + r b> r e）>（1 + b + r b> r e）;电压划线：S（i Co）=（B + 1）（1 + r th> r e）>（1 + b + r th> r e）;反馈偏置：s（i co）=（b + 1）（1 + r b> r c）>（1 + b + r b> r c），s（v be）= i c> v be;固定偏置：s（v be）= -b> r b;发射极偏置：s（v be）= -b>（r b +（b + 1）r e）;电压 - 划线：s（v be）= -b>（r th +（b + 1）r e）;反馈偏置：S（v Be）= -b>（r B +（B + 1）r C），S（B）= I C> B;固定偏置：s（b）= i c 1> b 1;发射极偏置：s（b）= i c 1（1 + r b> r e）>（b 1（1 + b 2 + r b> r e））;电压 - 划线：S（B）= I C 1（1 + R TH> R E）>（B 1（1 + B 2 + R TH> R E））;反馈偏置：s（b）= i c 1（1 + r b> r c）>（b 1（1 + b 2 + r b> r c）），i c = s（i co）i co + s（v be）v be + s be + s（b）b
900MHz 网络信号增强器的仿真与设计
A. 偏置电路设计 电源电压标准化为 12 VDC。通过正确设计偏置电阻，可实现所需的工作电压和电流 (Vce = 10Vdc 和 Ic =100mA DC)。在图 2 中，电阻 R1 和 R2 的值分别为 20 Ω 和 12.09K Ω。直流阻断电容器 (C2 和 C4) 确保没有任何直流电流从 RF 路径中的晶体管流出。C7 是一个滤波电容器，可将来自直流电源 (VCC) 的任何高频纹波接地。C2、C4 和 C7 的值分别为 10uF、10uF 和 18pF。RF 扼流圈 (L1 和 L2) 确保没有 RF 信号流入直流偏置电路。RF 扼流圈的设计应将我们的中心频率与直流偏置网络隔离开来。射频扼流圈的值通过以下公式计算：XL = 2πf( L ) (1) 根据此公式，射频扼流圈的值为 45nH；然而，在模拟过程中观察到，可以同时调整所有电抗元件以获得最大增益。
B. Tech ECE-AI（电子与通信工程-人工智能）课程结构
UNIT-I 12 小时 回顾半导体物理、p-n 结二极管、p-n 二极管特性及其操作、p-n 结电容（耗尽和扩散）、p-n 二极管击穿 二极管应用：削波和钳位电路、整流电路、齐纳二极管、齐纳二极管作为调节器、电压倍增器、p-n 二极管的开关行为 双极结型晶体管：晶体管的介绍和类型、结构、CB、CE 和 CC 模式下的 BJT 特性、工作点、交流/直流负载线、漏电流、饱和和截止工作模式、Ebers-moll 模型 偏置稳定：稳定需求、各种偏置方案、相对于 Ico、V BE 和 β 变化的偏置稳定性、稳定因素、热稳定性。
时刻保持对速度的感知 - NXP Semiconductors
NXP 的 KMI 系列磁阻 (MR) 转速传感器为所有应用提供了解决方案。它们是专为满足汽车系统需求而设计的，是完整的即用型模块，包括传感器、反向偏置磁体和高级信号调节 IC。这些设备具有最大的设计灵活性，可选择输出信号和单独磁化的反向偏置磁体。
始终保持对速度的感知 - NXP 半导体
NXP 的 KMI 系列磁阻 (MR) 转速传感器为所有应用提供了解决方案。它们是专为满足汽车系统需求而设计的，是完整的即用型模块，包括传感器、反向偏置磁铁和高级信号调节 IC。这些设备具有最大的设计灵活性，可选择输出信号和单独磁化的反向偏置磁铁。
基于 DTMOS 的吉尔伯特混频器设计，适用于使用电流源辅助器和开关偏置技术的 MICS 接收器
摘要。本文提出了一种基于动态阈值 MOSFET (DTMOS) 的下变频吉尔伯特混频器，用于采用 UMC 180 nm CMOS 工艺的医疗植入通信服务 (MICS) 接收器设计。电流源辅助器和开关偏置技术用于提高基于 DTMOS 的吉尔伯特混频器的性能。所提出的设计在 403 MHz 的射频 (RF) 下工作，在 5 dBm 的 LO 功率下最大变频增益为 12.5 dB。所提出的设计的 1 dB 压缩点和三阶输入截点 (IIP3) 分别为 - 8.79 dBm 和 3.92 dBm，噪声系数 (NF) 在 10 MHz 中频 (IF) 下为 6.6 dB。该设计电路在 0.9 V 电源电压下工作，直流功耗为 0.55 mW，芯片面积为 0.035 9 0.037 mm 2。因此，这种具有高转换增益和更好噪声性能的设计是适合 MICS 应用的模块。
