囚禁原子离子系统已证明,其状态准备和测量 (SPAM) 不准确性 [1] 以及单量子比特和双量子比特门错误率 [2–4] 是所有量子比特中最低的。基于囚禁离子的完全可编程、少量子比特量子计算机已经建成 [5, 6]。然而,到目前为止,这些系统尚未扩展到大量量子比特,原因包括异常加热 [7–10]、声子模式拥挤 [11]、光子散射 [12, 13],以及传统光学元件的扩展挑战 [14, 15]。最近,有研究表明,通过直接电磁偶极-偶极相互作用耦合的分子离子量子比特可用于量子信息处理 [16]。虽然使用该方法的分子量子比特系统的可扩展性预计不会受到异常加热或声子模式拥挤的限制,但目前分子离子量子比特并不像原子离子量子比特那样容易控制。特别是,分子离子的 SPAM 由于其通常缺乏光学循环跃迁而变得困难,这使得激光照射分子成为问题 [17]。一种方法是通过共捕获的原子离子进行量子逻辑光谱 (QLS) [18–20],这种方法最近也被用于纠缠原子和分子离子 [21]。然而,由于 QLS 需要在运动基态附近冷却,因此技术要求很高,而且激光操控分子离子会导致自发辐射到暗态。这里,我们描述了如何利用离子阱中的偶极-声子耦合将极性分子离子的偶极矩与多离子库仑晶体的声子模式纠缠在一起。这种现象可以用两种方式直观地理解:作为非静止离子所经历的时间相关电场驱动分子电偶极跃迁,或作为时间相关偶极矩驱动离子运动。对于多个离子,振荡发生在库仑晶体的集体模式中,甚至可以使相距很远的偶极子通过共享声子模式发生强烈相互作用。此外,偶极-声子相互作用可以是
微波光转换是量子设备未来网络的关键,例如基于超导技术的网络。在单个量子水平上的转换需要强大的非线性,高带宽和与Millikelvin环境的兼容性。在Rydberg原子中观察到了较大的非线性,但是将原子气体与稀释冰箱相结合在技术上具有挑战性。在这里,我们证明了通过利用Cu 2 O中的激子的rydberg状态,在低温,固态系统中具有强的微波光学非线性。我们测量B 0 = 0的微波横孔系数。022±0。008 m v-2在4 K时,这比其他固态系统大几个数量级。基于附近激素状态之间的巨型微波偶极矩,结果与非线性敏感性模型有定量一致。我们的结果突出了Rydberg激子对非线性光学的潜力,并构成了基于Cu 2 O.
从载体 - phonon相互作用的角度讨论了氧化钨氧化钨(WO 3)的结构变化(WO 3),这是一种有希望的可见光响应性光催化剂。高速时间分辨X射线吸收光谱在光激发后立即观察到的前边缘峰的增加归因于由于Fröhlich-Polaron通过与光学纵向纵向音子的相互作用而产生的局部晶格失真。双分子重组可以通过双丙酸酯状态的形成来抑制,并且预期光催化中的高内部量子产率。双极状态在电子激发状态下是不稳定的状态,并通过声子 - 呼应相互作用放松到电子激发态中的稳定结构。在稳定的结构中,发现过渡偶极矩几乎为零,表明非辐射型过渡到电子基态,并且在电子激发态中的寿命很长。
磁传感器可以检测含有铁磁材料的目标,因为它们会扭曲地球磁场。物体的磁场可以表示为多极级数展开。由于不存在单个磁荷,最低阶是偶极子,其衰减率为 1/r3。高阶多极子衰减的距离幂相应更高。对于大于最大目标维度阶的测量范围,偶极矩主导信号,定位和表征目标的问题变成了定位磁偶极子并测量其矩矢量的问题。在未知位置定位具有未知特征的目标需要确定六个未知数。三个未知数代表目标的位置,另外三个代表其磁矩矢量。检测和表征(就磁矩而言)不能分成不同的问题,而必须同时完成。对目标特征(例如,预先了解目标类型)或目标位置(例如,预先了解目标路径)应用不同的约束可以稍微降低问题的维数。在本文中,我们展示了无约束检测、定位和表征问题的结果。
半导体中的点缺陷已经并且将继续与应用有关。浅缺陷实现了晶体管的晶体管,这些晶体管在现代的信息时代以及在不太遥远的未来中,深层缺陷可以为量子信息处理的革命奠定基础。深层缺陷(特别是颜色中心)对于其他应用(例如单个光子发射极)也很感兴趣,尤其是在1550 nm处排放的一个光子发射器,这是通过光学器件进行长时间通信的最佳频率。第一原则计算可以预测点缺陷的能量和光学特性。i对磁光能进行了广泛的收敛测试,例如零声子线,高细胞耦合参数和4H-SIC中DivaCration的四个不同配置的零曲线分裂。将收敛结果与实验测量结果进行比较,对不同的配置进行了清晰的识别。使用这种方法,我还确定了4H-SIC中的硅空缺以及6H-SIC中的硅和硅空置方面的所有配置。进一步使用了相同的方法来识别4H-SIC中3C堆叠断层包含在3C堆叠断层中存在的两种额外的配置。i扩展了计算的属性,以包括提供零声子线的极化,强度和寿命的过渡偶极矩。在计算过渡偶极矩时,我表明,由于几何形状弛豫,将电子轨道的自一致变化包括在激发状态下至关重要。i测试了4H-SIC中除疾病的方法,从而进一步加强了先前的识别,并提供了准确的光致发光强度和寿命。在给定应用程序中找到具有正确属性的稳定点缺陷是一项具有挑战性的任务。由于散装半导体材料中存在的大量可能的缺陷,我设计并实施了一系列自动工作流,以系统地研究任何点缺陷。此集合称为ADAQ(自动缺陷分析和资格术),并自动化理论过程的每个步骤,从创建缺陷到预测其属性。使用ADAQ,我在4H-SIC中筛选了约8000个固有点缺陷簇。本文概述了这些单点和双点缺陷的地层能量和最相关的光学特性。这些结果显示出适合各种量子应用的新颜色中心的巨大希望。
行业用作集装箱建筑材料和一部分机器。尽管它们在某些条件下易受腐蚀,尽管具有抗腐蚀的保护性氧气层。寻求保护这些金属,在受限的自旋极化DNP基础下,使用局部密度B3LYP进行了有关铝和锌腐蚀抑制的理论研究,以获得分子PNNT的稳定几何形状。e Homo,E Lumo,Energo GAP(ΔE),电子电位的值描述了偶极矩(μ),电负性(χ),全球硬度(η),全局硬度(η),全球亲电性指数(ω),源自捐赠的能量(ε)和ΔEB-D的能量(ΔEB-D)展示了分子和铁表面,包括(ω +)电感功率和(ω-)电载功率。 从仿真建模的结果中,物理吸附模式描述为PNNT与金属的相互作用模式。 通过福岛函数的结果表明,分子中存在的杂原子,例如氮,硫氧氟和亚甲基(-CH 2-)功能基(-CH 2-)功能组是金属和PNNT分子之间电子捐赠和接受性的选择性的焦点。 键长和角度的数据表明该分子是金属表面上的四方平面。 Al 40.118 kcal/mol的结合能大于Zn 19.482 kcal/mol表面的结合能,这表明对Al表面的分子Pnnt具有更大的吸附,其中吸附在两个表面上都假定的物理吸附过程e Homo,E Lumo,Energo GAP(ΔE),电子电位的值描述了偶极矩(μ),电负性(χ),全球硬度(η),全局硬度(η),全球亲电性指数(ω),源自捐赠的能量(ε)和ΔEB-D的能量(ΔEB-D)展示了分子和铁表面,包括(ω +)电感功率和(ω-)电载功率。 从仿真建模的结果中,物理吸附模式描述为PNNT与金属的相互作用模式。 通过福岛函数的结果表明,分子中存在的杂原子,例如氮,硫氧氟和亚甲基(-CH 2-)功能基(-CH 2-)功能组是金属和PNNT分子之间电子捐赠和接受性的选择性的焦点。 键长和角度的数据表明该分子是金属表面上的四方平面。 Al 40.118 kcal/mol的结合能大于Zn 19.482 kcal/mol表面的结合能,这表明对Al表面的分子Pnnt具有更大的吸附,其中吸附在两个表面上都假定的物理吸附过程e Homo,E Lumo,Energo GAP(ΔE),电子电位的值描述了偶极矩(μ),电负性(χ),全球硬度(η),全局硬度(η),全球亲电性指数(ω),源自捐赠的能量(ε)和ΔEB-D的能量(ΔEB-D)展示了分子和铁表面,包括(ω +)电感功率和(ω-)电载功率。从仿真建模的结果中,物理吸附模式描述为PNNT与金属的相互作用模式。通过福岛函数的结果表明,分子中存在的杂原子,例如氮,硫氧氟和亚甲基(-CH 2-)功能基(-CH 2-)功能组是金属和PNNT分子之间电子捐赠和接受性的选择性的焦点。键长和角度的数据表明该分子是金属表面上的四方平面。Al 40.118 kcal/mol的结合能大于Zn 19.482 kcal/mol表面的结合能,这表明对Al表面的分子Pnnt具有更大的吸附,其中吸附在两个表面上都假定的物理吸附过程
EEG 的生物物理基础 人脑含有大约 1000 亿个神经元。神经元表现出膜电位的特征性变化,并根据通过离子通道的跨膜离子电流的活动激发动作电位。这些离子电位可以通过细胞内记录来记录,其中记录电极刺穿细胞膜并测量细胞内和细胞外电位之间的差异。这些离子电流还会导致产生具有偶极矩的细胞外偶极子,从而在附近产生电场和磁场。单个神经元产生的电场太弱,无法从头皮表面记录下来。电场通过细胞外液中的体积传导过程传输。体积传导过程具有频谱低通性质(图 1)——与低频膜电位振荡相比,高频活动衰减更多。因此,在头皮水平记录的脑电图代表了膜电位的低频振荡——底层神经元发生器的兴奋性突触后电位 (EPSP) 和抑制性突触后电位 (IPSP)。体积传导允许电
虹膜物理学,近年来其他5 d过渡金属(TM)离子系统引起了人们的兴趣,包括5 d 1订购的双钙钛矿(DP)系统,用于其建议托管“隐藏”多极阶(5 D1¼W5Þ,re6Þ,re6Þ,os 7 s)[1-13] [1-13]。至关重要的是,典型的原子图有效地理解了液体物理学并不能令人满意地解释5 d 1 dps的物理学。在公式A 2 bb 0 O 6的5 d 1 dps中,唯一磁性5 d 1离子占据B 0位点,并具有由J effeff¼3= 2所描述的四倍退化基态构型。以这样的配置,随着角动量的自旋和轨道成分消失的净磁矩m¼2s-l消失了[1]。基于原子图的消失磁矩的预测失败了,但是,对于具有有限的磁矩的真实材料的情况[3,8,10]。存在被抑制但非零的杂志偶极矩的存在通常归因于空间扩展的TM-5 d轨道与