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World File Search System光催化剂
ZnCo2O4表面刻蚀光催化剂的制备及其CO₂还原性能研究
出色的光吸收特性，中等带结构和良好的光电化学特性。然而，传统的Znco₂O₄在光催化co₂还原中的性能受到诸如低光催化活性和选择性不佳的因素的限制。因此，修改Znco₂o₄以增强其光催化性能已成为当前研究的重点。双金属氧化物材料通过结构合适的界面来扩大光催化剂的分离和运输，可广泛用于改善光催化剂的性能。通过探索Znco₂o₄的接口构建，可以优化其光吸收性能，从而改善Znco₂o₄的可见光利用；可以提高光生电子孔对的分离效率，从而降低电子孔重组。并且可以改善CO₂的吸附和激活。
使用基于TIO2的光催化剂
摘要：二氧化钛（TIO 2）是由于其物理和化学性质，是最广泛使用的光催化剂之一。在这项研究中，与利弊一起讨论了使用TIO 2-和基于钛酸盐的光催化剂的氢能产生。已经详细阐述了光催化的机制，以查明光催化剂以提高性能。已经评估了TIO 2光催化剂的主要特征和局限性。此外，用过渡金属，过渡金属氧化物，高贵金属，氮化碳，石墨烯等修饰的基于TIO 2的光催化剂。已进行了审查。这项研究将为初学者提供基本的理解，并向该领域的专家提供详细的知识，以优化基于TIO 2的基于TIO 2的光催化剂以用于氢生产。
光催化剂编辑中的异性结论的特殊主题
为了抑制光生的电子和单个光催化剂中孔的重组，一种重要的方法是通过结合两个光催化剂来设计异构。此方法已广泛用于增强复合材料的光催化性能。在开始时，大多数人都使用II型电荷载体传递机制来解释复合半导体的出色活性。虽然II型杂插机制可以说明空间中光所产生的电子和孔的分离，但它面临着巨大的问题和挑战。首先，复合光催化剂的还原能力随着光基电子从高传导带（CB）转移到低CB的转移而降低。同样，复合光催化剂的氧化能力随着孔从较低的价带（VB）转移到较高的Vb而降低。因此，从热力学的角度来看，由于系统的氧化还原能力降低，该电荷载体转移对光催化的降低有害。其次，从动态的角度来看，由于其强的电子电子库仑排斥力，因此不可能将电子从一个光催化剂转移到另一个光催化剂。同样，孔也不可能从低Vb转移到高VB。因此，近年来越来越多的研究表明，II型异质结载体转移机械机械不正确。在2019年，为了解决II型异质结构机制中电荷载体转移机制的问题，首先提出了一种新的步骤方案（S-SCHEME）杂结概念。S-Scheme杂结包含两个不同的半导体光催化剂，即还原光催化剂（RP）和氧化光催化剂（OP）。RP的CB，VB和费米水平高于OP。在RP和OP接触之后，由于RP和OP具有不同的费米水平，RP中的电子将转移到OP，直到其界面处的费米级别相等。该电子转移分别以正电荷和负电荷导致RP和OP。最后，在界面上构建了内置电场，其方向是从RP到OP。在光照射下，电子从两个光催化剂的VB都激发到其CBS。然后，内置的电场驱动了光生电子从OP转移到RP。因此，光生的电子和孔在空间上
太阳能气相CO_2多功能UIO-66光催化剂
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基于菠菜的光催化剂，用于在基于聚酰亚胺基底物上的微观电路
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新型基于葡萄的MOFS光催化剂用于光载体协作1
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电子 - 音波相互作用和wo 3光催化剂的电子激发态的结构变化
如今，人工智能（AL）芯片在我们的日常生活中广泛使用，例如面部识别，文本识别和自然语言处理。尤其是，低功率芯片迫切需要边缘计算。当前的商业芯片几乎完全是基于传统的von Neumann架构的深度学习算法的加速器。然而，由于处理单元和记忆的物理分离，这种巨大功耗，高潜伏期和低区域效率的严重挑战。近年来，受生物大脑启发的神经形态计算范例可以通过硬件电子设备（例如，CMOS电路或新兴的Nanodevices）实施，并吸引了全球研究人员的很多关注，归因于它们的潜在优势，高能量效率，质量高度，质量高，并构成众多的记忆，以及高度的计算。然而，神经形态系统在大规模生产之前仍面临一些技术挑战。此问题旨在加深我们对制造过程，设备物理，建筑，算法和大规模神经形态系统的基本理解。
