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World File Search System光刻
通过先进的过滤技术调节 EUV 光刻胶中的缺陷率
EUV 光刻技术是解决先进技术节点关键尺寸的主流技术，目前处于 18nm 及以下的范围内 [1]。EUVL 首次应用于制造领域，利用的是化学放大光刻胶 (CAR) [2]。在 ArF 和 ArF 浸没式光刻中，CAR 的过滤（无论是在本体还是在使用点 (POU)）已证明对减少微桥起着重要作用，主要是通过去除硬颗粒和凝胶 [3-6]。对于 ArFi，EUV 带来了新的挑战，不仅要达到所需的线条粗糙度、灵敏度和分辨率，还需要大幅减少线条塌陷、微桥和断线等缺陷。在这项研究中，它展示了利用新型 POU 过滤来调节微桥和实现卓越启动行为的能力，这两者对于实现大批量制造的 EUVL 都至关重要。在由 TEL CleanTrack LITHIUS Pro-Z 和 ASML NXE:3400B 组成的 imec EUV 集群上测试了不同的 POU 过滤器。通过测量冲洗溶剂体积与 19nm 大小的缺陷之间的函数关系来评估启动性能，结果表明可以快速达到稳定的基线。使用市售光刻胶进行的光刻实验旨在降低晶圆缺陷率，实验结果一致表明，在 16nm L/S 测试载体上，光刻胶显影后 (ADI) 和光刻胶蚀刻后 (AEI) 微桥显著减少。讨论了膜物理固有设计和新型清洁对 POU 设备的影响。关键词：EUV 光刻、微桥、POU 过滤
纳米压印光刻引导的自组装...
[a] 孟志强博士、姚思聪博士、朱宁博士、黄伟英教授 香港浸会大学化学系 中国香港九龙塘窝打老道 电子邮箱： wai-yeung.wong@polyu.edu.hk [b] 孟志强博士、俞志强教授 深圳大学化学与环境工程学院低维材料基因组计划 中国广东省深圳市学院路 电子邮箱： zqyu@szu.edu.cn [c] 黄伟英教授黄伟雄 香港理工大学 应用生物及化学科技学系 中国香港特别行政区 红磡 香港理工大学深圳研究院 中国深圳 518057 电子邮箱： wai-yeung.wong@polyu.edu.hk [d] I. Manners 教授 维多利亚大学 化学系 加拿大不列颠哥伦比亚省维多利亚市 V8P 5C2 [e] 李国刚博士 超精密加工技术国家重点实验室及工业及系统工程学系 中国香港特别行政区 红磡 [f] 梁智伟博士 应用物理学系 中国香港特别行政区 红磡 香港理工大学
光刻构建的单个 ZnO 纳米线器件和
分析科学 J-STAGE 预发表论文 2020 年 1 月 17 日收到；2020 年 4 月 7 日接受；2020 年 4 月 17 日在线发表 DOI：10.2116/analsci.20N002
化学与光刻/Uzodinma
4.1 简介 109 4.2 促成光刻技术发明和发展的化学关键发展 110 4.2.1 四元素理论 113 4.2.2 化学作为一门独特的学科 115 4.2.3 炼金术 116 4.2.4 关于火和燃烧性质的早期理论 118 4.2.5 燃素理论 119 4.2.6 现代化学的开端 124 4.2.7 在普通空气中发现简单气体 125 4.2.8 光的吸收 130 4.2.9 光的化学效应 131 4.2.10 现代化学的基础 134 4.2.11 后拉瓦时代的化学演变 139 4.3 化学反应定律和理论 140 4.3.1 原子理论140 4.3.2 恒比例定律或定比例定律 143 4.3.3 倍比例定律 144 4.3.4 互比例定律或当量定律 145 4.3.5 电化学理论 146 4.3.6 电解定律 150 4.3.7 体积结合定律 151 4.3.8 阿伏伽德罗假说 152
用于细胞研究的 SU-8 聚合物结构的电子束光刻制造
摘要 — 用微结构和纳米结构装饰的平面是生物医学研究中的重要工具，用于控制细胞形状，研究机械传导、膜力学、细胞迁移以及细胞与纳米结构表面的相互作用。现有的制造表面结合纳米结构的方法通常受分辨率、纵横比或吞吐量的限制。在这项工作中，我们探索了基于电子束光刻的玻璃基板上环氧抗蚀剂 SU-8 的结构。我们专注于系统地研究工艺参数，并确定制造工艺的极限，包括空间分辨率、结构纵横比和制造吞吐量。所述方法能够直接在透明基板上生产高纵横比、表面结合纳米结构，其高度范围为 100 nm 至 4000 nm，平面分辨率低于 100 nm。制造的纳米结构表面可以与生物医学研究的常用技术相结合，例如高数值孔径光学显微镜。此外，我们还展示了如何使用所述方法在同一表面上制造具有多种高度的纳米结构，这是使用其他制造方法无法轻易实现的。我们的研究为制造纳米结构表面并应用于生命科学研究开辟了一条替代方法。
用于 EUV 光刻的光化图案掩模缺陷检测
随着极紫外 (EUV) 光刻技术进入大批量生产，半导体行业已将光刻波长匹配的光化图案化掩模检测 (APMI) 工具视为 EUV 掩模基础设施的主要空白。现在，已经开发出一种光化图案化掩模检测系统来填补这一空白。结合开发和商业化 13.5nm 波长光化空白检测 (ABI) 系统的经验以及数十年的深紫外 (DUV) 图案化掩模缺陷检测系统制造经验，我们推出了世界上第一个高灵敏度光化图案化掩模检测和审查系统 ACTIS A150（ACTinic 检测系统）。生产此 APMI 系统需要开发和实施新技术，包括高强度 EUV 源和高数值孔径 EUV 光学器件。APMI 系统具有高分辨率、低噪声成像，对缺陷具有极高的灵敏度。它已证明能够检测出印刷晶圆上估计光刻影响为 10% CD 偏差的掩模缺陷。
用于紫外、激光和电子束光刻的负性光刻胶
主要应用 • 通过 DLW 进行快速非接触式原型设计 • 微系统技术中的光学应用 • 用于湿法和干法蚀刻工艺的蚀刻掩模 • 用于电镀的模具 • 用于印章制造/模板制造的模具