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World File Search System光刻
通过光学和纳米图形光刻
摘要：氧化锆（ZRO 2）是一种良好且有前途的材料，由于其出色的化学和物理特性。在用于腐蚀保护层，磨损和氧化的涂料中，在光学应用（镜像，滤波器）中用于装饰组件，用于反伪造的解决方案和医疗应用。ZRO 2可以使用不同的沉积方法（例如物理蒸气沉积（PVD）或化学蒸气沉积（CVD））作为薄膜获得。这些技术是掌握的，但由于固有特性（高熔点，机械和耐化学性），它们不允许对这些涂层进行微纳米结构。本文描述的一种替代方法是Sol-Gel方法，该方法允许使用光学或纳米图形印刷术的无物理或化学蚀刻过程的ZRO 2层进行直接微纳米结构。在本文中，作者提出了一种完整且合适的ZRO 2 SOL-GEL方法，允许通过光学或纳米IMPRINT光刻来实现复杂的微纳米结构，以实现不同性质和形状的基材（尤其是非平面和箔材料的底物）。通过掩盖，胶体光刻和玻璃和塑料底物以及平面和弯曲的底物，通过掩盖，胶体光刻和纳米图光刻来呈现ZRO 2 Sol-Gel的合成以及微纳米结构过程。
纳米压印光刻用光刻胶
micro resist technology GmbH 自 1999 年以来一直为纳米压印光刻 (NIL) 提供量身定制的光刻胶配方。我们产品的独特关键特性是出色的成膜和压印性能以及出色的图案保真度和等离子蚀刻稳定性。我们的纳米压印光刻胶主要用作干蚀刻掩模，用于将图案转移到各种基板上，例如 Si、SiO 2、Al 或蓝宝石。
研究使用立体光刻
摘要：立体光刻已成为以高精度制造复杂结构的最新方法。使用树脂的组件的性质较差。当前的研究研究了SLA技术制造的纳米石材复合材料的性能的改善。比较普通树脂和0.2％，0.2％，0.5％，1％，3％和5％（w / v）的纳米含石与紫外线可策展的树脂的特性。进行了各种分析，包括粘度，紫外线镜检查，水分含量，吸水，凝胶含量，拉伸，弯曲，硬度测试和显微镜表征。实验的结果表明，测试的样品的每个百分比的结果（例如样品特性）的结果差异，这表明添加纳米石膏的百分比越大（5％），样品将会出现，并且会出现较少的光。粘度测试表明，添加到树脂中的纳米石膏的百分比越大，粘度越大。紫外线光谱测试产生了有关电子结构和分子结构的信息，例如它们的组成，纯度和集中。从水分含量分析中进行的观察发现，纳米含量较高的标本中的水分含量影响了物理和机械性能，从而导致更轻松的翘曲，破裂，降低强度等。拉伸和弯曲测试表明，添加纳米石膏的百分比越大，对物理和机械性能（包括骨折）的影响越大。然而，当添加不同百分比的纳米石膏时，某些测试并未始终产生样品之间的显着变化，这在化学耐药性测试中尤其明显。这项研究为通过SLA方法制造的纳米石材复合材料的应用提供了宝贵的见解。
准分子激光投影光刻技术综述
本文回顾了准分子激光投影光刻技术的早期发展状况。尽管这些技术自 1982 年以来一直处于中等发展速度，但直到今年，它们对未来微加工的特殊力量和重要性才得到广泛认可。2 现在看来，随着进一步发展，这项相对被忽视的新技术可能会在未来十年为微电子行业提供大部分生产能力。具体而言，完全可以预见，正是凭借这项技术，光学技术可以扩展到实现接近 0.25 J.1m 尺寸的生产吞吐量，远远超过去年为 x 射线和粒子束光刻保留的范围。也有可能这项技术将成为终极光学技术，达到基本材料限制最终将要求脱离光学光刻的地步。对未来光刻的需求是强烈的。在撰写本文时，可以使用商用步进重复系统生产 4 Mbit 动态随机存取存储器 (DRAM)，无需子场拼接。这项任务已经需要现存最接近完美的宽场成像光学系统，用于任何商业用途。16 Mbit 和 32 Mbit 芯片将需要 - 10 9 个光场像素，是这些系统的两到四倍。正如下面所示，开发合适的紫外 (UV) 准分子投影系统的挑战绝非易事。
光刻投影系统的图像模拟
摘要 成熟的 Abbe 公式是当今最常用的用于精确模拟半导体光刻中使用的部分相干投影系统图像的方法之一。接近理论分辨率极限的光刻成像系统的开发和应用以及对更大掩模区域的高精度模拟的需求需要对经典的 Abbe 方法进行几项扩展。本文介绍了 Abbe 方法的基础知识，包括所谓的霍普金斯假设。为了精确模拟当今的光刻系统，必须描述和考虑重要的物理效应，如强离轴照明、小特征尺寸、超高 NA、偏振相关行为、成像缩小、像差、切趾和琼斯瞳孔。本文介绍了 Abbe 方法的扩展。应用示例证明了新方法的准确性、灵活性和计算性能。 关键词：光刻模拟、图像模拟、图像建模、Abbe 方法
EUV 光刻中的氢气回收
DWARDS VACUUM 开发了一种氢气回收系统 (HRS)，可以回收和再利用极紫外 (EUV) 光刻工具使用的约 80% 的氢气。该系统降低了净氢气消耗和成本，降低了供应中断带来的财务和工艺风险以及氢气运输和分配的安全风险，并降低了 EUV 光刻的总能耗和碳足迹。EUV 光刻在所有先进节点制造中都是必不可少的。事实证明，它适合大批量生产，其减少工艺周期数的经济效益现已明确，并且运行中的系统数量正在稳步增加。EUV 工具使用大量氢气，目前约为每分钟 600 标准升，并且可能进一步增加。回收和再循环氢气使制造商能够大幅削减供应需求。Edwards 的 HRS 是与比利时鲁汶 imec 合作开展的十年开发计划的成果。该系统
壳聚糖作为 DUV 光刻的水基光刻胶
作为纳米加工的主要工艺，DUV 光刻通常需要在光刻胶配方、溶剂和显影剂中使用大量有毒化学品。在此背景下，提出了替代当前石油衍生光刻胶的化学品，以减少对环境的影响。壳聚糖是一种生物源光刻胶，通过用绿色溶剂（去离子 (DI) 水）替代，可实现不含有机溶剂和碱性显影剂的水基图案化工艺。本文介绍了使用壳聚糖基光刻胶进行图案化集成的最后一个分步过程。使用 CEA-Leti 的 300 毫米中试线规模的初步结果显示，图案分辨率低至 800 nm，同时等离子蚀刻转移到 Si 基板中。最后，通过生命周期分析 (LCA) 对基于壳聚糖光刻胶的整个工艺的环境影响进行了评估，并将其与传统的基于溶剂的工艺进行了比较。关键词：光刻、光刻胶、生物源、壳聚糖、水基、半导体、可持续性、LCA
