与往常一样,主题演讲概述了半导体行业以及相关微纳米技术领域的发展方向和趋势。去年的重点是限制当前和未来人工智能应用的过度能耗,而 Serge Nicoleau(意法半导体)的主题演讲将这一主题扩展到半导体行业工艺的总体可持续性,即减少资源消耗并日益避免使用有毒或对环境有害的物质,如 PFAS(所谓的永恒化学物质)。Kagawa-san(佳能)、Sebastian Dauvé(CEA-LETI)和 Kurt Ronse(IMEC)的其他主题演讲涉及纳米压印光刻的现状和前景、CEA-LETI 的半导体研究计划(FAMES)和 EUV 光刻。 Kurt Ronse 的贡献尤其预测了到 2040 年纳米技术的预期发展。虽然半导体行业的领先公司即将推出具有技术节点 N2 的高端工艺(例如,最密集布线层的导体轨道宽度约为 11nm),但节点 A1 中只能实现约 6nm(!)的线宽(根据 2040 年的当前路线图)。
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实现对实际应用的高灵敏度一直是可穿戴柔性压力传感器的主要发育方向之一。本文引入了激光斑点灰度光刻系统和一种新的方法,用于使用颗粒状激光斑点图案制造随机锥形阵列微观结构。其可行性归因于激光斑点强度的自相关函数,该功能遵循第一类的一阶Bessel函数。通过客观的斑点尺寸和暴露剂量操纵,我们开发了具有各种微形态的微结构光蛋白天。这些微结构用于形成用于柔性电容压力传感器中的聚二甲基硅氧烷微结构电极。这些传感器表现出超高灵敏度:低压范围为0 –100 pa的19.76 kPa -1。它们的最小检测阈值为1.9 pa,它们保持稳定性和弹性超过10,000个测试周期。这些传感器被证明擅长捕获生理信号并提供触觉反馈,从而强调其实际价值。
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摘要:立体光刻已成为以高精度制造复杂结构的最新方法。使用树脂的组件的性质较差。当前的研究研究了SLA技术制造的纳米石材复合材料的性能的改善。比较普通树脂和0.2%,0.2%,0.5%,1%,3%和5%(w / v)的纳米含石与紫外线可策展的树脂的特性。进行了各种分析,包括粘度,紫外线镜检查,水分含量,吸水,凝胶含量,拉伸,弯曲,硬度测试和显微镜表征。实验的结果表明,测试的样品的每个百分比的结果(例如样品特性)的结果差异,这表明添加纳米石膏的百分比越大(5%),样品将会出现,并且会出现较少的光。粘度测试表明,添加到树脂中的纳米石膏的百分比越大,粘度越大。紫外线光谱测试产生了有关电子结构和分子结构的信息,例如它们的组成,纯度和集中。从水分含量分析中进行的观察发现,纳米含量较高的标本中的水分含量影响了物理和机械性能,从而导致更轻松的翘曲,破裂,降低强度等。拉伸和弯曲测试表明,添加纳米石膏的百分比越大,对物理和机械性能(包括骨折)的影响越大。然而,当添加不同百分比的纳米石膏时,某些测试并未始终产生样品之间的显着变化,这在化学耐药性测试中尤其明显。这项研究为通过SLA方法制造的纳米石材复合材料的应用提供了宝贵的见解。
1) N. Gerges、C. Petit-Etienne、M. Panabière、J. Boussey、Y. Ferrec、C. Gourgon;优化的紫外线灰度处理,用于光谱成像仪的高垂直分辨率;J. Vac. Sci. Technol. B 39 (2021);doi:10.1116/6.0001273
摘要:向上转换纳米颗粒(UCNP)具有独特的非线性光学特性,可以在显微镜,传感和光子学中利用。然而,形成具有较大填充分数的UCNP的高分辨率纳米和微分简单仍然具有挑战性。此外,人们对纳米颗粒模式化学的形式如何受粒径影响有限。在这里,我们使用形成新离子链接的配体或在UCNP之间(uviolet(uv),eleton- beam(e -elethir)(e -beam)(e -beam)(e -beam)和附近(nir)和附近(nir -nir)和附近(nir -nir)(nir)和附近(nir -extrare)(extrife)(ybem extruared(e -beam),我们探索了6-18 nm tm 3+ - ,yb 3+ /tm 3+ - 和yb 3+ /er 3+基于yb 3+ /er 3+的UCNP。 我们研究UCNP大小对这些图案方法的影响,发现6 nm UCNP可以用紧凑的离子配体进行图案化。 相比之下,对较大的UCNP进行构图需要长链,可交叉的配体,这些配体可提供足够的颗粒间距,以防止在膜铸造时进行不可逆的聚集。 与使用可交联液体单体的方法相比,我们的图案方法限制了与沉积在薄膜中沉积的UCNP上的配体的交联反应。 这种高度局部的照片 - /电子引发的化学能力可以制造具有高分辨率的密集包装的UCNP图案(约为1μm,紫外线和NIR暴露; <100 nm,具有E型束)。 我们的上转换nir光刻方法证明了将廉价连续波激光器用于胶体材料的高分辨率2D和3D光刻的潜力。我们探索了6-18 nm tm 3+ - ,yb 3+ /tm 3+ - 和yb 3+ /er 3+基于yb 3+ /er 3+的UCNP。我们研究UCNP大小对这些图案方法的影响,发现6 nm UCNP可以用紧凑的离子配体进行图案化。相比之下,对较大的UCNP进行构图需要长链,可交叉的配体,这些配体可提供足够的颗粒间距,以防止在膜铸造时进行不可逆的聚集。与使用可交联液体单体的方法相比,我们的图案方法限制了与沉积在薄膜中沉积的UCNP上的配体的交联反应。这种高度局部的照片 - /电子引发的化学能力可以制造具有高分辨率的密集包装的UCNP图案(约为1μm,紫外线和NIR暴露; <100 nm,具有E型束)。我们的上转换nir光刻方法证明了将廉价连续波激光器用于胶体材料的高分辨率2D和3D光刻的潜力。沉积的UCNP模式保留了它们的上转换,雪崩和照片处理行为,可以在模式的光学设备中利用这些行为,以用于下一代UCNP应用程序。
I. 引言 随着技术节点的不断缩小,邻近效应和光学衍射变得不可忽略,严重影响集成电路的成品率。分辨率增强技术(RET)被发展用来减少光刻过程中的印刷误差。光学邻近校正(OPC)是广泛使用的RET之一,它通过校正掩模版图案形状和插入辅助特征来补偿光刻邻近效应。典型的OPC方法包括基于模型的方法[1],[2],[3]和基于逆光刻技术(ILT)的方法[4],[5],[6],[7],[8],[9]。对于基于模型的OPC,首先将掩模版中多边形的边缘分成几段,然后在光刻仿真模型的指导下移动这些边缘。基于 ILT 的方法将掩膜表示为像素函数 [4]、[5]、[6]、[7]、[10] 或水平集函数 [8]、[9]、[11]、[12]。然后,将 OPC 过程建模为逆问题,可以通过优化
一、引言 随着技术节点的不断缩小,邻近效应和光学衍射变得不可忽略,严重影响集成电路的成品率。分辨率增强技术(RET)是为了减少光刻过程中的印刷误差而开发的。光学邻近校正(OPC)是广泛使用的RET之一,通过校正掩模版图案形状和插入辅助特征来补偿光刻邻近效应。典型的OPC方法包括基于模型的方法[1]、[2]、[3]和基于逆光刻技术(ILT)的方法[4]、[5]、[6]、[7]、[8]、[9]。对于基于模型的 OPC,首先将掩模中的多边形边缘划分为段,然后在光刻模拟模型的指导下移动这些边缘。基于 ILT 的方法将掩模表示为逐像素函数 [4] 、 [5] 、 [6] 、 [7] 、 [10] 或水平集函数 [8] 、 [9] 、 [11] 、 [12] 。然后,将 OPC 过程建模为逆问题,可以通过优化
卫星服务的双重使用提出了有关反对其在武装冲突期间功能的合法性的问题。本文的重点是研究国际人道主义法的关键原则的内容,即的区别和相称性,关于它们在空间活动中的应用。在这种情况下,分析了对军事行动的太空服务投入前后评估的标准。还观察到由于违反人道主义法而产生空间碎片云的风险。因此,开发和批准其他方案IV的建议将构成平民物体与军事目标区分开,并确定与攻击成正比的损害的范围和程度,被认为是能够在空间和网络战争期间节省外层空间资源和空间服务的手段。