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World File Search System光刻
亚微米面板级封装的光刻解决方案
摘要 逻辑、存储器、光子、模拟和其他增值功能的异构集成是提高电子系统效率、性能和带宽同时有助于降低总体制造成本的一种方法。为充分利用异构集成的优势，设计人员需要更精细分辨率的重分布层图案和更大的封装尺寸，以最大限度地提高系统级封装集成的可能性。大封装电子系统的生产非常适合面板级封装 (PLP)，而在整个矩形面板上实现均匀的亚微米图案化是一项关键的光刻挑战。为应对这一挑战，佳能开发出第一台能够在 500 毫米面板上实现亚微米分辨率的光刻曝光系统或步进机。步进机具有面板处理系统，可处理最大尺寸为 515 mm x 515 mm 的面板，还配备了宽视场投影镜头，其最大数值孔径为 0.24，像场为 52 mm x 68 mm。本文将报告使用面板步进机的亚微米 PLP 工艺的评估结果，并介绍高分辨率 PLP 工艺的挑战，包括翘曲面板处理。将报告覆铜板 (CCL) 基板的工艺结果，包括图案均匀性、相邻镜头拼接精度和包含扇出工艺中常见的芯片放置误差的基板上的叠加精度。关键词先进封装、扇出、面板级封装、步进机、亚微米、光刻、系统级封装
锑离子注入改性重氮醌-酚醛清漆光刻胶薄膜
引言目前，光刻是多种半导体器件和集成电路一般生产周期中的主要工艺之一。重氮喹诺酮酚醛 (DQN) 光刻胶广泛用作亚微米和纳米光刻的掩模 [1–4]。现代电子学中形成掺杂区的主要方法之一是离子注入 (II)。该方法可以精确控制掺杂剂浓度，且具有工艺多功能性和灵活性的特点。DQN 光刻胶与紫外线、X 射线和可见辐射的相互作用已得到充分详细研究，而离子辐照引起的过程仍然知之甚少，尽管它们会显著影响所创建器件的质量 [4–6]。在聚合物的 II 期间，辐射诱导过程先前已被证明会发生在离子路径区域内及其外部 [5, 7–9]。例如，在 [5] 中发现了 DQN 抗蚀剂膜在锑离子注入层后面的辐射硬化。然而，导致 II 层后面的 DQN 抗蚀剂的物理机械性能发生变化的辐射诱导过程的机制尚未确定。对于薄膜研究，受抑全内反射 (TIR) 的 FTIR 光谱可以定性和定量地获取固体中复杂有机化合物及其混合物的成分和结构
RF前端模块比较2021 - 卷。 1 yoledévelopment-超过摩尔2021的光刻和粘合设备 - 样品
去年，System Plus打开了数百个前端模块（FEM）和组件，以提供精选旗舰智能手机中射频（RF）FEM市场的概述。这些信息是在四个报告中收集的，从玩家的进化到世界地区分析。这提供了跟踪该技术市场发展的绝佳方法。今年，System Plus Consulting将再次提供智能手机RFFEMS的技术和成本比较的不同数量。每个比较报告将侧重于特定主题，例如，玩家的演变，特定技术或旗舰设备的比较。在2021年的第一卷中，我们提供了有关FEM的技术和成本数据的见解，以及自2016年以来的Apple iPhone系列中的18款智能手机中发现的几个组件。这包括对市场上RFFEM架构的全面概述，比较了这些公司的可用智能手机。苹果对特定组件制造商的依赖，以及通信技术集成的不同选择，甚至是最新一代的毫米波长（MMWave）信号支持。我们还揭示了该公司如何在高级市场上保持领导地位。通过这些智能手机拆卸，从
紫外线，激光和灰度光刻的阳性光倍师
1）N。Gerges，C。Petit-Etienne，M。Panabière，J。Boussey，Y。Ferrec，C。Gourgon；优化的紫外线灰度工艺，用于应用于光谱成像仪的高垂直分辨率； J. Vac。SCI。 技术。 b 39（2021）; doi：10.1116/6.0001273SCI。技术。b 39（2021）; doi：10.1116/6.0001273
3D 打印和螺旋光刻图案化铒……
红外 (IR) 发射稀土掺杂材料已广泛用于制造光纤放大器、电信、光电子和波导等各个领域的集成光学设备的有源元件。在各种稀土元素中，三价铒离子 (Er 3+) 备受关注，因为它们的发射行为跨越了 1300–1650 nm 的低损耗电信窗口。在本文中，我们报告了两种类型的聚合物波导放大器。8 cm 长、光刻图案化的螺旋波导使用 95 mW 的 980 nm 泵浦功率提供 8 dB 的增益。增益在 1530 至 1590 nm 之间观察到。我们还报告了使用基于双光子光刻的 3D 打印方法制造的聚合物波导放大器的首次演示，为快速制作有源 3D 打印设备和可能超越平面限制的有源光子设备奠定了基础。
使用纤维素从光刻废物中恢复溶剂...
由AygenSavaşAlkan提交，部分履行了中东技术大学化学工程学硕士学位的要求，由HalilKalıpçılar博士教授，Pretied and Applied Sciences研究生院，PınarCiseciences研究生院PınarCharissScience教授，PınarCasalık博士。Zeynep博士Zulfaz博士EMECEN主管，化学工程，METU检查委员会成员：LeventYılmazChemical Engineering教授，Metu Assoc。 Zeynep博士ÇulfazEmecen Chemical Engineering，Metu教授BirgülTantekinErsolmaz Chemical Engineering，伊特·艾协会。 METU助理Erhan Bat Chemical Engineering博士。 EmreBüküşoğlu博士，MetuZeynep博士Zulfaz博士EMECEN主管，化学工程，METU检查委员会成员：LeventYılmazChemical Engineering教授，Metu Assoc。Zeynep博士ÇulfazEmecen Chemical Engineering，Metu教授BirgülTantekinErsolmaz Chemical Engineering，伊特·艾协会。 METU助理Erhan Bat Chemical Engineering博士。 EmreBüküşoğlu博士，MetuZeynep博士ÇulfazEmecen Chemical Engineering，Metu教授BirgülTantekinErsolmaz Chemical Engineering，伊特·艾协会。METU助理Erhan Bat Chemical Engineering博士。 EmreBüküşoğlu博士，MetuMETU助理Erhan Bat Chemical Engineering博士。EmreBüküşoğlu博士，MetuEmreBüküşoğlu博士，Metu
负性高纵横比环氧光刻胶
对于永久性结构，建议温度高于 150 ° C。烤箱烘烤会增加交联，同时应力的增加最小。 存储 避免光照，存放在 4 – 21ºC 的直立密闭容器中。将光刻胶远离氧化剂、酸、碱和火源或点火。 处理和处置 请参阅 SDS 以了解处理和适当的 PPE。 HARE SQ™ 光刻胶含有易燃液体；远离火源、热源、火花和火焰。这种 HARE SQ™ 光刻胶与光刻胶处理中使用的典型废物流兼容。用户有责任按照所有当地、州和联邦法规进行处置。
2021-2026年全球及中国光刻胶行业报告
光刻胶自1959年发明以来，一直是半导体行业最关键的工艺材料，逐渐发展成为印刷电路板（PCB）制程中的关键材料。上世纪90年代，光刻胶用于液晶器件的加工生产，在大尺寸、高精细化、彩色化液晶面板的生产中发挥着重要作用。2020年全球光刻胶市场规模为87亿美元，自2010年以来年均复合增长率保持在4.6%左右，随着未来汽车、人工智能、国防等电子技术的进步，2026年全球光刻胶市场规模将超过120亿美元，2020-2026年年均复合增长率高达5.5%。2011年以来，受惠于半导体、显示面板、PCB产业向东部转移，中国光刻胶市场增速高于全球平均水平。 2020年中国光刻胶销售额约87.4亿元，占全球约14.6%，增长空间巨大。可以想象，随着显示面板和先进半导体生产向中国转移，中国光刻胶市场规模将不断扩大，预计2026年将达到156.4亿元，2020-2026年复合增长率高达7.2%。