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World File Search System光刻胶
负性高纵横比环氧光刻胶
对于永久性结构，建议温度高于 150 ° C。烤箱烘烤会增加交联，同时应力的增加最小。 存储 避免光照，存放在 4 – 21ºC 的直立密闭容器中。将光刻胶远离氧化剂、酸、碱和火源或点火。 处理和处置 请参阅 SDS 以了解处理和适当的 PPE。 HARE SQ™ 光刻胶含有易燃液体；远离火源、热源、火花和火焰。这种 HARE SQ™ 光刻胶与光刻胶处理中使用的典型废物流兼容。用户有责任按照所有当地、州和联邦法规进行处置。
2021-2026年全球及中国光刻胶行业报告
光刻胶自1959年发明以来，一直是半导体行业最关键的工艺材料，逐渐发展成为印刷电路板（PCB）制程中的关键材料。上世纪90年代，光刻胶用于液晶器件的加工生产，在大尺寸、高精细化、彩色化液晶面板的生产中发挥着重要作用。2020年全球光刻胶市场规模为87亿美元，自2010年以来年均复合增长率保持在4.6%左右，随着未来汽车、人工智能、国防等电子技术的进步，2026年全球光刻胶市场规模将超过120亿美元，2020-2026年年均复合增长率高达5.5%。2011年以来，受惠于半导体、显示面板、PCB产业向东部转移，中国光刻胶市场增速高于全球平均水平。 2020年中国光刻胶销售额约87.4亿元，占全球约14.6%，增长空间巨大。可以想象，随着显示面板和先进半导体生产向中国转移，中国光刻胶市场规模将不断扩大，预计2026年将达到156.4亿元，2020-2026年复合增长率高达7.2%。
SU-8 2000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改进配方，多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久应用。
SU-8 2000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改进配方，多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久应用。
下一代 IC 技术的非化学放大光刻胶的最新进展
Satinder K. Sharma 于 2002 年获得印度西姆拉喜马偕尔邦大学物理学 (电子科学) 硕士学位，2007 年获得印度库鲁克谢特拉大学电子科学系博士学位。2007 年至 2010 年，他是印度坎普尔印度理工学院 (IIT) 坎普尔分校 CHE 系纳米科学 DST 部门的博士后研究员。2010 年至 2012 年，他在印度阿拉哈巴德印度信息技术学院 (IIIT) 电子与微电子系任教。自 2012 年起，他一直在印度理工学院 (IIT) 曼迪 (喜马偕尔邦) 计算机与电气工程学院 (SCEE) 任教。他目前的研究兴趣包括微纳米电子电路设计、聚合物纳米复合材料、传感器、光伏和自组装。
壳聚糖作为绿色光刻水显影 193 nm 光刻胶
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
SU-8 2000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改良配方，多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久性应用。
SU-8 3000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 3000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚的、化学和热稳定的图像。SU-8 3000 是 SU-8 和 SU-8 2000 的改进配方，多年来一直被 MEMS 生产商广泛使用。SU-8 3000 的配方可提高附着力并降低涂层应力。SU-8 3000 的粘度范围允许单层涂层的薄膜厚度为 4 至 100 μm。SU-8 3000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构，超过 5:1。SU-8 3000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。SU-8 3000 最适合在设备上成像、固化和保留的永久性应用。
通过先进的过滤技术调节 EUV 光刻胶中的缺陷率
EUV 光刻技术是解决先进技术节点关键尺寸的主流技术，目前处于 18nm 及以下的范围内 [1]。EUVL 首次应用于制造领域，利用的是化学放大光刻胶 (CAR) [2]。在 ArF 和 ArF 浸没式光刻中，CAR 的过滤（无论是在本体还是在使用点 (POU)）已证明对减少微桥起着重要作用，主要是通过去除硬颗粒和凝胶 [3-6]。对于 ArFi，EUV 带来了新的挑战，不仅要达到所需的线条粗糙度、灵敏度和分辨率，还需要大幅减少线条塌陷、微桥和断线等缺陷。在这项研究中，它展示了利用新型 POU 过滤来调节微桥和实现卓越启动行为的能力，这两者对于实现大批量制造的 EUVL 都至关重要。在由 TEL CleanTrack LITHIUS Pro-Z 和 ASML NXE:3400B 组成的 imec EUV 集群上测试了不同的 POU 过滤器。通过测量冲洗溶剂体积与 19nm 大小的缺陷之间的函数关系来评估启动性能，结果表明可以快速达到稳定的基线。使用市售光刻胶进行的光刻实验旨在降低晶圆缺陷率，实验结果一致表明，在 16nm L/S 测试载体上，光刻胶显影后 (ADI) 和光刻胶蚀刻后 (AEI) 微桥显著减少。讨论了膜物理固有设计和新型清洁对 POU 设备的影响。关键词：EUV 光刻、微桥、POU 过滤
