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World File Search System光刻胶
用于紫外、激光和电子束光刻的负性光刻胶
主要应用 • 通过 DLW 和 2PP 进行快速非接触式原型制作 • 微系统技术中的光学应用 • 用于湿法和干法蚀刻工艺的蚀刻掩模 • 用于电镀的模具 • 用于印章制造/模板制造的模具
基于环状乙烯酮缩醛的新型高分辨率减色光刻胶配方，适用于 3D 直接激光写入
技术正在迅速发展，在新的方法和材料方面不断突破其极限。在这种情况下，3D（亚）微打印平台尤其令人感兴趣，因为它们可以制备具有高分辨率和任意复杂度的3D微纳米结构。这方面最有前途的技术之一是直接激光写入（DLW），[1,2]这是一种基于双光子聚合反应的增材制造技术，可用于获得高通量[3]和低于100纳米的分辨率的（亚）微米物体和图案。 [4]为实现此目的，DLW利用聚焦的长波长激光飞秒脉冲照射能够在高能辐射下交联的感光树脂。 [5]虽然树脂的吸收率与激光不匹配，但在焦点处，辐射强度足够高，以至于可能发生多光子吸收现象并引发聚合过程（或触发正性光刻胶的分解）。由于抗蚀剂对激光是透明的，因此打印仅发生在焦点周围非常小的体积内（“体素”，即二维“像素”的三维模拟）。通过移动后者，只需一个简单的步骤即可获得复杂的三维架构。由于其灵活性以及易于集成功能材料的可能性，DLW 已在 MEMS、[6] 光子学、[7] 表面改性、[8] 安全系统、[9] 和生物医学研究等领域找到了多种应用。[10,11]
锑离子注入改性重氮醌-酚醛清漆光刻胶薄膜
引言目前，光刻是多种半导体器件和集成电路一般生产周期中的主要工艺之一。重氮喹诺酮酚醛 (DQN) 光刻胶广泛用作亚微米和纳米光刻的掩模 [1–4]。现代电子学中形成掺杂区的主要方法之一是离子注入 (II)。该方法可以精确控制掺杂剂浓度，且具有工艺多功能性和灵活性的特点。DQN 光刻胶与紫外线、X 射线和可见辐射的相互作用已得到充分详细研究，而离子辐照引起的过程仍然知之甚少，尽管它们会显著影响所创建器件的质量 [4–6]。在聚合物的 II 期间，辐射诱导过程先前已被证明会发生在离子路径区域内及其外部 [5, 7–9]。例如，在 [5] 中发现了 DQN 抗蚀剂膜在锑离子注入层后面的辐射硬化。然而，导致 II 层后面的 DQN 抗蚀剂的物理机械性能发生变化的辐射诱导过程的机制尚未确定。对于薄膜研究，受抑全内反射 (TIR) 的 FTIR 光谱可以定性和定量地获取固体中复杂有机化合物及其混合物的成分和结构
负性高纵横比环氧光刻胶
对于永久性结构，建议温度高于 150 ° C。烤箱烘烤会增加交联，同时应力的增加最小。 存储 避免光照，存放在 4 – 21ºC 的直立密闭容器中。将光刻胶远离氧化剂、酸、碱和火源或点火。 处理和处置 请参阅 SDS 以了解处理和适当的 PPE。 HARE SQ™ 光刻胶含有易燃液体；远离火源、热源、火花和火焰。这种 HARE SQ™ 光刻胶与光刻胶处理中使用的典型废物流兼容。用户有责任按照所有当地、州和联邦法规进行处置。
2021-2026年全球及中国光刻胶行业报告
光刻胶自1959年发明以来，一直是半导体行业最关键的工艺材料，逐渐发展成为印刷电路板（PCB）制程中的关键材料。上世纪90年代，光刻胶用于液晶器件的加工生产，在大尺寸、高精细化、彩色化液晶面板的生产中发挥着重要作用。2020年全球光刻胶市场规模为87亿美元，自2010年以来年均复合增长率保持在4.6%左右，随着未来汽车、人工智能、国防等电子技术的进步，2026年全球光刻胶市场规模将超过120亿美元，2020-2026年年均复合增长率高达5.5%。2011年以来，受惠于半导体、显示面板、PCB产业向东部转移，中国光刻胶市场增速高于全球平均水平。 2020年中国光刻胶销售额约87.4亿元，占全球约14.6%，增长空间巨大。可以想象，随着显示面板和先进半导体生产向中国转移，中国光刻胶市场规模将不断扩大，预计2026年将达到156.4亿元，2020-2026年复合增长率高达7.2%。
SU-8 2000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改良配方，多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久性应用。
正性光刻胶系列 ma-P 1200
ma-P 1200 是正性光刻胶系列，专为微电子和微系统技术而设计。这些光刻胶具有多种粘度，一次旋涂即可获得 0.3 – 40 μm 的薄膜厚度。非常适合用作蚀刻掩模，具有较高的干湿蚀刻耐受性 - 宽带、g-、h- 和 i-line 曝光 - 在湿蚀刻工艺和酸性和碱性电镀槽中具有非常好的图案稳定性 - 在干蚀刻工艺（例如 CHF 3 、CF 4 、SF 6）中具有高度稳定性 - 可获得良好的光刻胶图案热稳定性 - 水性碱性显影
SU-8 2000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改进配方，多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久应用。
SU-8 3000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 3000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚的、化学和热稳定的图像。SU-8 3000 是 SU-8 和 SU-8 2000 的改进配方，多年来一直被 MEMS 生产商广泛使用。SU-8 3000 的配方可提高附着力并降低涂层应力。SU-8 3000 的粘度范围允许单层涂层的薄膜厚度为 4 至 100 μm。SU-8 3000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构，超过 5:1。SU-8 3000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。SU-8 3000 最适合在设备上成像、固化和保留的永久性应用。