XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System光发射
纳米 - 扭曲的双层钨二硫化物的调查
在扭曲的双层系统中观察到的多样化和有趣的现象，例如石墨烯和过渡金属二核苷，引发了有关它们可能托管的新兴效应的新问题。然而，在足够大以进行光谱研究的规模上实现这些结构的实际挑战仍然是一个巨大的障碍，导致直接测量扭曲过渡金属二甲基化元素双层的电子带结构的直接测量很少。在这里，我们提出了一个系统的纳米级角度分辨光发射光谱调查，对散装，单层和扭曲的双层WS 2的光发射调查，小扭曲角为4.4°。实验结果与基于高对称方向的密度函数理论的理论计算进行了比较。出乎意料的是，电子带结构的测量表明，结构弛豫以4.4°扭曲角出现，并形成了大型，不WIST的双层区域。
可视化连续梁透射电子显微镜中的站立光波
摘要：通过同源物检测对限制光场的相位分辨成像是纳米光学和光子学中计量学的基石，但是到目前为止，其在电子显微镜中的应用已受到限制。在这里，我们通过在连续梁透射电子显微镜中用飞秒光脉冲照明来报告波导结构中光模式的映射。多光子光发射会导致雷伦兹显微镜图像的远期充电模式。所得图像的对比与驻光波的强度分布有关，并在分析模型中进行了定量描述。该方法的鲁棒性以更宽的参数范围和更复杂的样品几何形状（包括微型和纳米结构）展示。我们讨论了对电子显微镜的基于光学显微镜的进一步应用，并与原位光学激发奠定了基础，为传播光场的相位分辨成像成像奠定了基础。关键字：超快传输电子显微镜，非线性光发射，洛伦兹显微镜，站立光波，波导模式，飞秒激光■简介
双极三层有机发光晶体管中电荷注入、电子传输和量子效率之间的相互作用
有机发光二极管 (OLED) 显示器的广泛使用推动了 OSC 逐渐渗透到日常生活中。[5] 低功耗、重量轻、亮度高、发光效率高和响应时间快等一系列技术优势推动了 OLED 作为传统液晶显示器的替代品的应用。[6] OLED 是一种纳米厚的半导体器件，在施加合适的电偏压时能够产生光子。然而，OLED 的垂直结构要求光子至少穿过一个电极，由于光腔效应和电极透明度有限，这对器件特性造成了很大限制。[7,8] 在这一背景下，有机发光晶体管 (OLET) 在过去十年中备受关注，因为它能够通过简单的平面结构将晶体管的逻辑开关功能与光发射相结合。 [6,9,10] 最重要的是，光发射可以调节到远离金属电极的位置。[11] 因此，对于 OLED，由于可以避免不希望的猝灭和光学效应，因此可以预测光学效率可能会提高。此外，平面 OLET 结构为实现具有复杂功能的集成系统提供了关键特性。[12,13] 在 OLET 中，
双极三层有机发光晶体管中电荷注入、电子传输和量子效率之间的相互作用
有机发光二极管 (OLED) 显示器的广泛使用推动了 OSC 逐渐渗透到日常生活中。[5] 低功耗、重量轻、亮度高、发光效率高和响应时间快等一系列技术优势推动了 OLED 作为传统液晶显示器的替代品的应用。[6] OLED 是一种纳米厚的半导体器件，在施加合适的电偏压时能够产生光子。然而，OLED 的垂直结构要求光子至少穿过一个电极，由于光腔效应和电极透明度有限，这对器件特性造成了很大限制。[7,8] 在这一背景下，有机发光晶体管 (OLET) 在过去十年中备受关注，因为它能够通过简单的平面结构将晶体管的逻辑开关功能与光发射相结合。 [6,9,10] 最重要的是，光发射可以调节到远离金属电极的位置。[11] 因此，对于 OLED，由于可以避免不希望的猝灭和光学效应，因此可以预测光学效率可能会提高。此外，平面 OLET 结构为实现具有复杂功能的集成系统提供了关键特性。[12,13] 在 OLET 中，
分子级诱导电荷转移在C60 ...
摘要：我们在拓扑绝缘子（TI）BI 4 TE 3上合成和光谱研究了单层C 60。此C 60 /BI 4 TE 3异质结构的特征是在BI 4 TE 3的A（9×9）细胞（9×9）细胞上的小说（4×4）C 60上层结构中出色的翻译顺序。C 60 /BI 4 TE 3的角度分辨光发射光谱（ARPE）表明，ML C 60在室温下接受Ti的电子，但在低温下没有电荷转移。通过拉曼光谱，光致发光（PL）和C 60 /BI 4 TE 3的计算进一步研究了这种依赖温度的掺杂。在低温下，拉曼光谱和PL显示C 60相关信号的强度急剧增加，这表明过渡到旋转有序状态。计算解释了C 60吸附到BI 4 TE 3表面缺陷的电荷转移。电荷转移的温度依赖性归因于C 60的方向顺序。由于旋转运动的冻结，C 60的电子亲和力在低温下增加。关键字：拓扑绝缘子，富勒烯，角度分辨光发射，拉曼，光致发光
观察固体中电子结晶石
由Yonsei大学Keun Su Kim领导的研究团队，由韩国国家研究基金会（Leader Grant）资助，报告了第一次实验性发现了固体中原子级电子结晶石（于2024年10月出现在自然界中）。 通过角度分辨光发射光谱法，他们测量了从碱金属到黑色磷光表面掺杂的电子的能量摩孔关系。 虽然能量摩托车的关系必须在晶体系统中定期定期，但他们发现原子级电子结晶物期望的令人震惊的上周期关系。由Yonsei大学Keun Su Kim领导的研究团队，由韩国国家研究基金会（Leader Grant）资助，报告了第一次实验性发现了固体中原子级电子结晶石（于2024年10月出现在自然界中）。通过角度分辨光发射光谱法，他们测量了从碱金属到黑色磷光表面掺杂的电子的能量摩孔关系。虽然能量摩托车的关系必须在晶体系统中定期定期，但他们发现原子级电子结晶物期望的令人震惊的上周期关系。
和动量解决的光发作研究使用时间...
超快泵和探针脉冲的时间分辨光发射是一种具有广泛应用潜力的新兴技术。实时记录非平衡电子过程，化学反应中的瞬态状态或电子和结构动力学的相互作用为未来的研究提供了有趣的机会。将价值波段和核心水平光谱与用于电子，化学和结构分析的光电子衍射相结合，需要少数10 fs的软X射线脉冲，其中大约10 MeV光谱分辨率，目前可在高复兴速率的频率射击器激光器下可用。我们已经构建并优化了在Flash/pg2上委托使用的多功能设置，该设置将自由电子激光功能和用于光发射研究的多维录制方案结合在一起。我们使用带有飞行时间记录的全场成像动量显微镜作为以空前效率（k x，k y，e）参数空间（k x，k y，e）映射的检测器。我们的仪器可以在几个EV的结合能量范围内成像最多7Å-1直径的全表面布里渊区，同时解决约2.5×10 5数据素体。在36.5 eV和109.5 eV的光子能量下测量的范德华半导体WSE 2中使用超快激发态动力学
Bloch状态的逐层拆卸
摘要：按层材料工程产生了有趣的量子现象，例如界面超导性和量子异常效应。但是，探测41个电子状态逐层仍然具有挑战性。这是42理解磁性拓扑绝缘子中拓扑电子状态的层起源的难度来体现的。43在这里，我们报告了磁性44拓扑绝缘子（MNBI 2 TE 4）（BI 2 TE 3）上的层编码频域光发射实验，该实验表征了其电子状态的起源。45红外激光激发启动连贯的晶格振动，其层索引由46个振动频率编码。然后，光发射光谱谱图跟踪电子动力学，其中47层信息在频域中携带。这种层频面的对应关系揭示了拓扑表面状态从顶部磁性层从顶部磁性层转移到埋入的49二层中的48波函数重新分配，从而核对了在50（MNBI 2 TE 4）中消失的破碎对称能量间隙（BI 2 TE 4）（BI 2 TE 3）及其相关化合物。可以将层频率对应关系51在一类宽类的范德华52个超级晶格中划分为逐层划分的电子状态。53
通过光学等离子体发射的贝叶斯优化控制成分的氮化物薄膜的自主溅射合成
自主实验已成为加速材料发现速度的有效方法。尽管自主合成仪器在分子和聚合物科学、混合材料溶液处理和纳米颗粒领域已变得流行，但用于物理气相沉积的自主工具的例子却很少，但对半导体行业却很重要。在这里，我们报告了一种自主工作流程的设计和实施，用于溅射沉积具有受控成分的薄膜，利用由 Python、光发射光谱 (OES) 和贝叶斯优化算法定制控制的高度自动化溅射反应器。我们将通过 X 射线荧光测量的薄膜成分建模为在 N 2 和 Ar 气氛中从元素 Zn 和 Ti 靶共溅射期间监测的等离子体发射线的线性函数。由 OES 提供信息的贝叶斯控制算法通过最小化所需和测量的光发射信号之间的绝对误差来导航溅射功率空间以制造具有用户定义成分的薄膜。我们通过自主制造 Zn x Ti 1 − x N y 薄膜验证了我们的方法，这些薄膜与目标阳离子成分的偏差相对为 ± 3.5%，即使对于 15 纳米的薄膜也是如此，这表明所提出的方法可以可靠地合成具有特定成分的薄膜，并且人为干扰最小。此外，所提出的方法可以扩展到更困难的合成实验，其中等离子体强度线与压力呈非线性关系，或者元素粘附系数与基板温度密切相关。
欧洲简历格式
ID N . 11300 – 个人研究工程师（意大利语：T ECNOLOGO）– 三级 2012 年 12 月/至今 国家研究委员会 (CNR) - 微电子与微系统研究所 (IMM)，Agrate Brianza Unit，Via Olivetti 2, 20864, Agrate Brianza (MB)，意大利 公共机构常设研究工程师（意大利语：Tecnologo）。技术领域：支持研究。主题：科学仪器和流程管理。 （Bando n. 364/114，Prot. AMMCNT CNR n.79896 28/12/2012；Prot. AMMCNT CNR n.8704 13/02/2013；Prot. IMM CNR n.769 31/01/2013）主要研究课题：I – 2D 材料（过渡金属二硫属化物，TMD）的各向异性工程：通过化学方法生长并主要通过 X 射线光电子能谱和拉曼光谱进行表征；目标应用在纳米电子学、光子学、光电子学、催化领域。 II – 通过 X 射线散射、X 射线光发射光谱和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS）对薄膜和多层膜的结构和化学物理特性进行表征，以便将其集成为双极 CMOS-DMOS（BCD）技术平台中的大电容器。III – （1）具有垂直磁各向异性的铁磁材料（PMA）和（2）非磁性材料，用于作为磁性结和自旋注入/过滤器中的隧道屏障；（3）稀磁氧化物（DMO）。研究结构和化学性质与磁性和磁输运性质之间的相关性。通过 X 射线散射（包括同步光）、X 射线光发射和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS、XRMS）对薄膜和多层膜的结构和化学物理进行表征，例如：（1）铁磁材料（Co、Fe、CoFe、CoFeB、Co/Ni）； (2) 非磁性材料（即 MgO、AlO x ）；(3) 稀磁氧化物（Fe、Ni 掺杂的 ZrO 2 ）。IV – 通过 X 射线散射、X 射线光发射和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS）研究高介电常数电介质或相变合金的 CMOS 兼容性在工艺集成中的热稳定性，以用于新兴的非挥发性存储器（TANOS、RRAM、PCM、MRAM）。V – 通过 X 射线散射（主要是 XRD）对先进 MEMS 设备中集成的压电材料进行表征。