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World File Search System光吸收
基于近红外波长的透明导电氧化物基于透明的导电氧化物
抽象的片上光电探测器是光学通信中必不可少的组件，因为它们将光转换为电信号。光压计是光电探测器的类型，它通过在光吸收时由电子温度波动引起的电阻变化起作用。它们被广泛用于从紫外线到mir的宽波长范围，并且可以在宽大的材料平台上运行。在这项工作中，我引入了一种新型的波导集成剂量计，该重点在标准材料平台上从NIR到MIR以透明的导电氧化物（TCO）作为活性材料运行。此材料平台可以使用相同的材料同时构建调制器和光电探测器，该材料完全兼容CMO，并易于与被动芯片组件集成。此处提出的光压计由放置在肋光子波导内部的薄质TCO层组成，以增强光吸收，然后将TCO中的电子加热至高于1000 K的温度。电子温度的升高导致电子迁移率降低电子迁移率和导致的电阻变化。因此，只需几乎没有光学输入功率的微量流量，就可以达到超过10 A/W的响应率。计算表明，通过较低的TCO掺杂，可以预期进一步改进，从而在片上光电探测器中打开新的门。
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a型光子晶体具有更高的折射率对比度的周期性调制，从而带来了独特的光子带隙。在这项工作中，通过有限差分时间域（FDTD）方法研究了薄膜硅太阳能电池的光学性能。分布的bragg repetor（dbr）和纳米词被整合为背面反射器，该反射器认可硅太阳能电池中的光子模式。由于较高的光谱区域吸收有限，光捕获方案在太阳能电池中起关键作用。为此，使用具有数值模拟的光子射线理论来研究各种硅太阳能电池结构，以更好地吸收光吸收。此结果表明与参考细胞相比，DBR和纳米射击的结合能力，并产生高度相对增强的59％，而参考细胞认可了Fabry-Perot共振和光伏设备中的指导模式。这些结果显示出具有增强光吸收的薄膜硅太阳能电池的希望。k eywords dbr，纳米摩擦，硅，薄膜，fdtd f或citation dubey R.S.，Saravanan S.在薄纤维硅太阳能细胞中分布的bragg的反射和纳米旋转的影响。纳米系统：物理。化学。数学。，2022，13（2），220–226。
柔性结晶β-GA2O3太阳灯光光电探测器
本文报告了基于β-GA 2 O 3纳米膜（NM）的柔性光电探测器（PDS）及其光电特性在弯曲条件下的证明。柔性β-GA 2 O 3 nm PDS在弯曲条件下表现出可靠的太阳灯光检测。有趣的是，在弯曲条件下观察到了最大太阳盲图的波长略有变化。为了研究这种峰值变化的原因，测量了不同应变条件下β-GA 2 O 3 nms的光学特性，并揭示了由于β-GA 2 O 3 Nms中纳米级裂纹而导致的折射指数，灭绝系数和应变的β-GA 2 O 3 Nms的带隙。多物理学模拟和严密功能理论的计算结果的β-GA 2 O 3 nms表明，传导带的最小值和价带的最大状态几乎与施加的单轴菌株线性移动，从而导致β-GA 2 O 3 Nm的光学性质变化。我们还发现，β-GA 2 O 3 nm中的纳米间隙在弯曲条件下在弯曲条件下增强β-GA 2 O 3 nm PD的光自抑制至关重要，这是由于二次光吸收的光吸收了纳米间隙表面的光。因此，这项研究提供了一条可行的途径，以实现高性能灵活的光电探测器，这是将来的灵活传感器系统中必不可少的组件之一。
引用：Sharbirin AS，Kong RE，Mato WB等。通过与Ti 2 N
二维（2D）过渡金属二北元化（TMD）是原子上薄的半导体，在整个可见光谱中具有有希望的光学应用。然而，它们本质上弱的光吸收和低光质量量子产率（PLQY）限制了它们的性能和潜在用途，尤其是在紫外线（UV）波长光范围内。衍生自2D材料（2D/QD）的量子点（QD）提供有效的光吸收和发射，可以调节能量的光波长。在这项研究中，我们通过与2D/QD的杂交（尤其是Ni-Tride MXENE MXENE MXENE MXENE MXENE MXENE QD（TI 2 N MQD）和nitride nitride QD）（GCD）（GCD）（GCD）（GCNQ）（GCNQ）（gcnqd），通过杂交与2D/QD杂交在UV范围内大大增强了单层（1L）二硫键（WS 2）的光子吸收和PLQ。With the hybridization of MQD or GCNQD, 1L- WS 2 showed a maximum PL enhancement by 15 times with 300 nm wavelength excitation, while no noticeable enhance- ment was observed when the excitation photon energy was less than the bandgap of the QD, indicating that UV absorp- tion by the QD played a crucial role in enhancing the light emission of 1L-WS 2 in our 0D/2D混合系统。我们的发现提出了一种方便的方法，用于增强1L-WS 2的光响应到紫外线，并为使用1L-TMD收集紫外线能量提供令人兴奋的可能性。
激光遥感——空战新工具
一种替代方法，称为光吸收光谱（“吸收光谱”），解决了基于发射方法的许多局限性。吸收光谱涉及通过目标介质传递已知光谱特性的光，并观察到波长被培养基吸收。特定的分子将在特定波长上引起共鸣（振动），这样就可以在该波长下吸收光。与发射光谱法不同，它要求将目标培养基加热至合适的温度，吸收光谱利用了测量设备提供的光源，这通常是合适的波长（颜色）的单色激光器或激光器。由于激光具有已知的波长特性，因此不一定要加热目标介质
GaAs/AlGaAs 核壳纳米线中 GaAs 近带边跃迁的增强光学吸收：对纳米线太阳能电池的影响
摘要：密集的核-壳纳米线阵列具有作为超吸收介质用于制造高效太阳能电池的巨大潜力。通过对室温光反射 (PR) 光谱的详细线形分析，采用 GaAs 复介电函数的一阶导数高斯和洛伦兹模型，我们报告了具有不同壳厚度的独立 GaAs-AlGaAs 核-壳纳米线的 GaAs 近带边吸收特性。纳米线 PR 光谱的线形分析返回了能量在 1.410 和 1.422 eV 之间的双重共振线，这归因于 GaAs 纳米线芯中的应变分裂重空穴和轻空穴激子吸收跃迁。通过对 PR 特征的 Lorentzian 分析评估的激子共振光振荡器强度表明，与参考平面结构相比，纳米线中的 GaAs 带边光吸收显著增强（高达 30 倍）。此外，将积分 Lorentzian 模量的值归一化为每个纳米线集合内的总 GaAs 核体积填充率（相对于相同高度的平面层估计在 0.5-7.0% 范围内），从而首次实现了 GaAs-AlGaAs 核-壳纳米线的 GaAs 近带边吸收增强因子的实验估计，该因子在 22-190 范围内，具体取决于纳米线内核-壳结构。如此强的吸收增强归因于周围的 AlGaAs 壳（在目前的纳米结构中，其平均厚度估计在 ∼ 14 到 100 纳米之间）对入射光进入 GaAs 核的波导改善。关键词：III-V 化合物、GaAs-AlGaAs 核-壳纳米线、光反射光谱、近带边跃迁、增强光吸收、纳米线太阳能电池■简介
KSA强盗技术注释 - 乐队边缘温度计
KSA匪徒利用半导体固有的带隙的温度依赖性来测量温度。使用此技术，样品可以扩散反射或传输适当的波长范围内的光。在此过程中，样品可以通过将其某些能量转移到价带中的电子，从而选择性地吸收足够的能量，从而将其促进到传导带。但是，缺乏所需能量的光可以通过样品。从吸收到传输的过渡的能量定义了样品的光吸收边缘，并且取决于温度。ksa匪徒使用固态光谱仪分析了扩散反射或发射光的光谱，以确定吸收边缘的波长，通过一组材料特异性校准曲线将其转换为温度。
评论文章 二维材料的偏振相关光学特性和光电器件
光电器件的发展需要在新材料体系和新器件机制上不断突破，需求从信号强度和响应度的检测转向对偏振态信息灵敏度的探索。二维材料是一个丰富的家族，具有多样化的物理和电子特性，可用于偏振器件，包括各向异性材料、谷电子材料和其他混合异质结构。在本文中，我们首先回顾了二维材料中偏振光相关的物理机制，然后详细描述了光学和光电特性，包括拉曼位移、光吸收和光发射以及功能光电器件。最后，对未来的发展和挑战进行了评论。大量的二维材料及其异质结构为偏振相关的科学发现和光电器件应用提供了希望。