摘要:已经进行了开放式Z扫描测量,以分别研究800 nm和1030 nm波长的三个光子(3 pa)和四光子吸收(4 PA)系数,并在一致和stoichiomempricmetricmempric niobate中(CLN,SLN,SLN),与不同的Concen-Concen-concen-concen-trations一起使用。两个波长的激光脉冲持续时间为40 fs和190 fs。晶体内部的峰强度在约110至550 GW/cm 2之间变化。使用理论模型评估了3 PA和4 PA系数,结果表明它们的最小值位于MG掺杂水平或周围,与抑制CLN和SLN的光差异相对应。此结果可以归因于晶体缺陷对3 PA和4 PA过程的贡献。此外,在1030 nm处的4 pa在相同的强度水平下在800 nm处表现出比3 pa更大的非线性吸收。讨论了这种意外行为的可能原因。总体而言,比较这些晶体的3 pa和4 pA值将使选择LN晶体的最佳组成,以进行有效的THZ产生以及其他需要高泵强度的非线性光学过程。
通过时间分辨的吸收和荧光光谱研究,研究了荧光日二烯(FDAE)衍生物的荧光二乙烯(FDAE)衍生物的激发态动力学的抽象近红外两光子吸收和激发态动力学。用量子化学计算进行预筛选预测,封闭环异构体中用甲基噻酯基(MT-FDAE)的衍生物具有两光子的吸收横截面 - 大于1000 GM,这是通过Z-SCAN的测量和激发功率依赖于瞬时吸收的实验证实的。比较在一光子和同时的两光子激发条件下瞬时吸收光谱的比较表明,在CA的时间表上,在三个途径上停用了较高激发态的MT-FDAE的闭合环异构体。200 fs:(i)比单光过程,(ii)内部转换到s 1状态的环反应反应的效率更高,(iii)放松到与s 1状态不同的较低状态(s 1'状态)。时间分辨的荧光测量结果表明,该S 1'状态被放松到S 1状态,具有较大的排放概率。在本工作中获得的这些发现有助于以两光子的方式扩展FDAE到生物学窗口的开关切换能力,并应用于超分辨率荧光成像。
光合作用是由太阳的单个光子1-3引发的,作为弱光源,在叶绿素吸收带1中,每秒最多每秒几十个光子每秒传递几十个光子。在过去的40年中,在过去的40年中,许多实验和理论工作探索了在光合作用中吸收光合作用的事件,从而吸收了强烈的超短激光脉冲2-15。在这里,我们使用单个光子在环境条件下激发了紫色细菌的紫obacter sphaeroides的轻度收获2(LH2)复合物,分别包含9和18个细菌氯植物分子的B800和B850环。B800环的激发在大约0.7)ps中导致电子能量转移到B850环,然后在约100-FS的时间尺度上快速B850至B850 Energy Transfers在850–875时(参考)NM(参考)。16–19)。使用宣传的单光子源20,21以及一致计数,我们建立了B800激发和B850 Fuoresence发射的时间相关函数,并证明这两个事件都涉及单个光子。我们还表明,每个检测到的插入光子光子的概率分布支持这样一种观点,即吸收后单个光子可以驱动随后的能量传递和实现发射,因此,通过扩展,光合作用的主要电荷分离。一个分析随机模型和蒙特卡洛数值模型捕获了数据,进一步缔结了单个光子的吸收与自然光收获复合物中单个光子的发射相关。
https://doi.org/10.26434/chemrxiv-2024-gm4g2 orcid:https://orcid.org/0000-0000-0002-7161-5155 content content content content content note contect content consect consect consemrxiv consemrxiv note contem许可证:CC BY-NC-ND 4.0
最近的研究表明,使用非经典光状态(例如纠缠光子对)可能会为实验性双光子吸收光谱开辟新的令人兴奋的途径。尽管对纠缠双光子吸收 (eTPA) 进行了几项实验研究,但关于 eTPA 是否真正被观察到仍然存在激烈的争论。这场有趣的争论之所以出现,主要是因为最近有人认为单光子损耗机制(例如散射或热带吸收)可能模仿预期的纠缠光子线性吸收行为。在这项工作中,我们专注于 eTPA 的透射测量,并在评估 eTPA 的背景下探索了三种不同的双光子量子干涉仪。我们证明所谓的 N00N 状态配置是唯一一种被认为对线性(单光子)损耗不敏感的配置。值得注意的是,我们的结果表明,N00N 状态可能成为量子光谱学的潜在强大工具,使其成为任意样本中 eTPA 认证的有力候选者。
通过材料厚度非线性传输和 Z 扫描技术,研究了用 775 nm、1 kHz 飞秒激光脉冲激发的多晶硒化锌 (ZnSe) 的光学非线性。测得的双光子吸收系数 β 与强度有关,推断 ZnSe 在高强度激发下也与反向饱和吸收 (RSA) 有关。在低峰值强度 I < 5 GW cm –2 时,我们发现 775 nm 处的 β = 3.5 cm GW –1。研究了宽蓝色双光子诱导荧光 (460 nm-500 nm) 的光谱特性,在带边附近表现出自吸收,而上能级寿命测得为 τ e ~ 3.3 ns。在光学腔内泵浦 0.5 毫米厚的多晶 ZnSe 样品时观察到受激辐射,峰值波长 λ p = 475 nm 时,谱线明显变窄,从 Δ λ = 11 nm(腔阻塞)到 Δ λ = 2.8 nm,同时上能级寿命也缩短。这些结果表明,在更优化的泵浦条件和晶体冷却下,多晶 ZnSe 可能通过 λ = 775 nm 的双光子泵浦达到激光阈值。
图2 LIDT测量的实验设置:λ /2-半波长相板,p-偏振器,w-楔子,l-镜头,镜头,pm -power仪。在这里:红色箭头 - 泵辐射(1.03 µm),绿色箭头 - 泵的第二个谐波(0.515 µm); b)YB的自相关轨迹:kgw(Pharos)辐射,通过自相关器(GECO,Light Conversion Co,Ltd)和C)571 kHz和298 fs的LIDT测量测量(P OUT-输出功率,P IN- IN -ID IND -ID型泵送功率)。
摘要:近年来,基于硅的非线性光子学已在电信波长上进行了广泛的研究。然而,在中红外波长的硅中对硅非线性的研究仍然有限。在这里,我们报告了光谱中三阶非线性的波长依赖性范围从1.6 µm到6 µm,以及在同一范围内的多光子吸收系数。在波长为2.1 µm的波长下,以1.65×10-13 cm 2 /w的峰值为1.65×10-13 cm 2 /w测量三阶非线系数n 2,然后以非线性折射率n 2的衰减,最高2.6 µm。我们的最新测量值将波长扩展到6 µm,n 2的急剧降低超过2.1 µm,并且稳步保持在3 µm以上。此外,在2.3 µm至4.4 µm的波长范围内同时进行三光子吸收和四光子吸收过程的分析。此外,详细讨论了多光子吸收对硅非线性功绩的影响。
激光量热计是一种广泛用于测量可用激光源的波长的小线性吸收的设备。这样的仪器可以使用1-W激光测量少于10 5中的一部分。1量热计测量由于LL过程所引起的总吸收,包括两光子吸收的强度依赖性现象(TPA)。因此,本文描述的实验技术是基于对激光强度的函数的总吸收的测量。CDTE和CDSE中总吸收的量热测量作为1。06-J.LM激光强度用于获得这些材料的线性和TPA系数。可以通过使用一个简单的模型来理解结果,用于衰减,距离有距离的距离,并通过正确考虑样本中的多种反射。