加州《可持续地下水管理法》(SGMA)要求限制地下水抽取量,再加上气候变化的影响,正在迫使水资源管理者、农民和社区减少用水量,同时保持农作物产量并提高社会和环境复原力。多效土地再利用是一个有前途的解决方案,它涉及将灌溉农业用地转变为促进节水的用途,并使社区和生态系统受益。在某些情况下,农民可以获得补偿,以将他们的农田转变为其他有益用途,例如公园、栖息地走廊、新的社会经济机会、非灌溉牧场、清洁工业和可再生能源的空间以及野生动物友好的多效补给盆地(EDF 2021;Fernandez-Bou 等人 2023)。农光伏和生态光伏展示了如何通过安装太阳能电池板将清洁能源融入多效益土地再利用项目中,同时转向其他有益活动,例如过渡到耗水量较少的作物、覆盖作物、栖息地恢复和非灌溉牧场。农光伏和生态光伏有助于实现清洁能源生产、能源弹性和节水目标,同时为土地所有者和农民提供额外的收入来源。作为土地管理整体方法的一部分,农光伏和生态光伏代表了创新解决方案,支持农村社区的长期可持续性和弹性并保护其农业遗产(Adeh、Selker 和 Higgins 2018;Sturchio 和 Knapp 2023;Tölgyesi 等人 2023;Warmann、Jenerette 和 Barron-Gafford 2024)。
人们正在考虑在下一代光刻节点中使用 Ta 基吸收体的替代品,以减少 3D 掩模效应并通过相位干涉改善图像调制。低复折射率 (n-ik) 材料可以在比传统吸收体所需厚度更薄的情况下提供相移行为,本质上充当衰减相移掩模 (attPSM) 膜。确定 attPSM 吸收体厚度和随之而来的相位需要确定最佳相移掩模反射率。使用高反射率吸收体进行成像可显示出更好的成像性能。吸收体厚度是在干涉效应导致高吸收体反射率的地方确定的。因此,低折射率 (n) 材料是理想的 attPSM 吸收体候选材料。使用维纳边界和有效介质近似 (EMA) 建模确定的低 - n 材料组合使用吸收体反射率在线空间和接触孔图案针对 NILS 和 MEEF 进行优化。使用反射近场强度成像将接触孔最佳厚度的吸收体候选物与传统的 Ta 基吸收体进行了比较。
使用 EUV 光刻技术不断缩小尺寸的需求为图案化材料和工艺带来了挑战和机遇。缩小 BEOL 互连结构是提高功能设备性能的关键要素。在本文中,我们研究了各种因素对 EUV 单次曝光通孔图案化的影响,以找到缩小临界尺寸 (CD) 的有效策略,从而提高临界尺寸均匀性 (CDU) 和局部临界尺寸均匀性 (LCDU) 并降低缺陷率。这项工作基于在最小水平互连线间距为 28nm 时图案化片上系统 (SoC) 随机逻辑通孔层,这是使用 0.33 NA EUV 工具进行单次曝光互连的极限。该设计使用激进的 3/2 CPP/Mx 齿轮比,相当于 38nm 到 34nm 间距的正交通孔阵列,从而检查主要图案化参数和照明源与矩形通孔的 OPC 处理共同优化的影响。将通孔图案转移到底部电介质,以研究 LCDU 的演变和蚀刻过程中的缺陷率。