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World File Search System光电子学
硅基光电子学
近半个世纪以来，硅基微电子技术与光纤通信引发了一场影响深远的信息技术革命，将人类社会带入了高速信息时代，对通信容量和速率的需求呈指数级增长，而数据中心和高性能计算则面临着电互连速度、带宽、能耗等瓶颈制约，硅基光电子技术成为突破这些瓶颈的关键技术。硅凭借折射率高、可容纳小型有源元件、与CMOS兼容工艺等优势，可以在微芯片上以低成本、低能耗实现大规模光电集成，成为芯片产业的热门选择。此外，硅基光电子技术还催生了中红外通信、微波光电子学、片上实验室、量子通信、光电计算、芯片级激光雷达等一系列新的研究领域。本期特刊“硅光子学的最新进展”涵盖了该领域器件和应用的最新发展。本期特刊包含五篇评论文章和四篇原创研究文章，重点关注数据中心相干互连、光电计算、集成量子电路和硅基光电混合集成中的关键器件及其应用。
光电子学与光电子器件的优化...
摘要。本文采用计算机建模方法，考虑优化基于热管和冷却环的被动空气系统设计，以冷却大功率 LED 灯具。研究了冷却系统的热特性和质量特性，设计参数包括环间距离、环材料厚度和热负荷。结果表明，为了使 LED 光源外壳温度最小，冷却环之间的最佳距离应为 6 毫米，但在这种情况下，冷却系统的质量并不最小。为了降低灯具质量，选择冷却环之间的距离等于 8 毫米是合理的。这样，光源温度仅增加 1.8°С，即 2.2%，而冷却系统的质量减少 1357 克，即 20.5%。同时，将环厚度从 2 毫米降低到 0.8 毫米，还可以将质量减少 2700 克，即 48.6%。然而，这样做时 LED 光源外壳的温度会升高 5.9°С 。所提供的基于热管的冷却系统在 LED 光源晶体最高温度 135.5°С 下分散 500W 热功率时能够提供 0.131°С/W 的热阻。已经制定了开发冷却系统的应用建议。
铁卤化物钙钛矿光电子学
注意：本稿件由 UT-Battelle, LLC 撰写，合同编号为 DE-AC0500OR22725，与美国能源部签订。出版商接受发表本文，即承认美国政府保留非独占、已付费、不可撤销的全球许可，可出于美国政府目的出版或复制本稿件的已出版形式，或允许他人这样做。能源部将根据 DOE 公共访问计划 (http://energy.gov/downloads/doe-public-access-plan) 向公众提供这些联邦资助研究的成果。
铁卤化物钙钛矿光电子学
注意：本稿件由 UT-Battelle, LLC 撰写，合同编号为 DE-AC0500OR22725，与美国能源部签订。出版商接受发表本文，即承认美国政府保留非独占、已付费、不可撤销的全球许可，可出于美国政府目的出版或复制本稿件的已出版形式，或允许他人这样做。能源部将根据 DOE 公共访问计划 (http://energy.gov/downloads/doe-public-access-plan) 向公众提供这些联邦资助研究的成果。
MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf - 无 MTBF
分立半导体。简介 .................................................................................... 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、射频） ........................................................................ 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子学、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子学、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子学、激光二极管 .............................................................................
太空飞行激光雷达、导航和科学仪器实现：激光器、光电子学、集成光子学、光纤子系统和组件
在过去的 25 年里，美国国家航空航天局 (NASA) 戈达德太空飞行中心工程理事会的光子学小组为许多科学和导航仪器的飞行设计、开发、生产、测试和集成做出了巨大贡献。从月球到火星的计划将在很大程度上依赖于利用商业技术来制造具有紧迫时间表期限的仪器。该小组在筛选、鉴定、开发和集成用于航天应用的商业组件方面拥有丰富的经验。通过保持适应性并采用严格的组件和仪器开发方法，他们与行业合作伙伴建立并培养了关系。他们愿意交流在包装、零件构造、材料选择、测试以及对高可靠性系统实施至关重要的设计和生产过程的其他方面的经验教训。因此，与行业供应商和组件供应商的成功合作使从月球到火星（及更远的地方）的任务取得了成功，同时平衡了成本、进度和风险状况。在没有商业组件的情况下，该小组与戈达德太空飞行中心和其他 NASA 现场中心的其他团队密切合作，制造和生产用于科学、遥感和导航应用的飞行硬件。这里总结了过去十年仪器开发的经验教训和从子系统到光电元件级别收集的数据。
飞秒激光双光子聚合技术的发展及 ...
[13] 燕超月 , 孙盛芝 , 刘小峰 , 等 .飞秒激光减材法制备透明材料 内部三维微纳连通结构研究进展 [J].激光与光电子学进展 , 2023, 60(21): 2100001.Yan C Y, Sun S Z, Liu X F, et al.Research progress on preparation of three - dimensional micro - nano connected structures in transparent materials by femtosecond laser material reduction method[J].Laser & Optoelectronics Progress, 2023, 60(21): 2100001.
《光电子学与先进材料杂志》第 24 卷，第 1-2 期，2022 年 1 月 - 2 月，第 69-73 页研究
光电子学与先进材料杂志 第 24 卷，第 1-2 期，2022 年 1 月 - 2 月，第 69-73 页 传统固相法合成的 Zn 掺杂钛酸钡陶瓷的结构和电学性能研究 EHSAN UL HAQ 1、MUHAMMAD RAMZAN ABDUL KARIM 2,*、KHURRAM IMRAN KHAN 2,*、WASEEM AKRAM 1、SYED SHABBAR HASSAN 1、FAHAD KASHIF 1 1 巴基斯坦拉合尔工程技术大学冶金与材料工程系，邮编 54890 2 巴基斯坦托皮-23640 GIK 工程科学与技术研究所材料与化学工程学院 钛酸钡 (BaTiO 3 ) 是一种具有压电和铁电性能的突出陶瓷材料。尽管在执行器、光电子器件和电容器中有着广泛的应用，但 BaTiO 3 的高响应时间和介电损耗限制了它的有效利用。氧化锌 (ZnO) 已成为多项研究中控制压电材料晶粒生长行为和介电性能的首选掺杂剂。在本研究中，通过常规固态方法将 0.02 wt.% 至 0.08 wt.% 的各种 ZnO 浓度添加到钛酸钡 (BaTiO 3 ) 中，然后在 1150 o C 下烧结 2 小时。在 X 射线衍射 (XRD) 分析中，所有掺杂剂浓度均未检测到第二相，表明所有添加的 ZnO 都已融入 BaTiO 3 中形成化学配方为 BaZn x Ti 1-
通过在离子注入掺杂的 4H-SiC 上脉冲激光沉积 MoS2 制备高度均匀的 2D/3D 异质结二极管
诸如厚度相关的带隙，这对于硅以外的超大规模数字电子学、光电子学和能源应用具有吸引力。 [1] TMD 的无悬挂键结构为实现高质量范德华异质结构与块体半导体提供了独特的可能性，从而实现利用界面电流传输的先进异质结器件。 [2–5] 特别是，单层或几层 MoS 2 与宽带隙半导体（如 III 族氮化物（GaN、AlN 和 AlGaN 合金）和 4H-SiC）的集成，目前在光电子学（例如，用于实现覆盖可见光和紫外光谱范围的高响应度双波段光电探测器）[6–11] 和电子学（例如，用于实现异质结二极管，包括带间隧道二极管）中越来越受到关注。 [12–17]