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直接激光在卤化物perovskites上写作
金属卤化物钙钛矿已成为光电学中改变游戏规则的半导体材料。作为一种有效的微型/纳米制造技术，直接激光写作（DLW）已广泛用于佩洛维斯基特（Perovskites）制造模式，微/纳米结构和像素阵列，以促进其光电的应用。由于钙钛矿的独特离子特性和柔软的晶格，DLW可以引入丰富的光 - 单词相互作用，包括激光消融，结晶，离子迁移，相位分离，光反应和其他过渡，从而启用了植物性质的多样性功能。基于它们的图案结构，钙棍蛋白酶在显示器，光学信息加密，太阳能电池，发光二极管，激光器，光电探测器和平面透镜中都有许多应用，在本综述中对此进行了全面讨论。最后，我们讨论了这个迷人领域的未来发展必须解决的挑战。
JHEP05（2021）034
摘要：我们介绍了针对介子的定向流V 1的研究，讨论了初始涡度和电磁场的影响。最近的研究预测，D Mesons的V 1预计将比带有光电的Hadron的V要大得多。我们澄清，这是由于一种不同的机制，导致在相对论和非偏见的能量上都形成了针对的流量。我们指出，只有在散装物质和魅力夸克之间存在漫长的dududinal不对称性，并且后者在QGP介质中具有较大的非扰动相互作用，才能生成非常大的V 1。如果能够正确预测D Meson的R AA（P T），V 2（P T）和V 3（P T），则与Star和Alice的数据达成了相当良好的协议。此外，V 1（Y）的堆积机制与相当小的地层时间相关联，该时间可以预期对魅力差异的初始高温依赖性更为敏感。我们还讨论了d 0和d 0的V 1的分裂，这再次远比观察到的充电颗粒观察到的电磁场要大得多，并且与Star的数据一致，但是，这些数据仍然与拆分本身相当，而在LHC标准电磁效率上却无法进行恒定的电导率，假设无法进行恒定的电导率，则无法对其进行稳定的量表。
![arxiv：2009.11066V1 [HEP-PH] 2020年9月23日](/simg/g:\will\search\icon\source\4\49858d717fe0b1cf942de6541db2ee93957d8f4d.webp)
arxiv：2009.11066V1 [HEP-PH] 2020年9月23日
我们介绍了针对介子的定向流量V 1的研究，讨论了初始涡度和电磁场的影响。最近的研究预测，D Mesons的V 1预计将比带有光电的Hadron的V要大得多。我们澄清，这是由于一种不同的机制，导致在相对论和非偏见的能量上都形成了针对的流量。我们指出，只有在散装物质和魅力夸克之间存在纵向不对称时，才能生成非常大的d介子的V 1，并且如果后者在QGP介质中具有较大的非扰动相互作用。如果能够正确预测D Meson的R AA（P T），V 2（P T）和V 3（P T），则与Star和Alice的数据达成了相当良好的协议。此外，V 1（Y）的堆积机制与相当小的地层时间相关联，该时间可以预期对魅力差异的初始高温依赖性更为敏感。我们还讨论了d 0和d 0的V 1的分裂，这再次远比观察到的充电颗粒观察到的电磁场要大得多，并且与Star的数据一致，但是，这些数据仍然与拆分本身相当，而在LHC标准电磁效率上却无法进行恒定的电导率，假设无法进行恒定的电导率，则无法对其进行稳定的量表。
基于可再生能源资源的水淡化系统的能源存储
摘要：三维有机金属金属卤化物钙钛矿是光电应用的出色材料，由于其特性，解决方案的加工性和成本效益。但是，缺乏环境稳定性极大地限制了它们的实际应用。在本文中，作者报告了使用Divalent N1-甲基丙烷-1,3-二千摩峰（N-MPDA）阳离子作为有机隔离器的稳定厘米长的二维（2D）混合钙钛矿（N-MPDA）[PBBR4]单晶。生长的单晶表现出稳定的光电性能，低阈值随机激光和多光子发光/多谐波生成。使用（N-MPDA）[PBBR4]单晶制造的光电传导装置表现出极好的光反应率（≈124aw-1在405 nm处），约4个幅度的幅度高于高度高于单次有机间隔的2D perovskites，较大的2D perovskites（例如，较大的特定率） （≈1012琼斯）。作为一种光学增益介质，（N-MPDA）[PBBR4]单晶表现出低阈值随机激光（≈6.5µJCM-2），具有角度依赖性窄线宽（≈0.1nm）和高质量因子（Q≈2673）。基于我们的结果，（N-MPDA）[PBBR4]单晶的出色光电优点将提供高性能设备，并充当动态材料，以构建稳定的未来电子产品和基于光电的应用程序。
三安半导体与 Luminus Devices 合作，将 SiC 和 GaN 功率半导体产品引入美洲
加州桑尼维尔，2024 年 1 月 8 日，宽带隙功率半导体材料、组件和代工服务领域的新兴领导者三安半导体宣布 Luminus Devices 为其在美洲的独家销售渠道。这是一个自然而然的选择，因为两家公司都是三安光电的子公司，三安光电是化合物半导体创新者和全球最大的 LED 芯片制造商。这种合作的时机非常理想，因为近年来，各种电力相关行业的客户都因交货时间过长而受到影响，尤其是碳化硅 (SiC) 晶圆、肖特基二极管和 MOSFET。三安最近在中国长沙完成了价值 20 亿美元的“超级工厂”的建设，现在有能力为客户提供交货时间短的产品和代工服务，大多数产品的交货时间最短为 8 周。这座超级工厂的产能也使三安成为中国最大的垂直整合 SiC 制造商，也是全球第三大制造商。三安计划专注于代工服务，为需要 SiC 基板、外延片或裸片安全供应的成熟半导体公司提供支持。同时，三安提供 SiC 肖特基二极管和 SiC MOSFET 的交钥匙解决方案，为可再生能源和各种应用领域的新兴客户提供支持，例如工业电源、风力发电、储能、电机驱动、数据中心、暖通空调、电动汽车 (EV) 充电、光伏和其他高功率场景，在这些场景中，SiC 的优势可提供必要的稳健性、价值和效率。
NEA-GAAS的光发射特性
我们已经研究了通过重复热预处理和负电子亲和力（NEA）激活周期制备的GAAS表面的光发射特性。表明，光发射效率随预处理序列发生了巨大变化。我们已经用两个具有不同量子效率的GAAS样品讨论了光发射特性，并发现量子效率随预处理序列的变化与量子效率的绝对值无关。此结果表明电子的发电和传递和发射是独立的过程。我们还讨论了新型的NEA激活方法，该方法有望改善光发射特性。I.引言碱金属在半导体表面上的吸附是从科学和实践的角度来看的重要系统，并且多年来已经对许多人进行了研究。例如，当电子亲和力的GaAS半导体大约为4 eV，因为大量条件会通过CS的交替供应和O 2（或NF 3）的交替激活，其表面的真空水平位于大量导带以下，并且该条件定义为负电子亲和力（NEA）。当光子能量在GAAS带隙能（E G = 1.4 eV）附近的激发灯照亮表面时，Valence Electron会激发到最小的传导带，并可以轻松逃脱到真空中。NEA-GAA具有很大的优势，例如自旋极化，低发射率，短束和高量子效率（QE）电子束，并且NEA-GAAS表面已被用作1970年代1的加速器的光（1）。碱金属在GAAS表面上的吸附已被广泛应用于各种场，但尚未详细阐明其吸附结构和光发射机制。将光发射过程的定性或现象学解释提出为Spicer的三个步骤模型2），并且吸附结构由多种模型（例如Hetero Junction，cluster或偶极模型3,4）预测。很难用碱金属和氧原子的几个单层观察到实际的NEA结构，因为在真空中，热环境和残留气体很容易降解NEA-GAAS表面。这些结构变化降低了NEA-GAAS光电的性能。最后，我们将简要提出新型的NEA激活方法。有可能改善光发性属性。
改进Cu2O光电座光电化学稳定性，phcccccu嫁接
cu 2 o光（光电极）可以产生很高的太阳能到水（STH）效率（≈18％），[6-8]，但它也容易在水溶液中的光接种，显示出非常稳定的稳定性。[9,10]这是因为Cu 2 O的氧化还原电位位于Cu 2 O的带隙内，从而使其可将其减少到Cu或氧化为CUO中，这极大地限制了Cu 2 O光电座在光电子体（PoperelectRocata-Lytic（Pec）（PEC）场中的应用。[11–15]因此，已经大量研究用于改善催化过程中Cu 2 O光阴极的稳定性。例如，可以通过原子层沉积（ALD）技术在其表面上添加缓冲层（ZnO，Ca 2 O 3）和在其表面上的protective层（tiO 2 O 3），可以通过原子层（ALD）技术在电解质溶液中的光（TiO 2 O 3）和弹性层（tio 2）进行有效缓解。[16,17]但是，由于液体过程和昂贵的设备，此方法不适合大规模生产。因此，通过结合G -C 3 N 4，[18-20] NIS，[21] FeOOH，[22,23] Cu 2 S，[24-26]和MOFS [24-26]和MOFS [27,28]，通过多样化的方法（例如，替代涂料，替代涂料）组合来形成连接，还可以提高复合Cu 2 O 2 O光阴极的稳定性。为了进一步提高Cu 2 O光电的光稳定性，需要通过可重复的过程和技术开发一些更有效的保护层材料。据报道，切断光电剥离和电解质溶液之间的反应可以有效抵抗其光腐蚀。此外，明显提高了Cu 2 O[29–31]铜苯乙酰基（pHCCCA）是一种新报道的金属有机聚合物半导体，具有出色的照片/热稳定性，可见光的光反应和高电子孔孔对分离效率。[32–36]最重要的是，它还显示出强的疏水性，静态水接触角为131.2°。[37]通过报道的光热方法，[16]高质量的pH c c c c cu Cu保护层被成功地自组装在Cu 2 O 2 O光（图1）的表面上（图1），有效地抑制了其光腐蚀，通过与电解液和O 2中的O 2分开其光腐蚀。在长期PEC实验后，通过构造的pH phcc cu/cu/cu 2 o光电座获得的稳定光电流密度显示出其出色的光稳定性，这也由稳定的晶体结构，形态和cu的价位证明。