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World File Search System光电设备
时间表第三学期（冬季学期2024/25）
e：光电设备和系统köppeui-nes-e-opto optoelectRonic optoelectronic设备和系统bar/0213/h第二周！（仅供参考：实用培训将在每个星期五下午两次进行，其中一个在Fraunhofer IPMS，一个在Fraunhofer IPMS-CNT中进行。您将在学期期间收到更多信息。）
M.Sc.加尔各答物理大学2018 Subhasis Roy博士，当前地位教育资格 dipankar -chattopadhyay.pdf-加尔各答 Swapan Chakrabarti 教育技术团队教学： - CBCS教学大纲 应用数学系 ccf-microbiology.pdf 本科教学大纲---电子（荣誉与一般） ccf-microbiology-revised.pdf debasri saha Abhijit Biswas
推荐读数1。J.D.ryder：网络，线和字段2。J. Millman和C. Halkias：综合电子3。J.D.Ryder：电子基本和应用4。J.肯尼迪：电子通信系统5。J. Millman和A. Grabel：微电子6。B.G. Streetman，S。Banerjee：固态电子设备7。 G.F.诺尔：辐射，检测和测量8。 sedra和Smith：微电子设备9。 taub and Schilling：数字集成电子10。 S.Y. LIAO：微波设备和电路11。 H.J. 帝国：微波原则12。 P. bhattacharyya：半导体光电设备13。 S.M. sze：半导体设备的物理学14。 Boylestad和Nashelski：电子设备和电路理论15。 A. D. Helfrick和W. D. Cooper：现代电子仪器和测量技术（印度Prentice Hall）B.G.Streetman，S。Banerjee：固态电子设备7。G.F.诺尔：辐射，检测和测量8。 sedra和Smith：微电子设备9。 taub and Schilling：数字集成电子10。 S.Y. LIAO：微波设备和电路11。 H.J. 帝国：微波原则12。 P. bhattacharyya：半导体光电设备13。 S.M. sze：半导体设备的物理学14。 Boylestad和Nashelski：电子设备和电路理论15。 A. D. Helfrick和W. D. Cooper：现代电子仪器和测量技术（印度Prentice Hall）G.F.诺尔：辐射，检测和测量8。sedra和Smith：微电子设备9。taub and Schilling：数字集成电子10。S.Y. LIAO：微波设备和电路11。 H.J. 帝国：微波原则12。 P. bhattacharyya：半导体光电设备13。 S.M. sze：半导体设备的物理学14。 Boylestad和Nashelski：电子设备和电路理论15。 A. D. Helfrick和W. D. Cooper：现代电子仪器和测量技术（印度Prentice Hall）S.Y.LIAO：微波设备和电路11。H.J.帝国：微波原则12。P. bhattacharyya：半导体光电设备13。S.M. sze：半导体设备的物理学14。 Boylestad和Nashelski：电子设备和电路理论15。 A. D. Helfrick和W. D. Cooper：现代电子仪器和测量技术（印度Prentice Hall）S.M.sze：半导体设备的物理学14。Boylestad和Nashelski：电子设备和电路理论15。A. D. Helfrick和W. D. Cooper：现代电子仪器和测量技术（印度Prentice Hall）
为超敏光检测的单晶紫磷制造
紫罗兰色磷（VP）因其独特的物理化学特性和光电应用中的潜力而引起了很多关注。尽管VP具有类似于其他2D半导体的范德华（VDW）结构，但在底物上直接合成VP仍然具有挑战性。此外，尚未证明由无转移VP akes组成的光电设备。在此，一种二辅助蒸气相传输技术旨在直接在SIO 2 /Si底物上生长均匀的单晶VP Akes。晶体VP平均的大小比以前的液体脱落样品大的数量级。用VP Akes制造的光电探测器显示出12.5 A W - 1的高响应性，响应/恢复时间为3.82/3.03 ms，暴露于532 nm光线后。此外，光电探测器显示出对高敏化光检测有益的小黑电流（<1 pa）。结果，探测率为1.38×10 13琼斯，与VDW P – N异质结探测器的检测率相当。结果揭示了VP在光电设备中的巨大潜力以及单晶半导体薄膜生长的CVT技术。
E5：微电子学 - ECE UNM
随着对小型和廉价设备的需求不断增长，该领域不断扩大。鉴于现代 MOS 技术中工艺几何尺寸的大幅缩小，主要关注领域通常是高性能 VLSI 电路设计和电子设计自动化 (EDA) 中的紧迫问题。该领域的研究包括 VLSI 电路设计、可重构计算、新兴纳米结构设备、可制造性设计、容错系统、三维集成、光电设备、嵌入式系统和硬件安全。
在日常生活中实现的真空技术-ULVAC
技术将继续以更快的速度发展，包括物联网*，这使一切都可以连接到互联网；大数据，分析和生成大量数据的新价值；以及AI，自动驾驶和EV，这得益于高级高速信息处理技术。具有新的汽车行业的一种新的社会工业结构即将来临。我们在全球范围内与领域的客户互动，例如非易失性内存，3D-IC，电信设备，传感器和光电设备，以开发创新的真空技术，并帮助客户实现开发和/或扩展生产。
M.Tech关于量子科学技术，IIT MADRAS 9月21日，量子科学技术（QUST）的M.Tech the M.Tech被视为训练M.Tech关于量子科学技术，IIT MADRAS 9月21日，量子科学技术（QUST）的M.Tech the M.Tech被视为训练
- CS5011: Introduction to Machine Learning - CS6111: Foundations of cryptography - CS7111: Advanced Topics in Cryptography - CS7260: Post-quantum Cryptography - EE5501: Photonics Laboratory - EE5110: Probability Foundations - EE5142: Introduction to Information and Coding theory - EE5160: Error control coding - EE5504: Fibre Optic Communication技术-EE6500：集成的光电设备和电路-EE6700：高级光子实验室 - EE7500：RF和Photonics的高级主题-ID5841：量子计算实验室-PH 5842 Quantum Information in Quantum Information
ICMAM-2.pdf - VelTech
材料研究中心实验室是 Vel Tech Rangarajan Dr. Sagunthala 科技研发研究所研究园区的研究实验室之一。材料研究中心实验室专门合成纳米材料、单晶、聚合物电解质和薄膜，用于各种应用。特别是用于废水处理、光电设备、生物应用、气体传感器、超级电容器和电池等。材料研究中心拥有多种用于合成材料的仪器，如熔炉、箱式炉（高温）、微波炉、磁力搅拌器、热风炉、离心机和高压釜等。未来，材料研究中心计划购买光反应器和紫外可见光谱仪来测试材料。
EoI-SCL 现代化.pdf
“抗辐射”技术用于太空应用设备，在全球范围内备受追捧。SCL 还开展了多项技术开发计划，例如用于高频/性能的 Si-Ge 技术、用于高压的 LDMOS 技术、扩大光电设备技术以进入红外成像、可见光和热图像传感器等新领域、用于太空硬件和其他类似应用的 CMOS-MEMS 集成和先进传感器。SCL 目前还在为 HEMT 设备引进 GaN-on-Si 技术，从而增强 SCL 的高功率/电压应用产品组合。可参阅 SCL 官方网站 (www.scl.gov.in) 查看包含前几财年运营、组织和财务详情的年度报告。