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World File Search System光电设备
铅主导的超精细相互作用影响卤化物钙钛矿中的载流子自旋动力学
其在光伏应用领域的研究引起了人们的兴趣，因为它们的量子效率已经达到了 25.5% [1]，而且还扩展到辐射传感 [2,3] 和各种光电设备。[4–7] 达到高质量 MAPbI 3 、FAPbI 3 和 CsPbI 3 单晶的极限，与 MA、FA 和铯 (Cs) 阳离子混合物的组合结构成为最先进的钙钛矿材料，提高了量子效率并将结构稳定性从几天延长到几个月。[2,8–10] 由于基本物理性质接近其母结构，因此所提出的 FA 0.9 Cs 0.1 PbI 2.8 Br 0.2 可作为铅卤化物钙钛矿类的有效模型系统。与传统的 III-V 和 II-VI 半导体相比，钙钛矿在某种意义上具有反转的能带结构：价带 (VB) 态由 s 轨道形成，而导带 (CB) 态由 p 轨道贡献。强自旋轨道耦合，特别是 Rashba 效应 [11–14] 也会交换电子和空穴的自旋特性。[15,16] 因此，与晶格核的超精细相互作用由空穴而不是电子主导。钙钛矿能带结构为光学跃迁提供了清晰的极化选择规则，因此结合
年轻，青少年大脑的科学和及时的职业决定
中红外（mir）光电设备对于夜视，热感应，自动驾驶汽车，自由空间通信和光谱术等多种应用至关重要。为此，利用无处不在的基于硅的加工已经成为一种有力的策略，可以通过使用IV组葡萄球菌（GESN）合金来实现。的确，由于它们与硅的兼容性及其覆盖整个MWIR范围的可调带隙能量，GESN半导体是用于紧凑且可扩展的miR技术的领先者平台。然而，GESN大晶格参数一直是限制硅晶片上GESN外交质量的主要障碍。这些局限性进一步加剧了，因为GE 1 -X SN X层和SN内容的异质结构至少比MWIR应用相关的设备结构需要至少一个数量级。在此制度中，生长的层通常在显着的压缩应变下，这会影响带隙的直接性并在γ点增加其能量，从而阻碍了设备的性能并限制了miR光谱的覆盖范围。这种压缩应变的积累不仅会影响频带结构，而且还限制了SN原子在生长层中的结合，从而使SN含量的控制成为艰巨的任务。
在两个...
摘要：发现原子薄层的材料（例如石墨烯和过渡金属二分法生化剂）在二维中揭示了对新型基本物理和设备应用的独特探索。表征它们的晶体对称性和随后的电子性能是重要的，即实现这些降低的尺寸系统的全部潜力，从根本上讲，这从根本上决定了拓扑，手性和丰富的界面物理学。第二次谐波生成（SHG）是一种非线性光学效应，对晶体对称性和电子结构敏感，这被证明是捕获本质物理学的最强大但最简单的技术之一。另一方面，分层材料的2D性质具有多种外部刺激的物理性能，可以使其具有大量的可调性，这又为开发2D非线性光电应用程序铺平了道路。在这篇综述中，我们概述了使用第二次谐波生成光谱和显微镜检查的最新努力，以探测晶格结构和偶极性金属二甲硅烷和极性材料中的晶格结构和偶极极化。此外，涵盖了用于控制SHG的多种外部刺激，作为潜在的光电设备。我们以基于SHG光谱法的新兴磁磁和拓扑材料的探索方向的未来探索方向进行了结论。
新分层金属的第一原理研究...
吉利安格大学，杭州大学，中国摘要：在这项研究中，我们使用VASP（VIENNA AB INTIRIO仿真）软件包进行了第一原理计算，以研究晶体结构，电子结构和光学特性，用于新的分层三层金属chalcegenide，EU 2 Inte 5。我们的结果表明，欧盟2 Inte 5是一种非零间隙金属，其分层结构为特征，其特征是强层内原子键和弱层间相互作用，这表明其潜在的应用是纳米材料。我们还研究了光学特性，包括复杂进型常数的吸收系数，虚构和真实部分，并发现EU 2 Inte 5在紫外线和可见光和蓝绿色的光线以及蓝绿色的光线下表现出强烈的光响应特性，峰值在389 nm和477 nm和477 nm和477 nm的波长处。这表明它可以用于开发UV（紫外线）检测器和其他光电设备。此外，由于其强吸收，低损失和低反射率，EU 2 Inte 5具有用作太阳能电池中有前途的光伏吸收层的潜力。关键词：三元金属醇酯，第一原理计算，分层结构，光学特性。1。简介
适用于中欧的新模型
摘要：二维（2D）材料中的本地带隙调整对于电子和光电设备而言至关重要，但是在纳米级实现可控制和可重复的应变工程技术仍然是一个挑战。在这里，我们通过扫描探针报告了热机械纳米引导，以在2D过渡金属二核苷剂和石墨烯中创建应变纳米图案，从而在空间分辨率下以调制的带隙启用任意模式，以降低到20 nm。2D材料通过范德华的相互作用与下面的薄聚合物层相互作用，由于加热探针的热和压痕力而变形。特别是，我们证明了钼二硫化（MOS 2）的局部带隙被空间调节高达10％，并且可以约180 MeV的幅度调整为180 MEV，以菌株的线性速率约为-70 meV。该技术提供了一种多功能工具，用于研究具有纳米尺度分辨率的2D材料的局部应变工程。关键字：2D材料，应变纳米图案，钼二硫化，局部带隙，热扫描探针光刻，尖端增强的拉曼光谱■简介
基于纳米厚窄带隙半导体PbS薄膜的紫外光电探测器
摘要：紫外光电探测器（UVPD）在军事和民用应用中发挥着重要作用，通常采用宽带隙半导体（WBS）作为构造模块来制造。遗憾的是，基于 WBS 的 UVPD 商业化往往受到其相对较高的制造成本的限制，因为需要使用非常复杂的生长仪器。在本文中，我们提出了一种基于具有相对较小带隙的非 WBS 硫化铅（PbS）的灵敏 UVPD。器件分析表明，由 48.5 nm PbS 纳米薄膜制成的 UVPD 对 365 nm 的紫外线照射高度敏感。具体而言，在 365 nm 照射下的响应度和特定探测率分别为 22.25 AW − 1 和 4.97 × 10 12 Jones，与大多数传统的基于 WBS 的 UVPD 相当或更好。基于 PbS 纳米薄膜的 UVPD 还表现出优异的环境稳定性。实验结果和基于技术计算机辅助设计软件的模拟证实，PbS 纳米薄膜的异常特性与相对较薄的厚度和波长相关的吸收系数有关。这些结果为窄带隙半导体在未来光电设备和系统中实现低成本敏感 UVPD 提供了机会。关键词：紫外光电探测器、窄带隙半导体、PbS、高响应度、技术计算机辅助设计 ■ 介绍
层状银色双孔孔的低频声子模式：对称性，极性和与相变的关系
然而，在光电设备中，PB对应物的高性能，最近的努力，尤其是在CS 2 Agbibr 6双PSK上，[2]证明了它们在太阳能电池的广泛应用中的强大用途，[3-9] [3-9]光探测器，[10,11] x射线检测器，[10,11] X射线检测器[12] memristors [13] Memristors [13] 13]。[14] Moreover, when passing from the 3D double PSK toward its layered counterparts with two (2L) or one (1L) octahedra layers by introducing large A-site organic cations, such as butylam- monium (BA) or propylammonium (PA), allowed to develop new two-dimensional (2D) materials with tunable optoelec- tronic properties, such as the character of the bandgap as well as带隙的能量从≈2eV到≈3eV，这与无机晶格的失真有关。[15–19]尺寸还原也明显提高了候选人的ON/OFF比率，从10 2（CS 2 Ag-Birb 6至3d）到10 7（（（Ba）2 Csagbibr 7），因为在扭曲的晶体结构中，离子迁移受到离子迁移的青睐。[20]从（Ba）2 Csagbibr 7中获得了具有较大迁移率的产物的X射线光绘制器，其中敏感性取决于晶体的尺寸（八面体层的数量）。[21,22]光电探测器的时间响应可以通过尺寸减小来增强，同时保持相似的检测率； [23]
09,13薄锌薄膜的光谱与铜 div>
透明导电金属氧化物已成为研究的主题，这要归功于它们的独特物理特性以及潜在的微观和纳米电子设备和显示单元的应用。这些材料的基本实际应用是基于明显的特异性抗性和高可见的透射率。透明的金属氧化物尤其包括诸如碳锡氧化物，氧化锌，氧化镉等化合物。氧化锌半导体作为压电和光纤材料具有实用的应用潜力，可作为功能性气体传感器组件，表面声设备，透明电极和太阳能电池[1-4]。高光带隙值（〜3。3 eV在室温下）和激子结合能（约60 meV）允许将ZnO作为创建下一代紫外线光电设备和彩色显示单元的磷光器的材料。对于上面提到的许多应用，例如，通过合金来控制ZnO薄膜结构的物理参数的不稳定性是必不可少的。在这种情况下，铜合金添加剂更有效，因为铜是半导体中迅速扩散的杂质，它会导致结晶结构和物理性能的修改，例如，表面状态能量参数以及光学特性[5-7]。后者提供了有关光学主动故障的能量结构的其他信息，这具有很高的实际兴趣。这项研究的目的是研究未扎的ZnO铜掺杂（ZnO：Cu）薄膜的光光谱的行为。
基于新型RB的卤化物双钙晶合金的第一原理计算用于旋转和光电应用
The outcomes of computational study of electronic, magnetic and optical spectra for A 2 BX 6 (A = Rb; B = Tc, Pb, Pt, Sn, W, Ir, Ta, Sb, Te, Se, Mo, Mn, Ti, Zr and X = Cl, Br) materials have been proceeded utilizing Vanderbilt Ul- tra Soft Pseudo Potential (US-PP) process.RB 2 PBBR 6和RB 2 PBCL 6被发现是一个（）半导体，能量差距分别为0.275和1.142 eV，使它们成为有前途的光伏材料。已证实了RB 2 BX 6（B = TC，W，W，IR，TA，MN，SB，MO）的材料的金属材料，显示了进行谱系的出席率。发现介电函数靠近紫外线区域（3.10-4.13 eV）。RB 2 BX 6的灭绝系数具有用于侵犯的能力。状态的带结构和密度确保磁性半导体的性质2 Mn（Cl，Br）6个钙钛矿。RB 2 MNCL 6和RB 2 MNB 6的总计算磁矩为3.00μβ。先进的自旋技术需要室温的铁磁性。目前的工作证实，溴和氯的双钙钛矿对光伏和光电设备具有极大的吸引力。
葡萄牙经济的Azorean海事与与海事相关的活动...
二维（2D）过渡金属二核苷（TMDC）表现出令人兴奋的半导体特性和用于晶体管，光电设备，量子信息科学和能量任务的多功能材料化学。金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）已成为一种有前途的技术，它可以增长2D TMDC，这要归功于其在此过程中执行高温外观生长并保持稳定的前体流量的能力。首先，我将讨论我们在蓝宝石和石墨烯基板上生长2D TMDC的MOCVD过程，以及其在功能化表面或Damascene结构上低温沉积的能力。[1,2]第二，我将讨论我们在TMDC增长期间使用RE [3]和V的TMDC替代掺杂的最新进展。一些掺杂剂可以调节载体浓度，引入磁性，甚至治愈TMDC中的缺陷。第三层TMDC半导体可能会引起近室温度设备应用，因为它们的热电离能量减少了，与单层相比。i将介绍我们的外延1到3层MOS 2，由MOCVD生长的逐层和结果。，最后，使用TMD作为构建块，我们可以用固有的偶极矩创建破坏对称性的2D材料。最新结果[4,5]，包括将2D WS 2和MOS 2转化为2d Janus WSSE和MOSSE以及由Janus TMD和标准TMDS组成的杂波的电荷转移研究。