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World File Search System光致发光
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
硅量子点的双光子激发光谱及其对生物成像的影响
摘要：胶体纳米晶硅量子点 (nc-SiQDs) 在近红外 (NIR) 中的双光子激发以及在 NIR 中的光致发光在深度生物成像领域具有潜在的应用前景。使用双光子激发测量胶体 nc-SiQDs 的简并双光子吸收 (2PA) 截面的光谱，光谱范围为 1.46 < ℏ ω < 1.91 eV（波长 850 > λ > 650 nm），高于双光子带隙 E g (QD) /2，代表性光子能量为 ℏ ω = 0.99 eV（λ = 1250 nm），低于此带隙。直径为 d = 1.8 ± 0.2 nm 和 d = 2.3 ± 0.3 nm 的 nc-SiQDs（均用 1-十二烯钝化并分散在甲苯中）的双光子激发光致发光 (2PE-PL) 光谱强度与甲醇中已知浓度的罗丹明 B 染料的 2PE-PL 光谱强度一致。对于直径较小的纳米晶体，观察到 2PA 横截面较小，并且观察到 2PA 的起始点从块体 Si 的双光子间接带隙蓝移，这与激子的量子约束预期一致。在各种生物组织中模拟了使用 2PE-PL 进行生物成像的 nc-SiQDs 的效率，并将其与其他量子点和分子荧光团的效率进行了比较，发现在更深的深度下它们相当或更胜一筹。关键词：双光子吸收光谱、双光子吸收截面、硅纳米晶体、量子点、双光子激发光致发光、生物成像 N
在二氧化硅上的ER掺杂平面波导的制造...
摘要我们报告了二氧化硅（SOS）晶状体上掺杂Erbium掺杂的平面波导的制造和表征，可提供低损耗和适用于用于工程光波导放大器（1530-1565 nm）的光纤维通信的较低的光限制。在这里，我们描述了一种超快的血浆掺杂（ULPD）技术，该技术是使用由飞秒激光（波长800 nm）诱导的血浆进行的，其重复速率为10 kHz，脉冲持续时间为45 fs。此处介绍的ULPD方法已成功应用于先前使用脉冲持续时间约为100 fs且重复速率为1 kHz的FS-LASER掺杂在SOS底物上的稀土材料。已经分析了厚度，折射率，光学传播损失，光致发光强度和光致发光寿命的厚度，折射率损失，光发光损失，光发光损失，光发光损失，光致发光的寿命。我们报告了C波段中<0.4dB/cm的低传播损失，长寿命为13.21 ms，在1532 nm和最大的寿命密度产物6.344 x10 19 s.cm -3。低损耗平面平板波导和高寿命密度的产品有望在SOS平台上制造带状的波导的进一步可能性。所提出的主动波导制造方法可能对制造平面的集成光学波导放大器和与基于硅的光子积分电路兼容的激光。
材料加速平台（地图）：加速材料研发以应对紧急社会挑战在软X射线照射下Fapbbr3钙钛矿的降解和自我处理
广泛使用钙钛矿，因为光吸收器要求更深入地了解这些材料与光的相互作用。在这里，通过光膜光学光谱和微光亮度，在高毛利率同步源的软X射线光束下跟踪甲酰胺铅三溴（FAPBBR 3）的化学和光电特性的演变。在辐照过程中，两个对比过程正在发挥作用。材料的降解表现出PB 0金属簇的形成，气态BR 2的损失，减少和移位光致发光发射。由于PB 0的重新氧化以及FA +和Br-ions的迁移，因此延长光束暴露时间的光致发光信号归因于FAPBBR 3的自我修复。这种情况在通过AR +离子溅射处理的FAPBBR 3栏上进行了验证。降解/自我修复效应先前报道了辐照到紫外线状态，具有基于perovskites的X射线检测器的寿命。
基于薄膜粉红色粉红色的葡萄球菌/氟化物一维光子晶体
图6。（a）由DY3+离子和无bragg镜子的单个DY3+掺杂的活性层（参考）激活的微腔的光致发光光谱。插图：激发激光的光谱。（b）与没有bragg镜的参考样品相比，微腔的发光强度的入射角依赖性。
碳纳米管的散发方式超过收到的
但令人惊讶的是，某些材料表现出相反的效果 - 对它们的光线亮起，它们发出了更高的能量光。这种奇怪的现象称为上转化光致发光（UCPL）。它可以通过将低能光转换为适合发电的高能量波长来提高太阳能电池的效率。
与...
摘要本研究使用电化学方法研究石墨烯量子点（GQD）的光学特性的合成和分析，以研究光电和生物成像技术中潜在的应用。GQDS是一种纳米材料，其量子大小由于独特的光学特性而显示出巨大的电子和光电应用潜力。之所以选择电化学方法，是因为其能够生产具有均匀尺寸分布的GQD。使用2B铅笔杆作为NaOH电解质溶液中的电极和在电压的效果下进行柠檬酸进行合成过程。柠檬酸浓度的变化用于评估其对产生GQD的光学特性的影响。使用UV-VIS光谱，光致发光（PL）和时间分辨光致发光（TRPL）进行表征。UV-VIS表征的结果表明，在212 nm至250 nm的波长下，吸收峰，表明GQD形成的成功，以及随着柠檬酸浓度的增加，吸收强度的增加。pL频谱显示出强度差异的强光发射，但对于每种浓度变化而言，排放的峰值几乎相同。TRPL分析表明，发光的寿命不受柠檬酸浓度的变化影响，所有样品均表明衰减时间均匀。关键字：石墨烯量子点，电化学，光学特性，UV-VIS，光致微照射，时间分辨的光致发光。这项研究的结果表明，电化学方法可以产生具有所需的光学特性和良好控制纳米材料的光学特性的GQD。This study provides an important insight into the control of GQDS optical properties through variations in the concentration of precursors, which has the potential to applications in the fields of optoelectronics and bioimaging, as well as making an important contribution to the understanding of GQDS optical properties and further development of this nanomaterial -based application.
通过控制吹扫时间的缺陷同时增强 ALD ZnO 薄膜的电导率并抑制热导率
我们展示了如何同时控制 ZnO 薄膜的电和热传输特性，该薄膜是通过原型原子层沉积 (ALD) 工艺从二乙基锌 (DEZ) 和水前体制备的。关键的 ALD 工艺参数是在 DEZ 前体脉冲之后施加的 N 2 吹扫时间。我们利用 X 射线反射率测量来表征薄膜的生长特性，利用光致发光光谱来表征结构缺陷，利用电传输测量来表征载流子密度、电阻率和塞贝克系数，利用时域热反射测量来表征热导率。光致发光光谱数据表明，延长吹扫时间会产生结构缺陷，从而增加电子载流子密度；这可以解释薄膜电导率增强的原因。同时，缺陷可能会阻碍薄膜中的热传输。因此，实现电导率的同时增加和热导率的降低对热电学至关重要。此外，在光学和微电子领域中，人们非常希望对半导体 ZnO 薄膜的本征电传输特性进行简单的控制。
金硅结构非线性白光发光编码，用于物理不可克隆的安全标签
发光安全标签是保护消费品免遭假冒的有效平台。尽管如此，由于标签元件的窄带光致发光特性，这种安全技术的寿命有限。在本文中，我们提出了一个新概念，用于应用通过直接飞秒激光写入制造的混合金属半导体结构中实现的非线性白光发光来创建物理上不可克隆的安全标签。我们证明了在制造阶段控制的制造混合结构的内部组成与其非线性光信号之间的密切联系。我们表明，应用基于离散余弦变换的去相关程序以及标签编码的极性码可以克服白光光致发光光谱相关性的问题。应用的制造方法和编码策略用于创建物理上不可克隆的标签，具有高度的设备唯一性（高达 99%）和位均匀性（接近 0.5）。证明的结果消除了利用白光发光纳米物体创建物理不可克隆标签的障碍。