摘要:在 Ag/AlO x 堆栈上生长了 550 nm 的超薄 Cu(In,Ga)Se 2 (CIGS) 吸收层。堆栈的添加使太阳能电池的填充因子、开路电压和短路电流密度得到改善。效率从 7% 提高到近 12%。光致发光 (PL) 和时间分辨 PL 得到改善,这归因于 AlO x 的钝化特性。由于光散射和表面粗糙度增加,测量到的电流增加了近 2 mA/cm 2。利用飞行时间-二次离子质谱法测量了元素分布。发现 Ag 贯穿整个 CIGS 层。Mo 背面的二次电子显微镜图像显示了 Ag/AlO x 堆栈的残留物,这通过能量色散 X 射线光谱测量得到了证实。这被认为是导致表面粗糙度和散射特性增加的原因。在正面,可以看到带有 Ag/AlO x 背接触的电池有大片污渍。因此,在裸露的吸收层上应用了氨硫化物蚀刻步骤,将效率进一步提高到 11.7%。它显示了在背面使用 Ag/AlO x 堆栈来改善超薄 CIGS 太阳能电池的电气和光学特性的潜力。
新鲜产品的特点是保质期较短,因为它们是许多微生物的极佳生长培养基。因此,微生物腐败导致大量食品供应损失已成为全球巨大的经济和道德问题。抗菌包装通过延长保质期和提高新鲜产品的质量和安全性,为解决这一经济和安全问题提供了可行的解决方案。本研究的目的是调查用先前表征的抗菌肽线粒体靶向肽 1 (MTP1) 功能化的聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET) 食品接触表面对减少与腐败相关的微生物种群和提供不同类型的新鲜食品(如意大利乳清干酪和水牛肉)的保质期稳定性的影响。通过水接触角测量和衰减全反射模式 (ATR-FTIR) 的傅里叶变换红外光谱测量,对改性聚合物的等离子体活化过程进行了表征。结果表明,MTP1-PET 对腐败微生物具有强效抗菌作用,且对人类结肠癌细胞系无细胞毒性。最后,活化聚合物表现出高储存稳定性和良好的可重复使用性。这项研究为开发替代抗菌包装提供了宝贵的信息,以提高和延长易腐食品在储存期间的微生物质量和安全性。
超导纳米线单光子探测器(SNSPD)在不同基底和光子结构上的混合集成在开发基于单光子探测的复杂光子器件方面具有巨大潜力,例如用于单光子级微弱光光谱传感的光子计数重构光谱仪。本文引入SNSPD的级联吸收效应来开发光子计数重构光谱仪。该装置包括作为空间色散元件的罗兰光栅和位于光栅聚焦区域的定制级联SNSPD阵列。SNSPD的光谱响应可以通过其螺旋图案和阵列中的级联吸收进行灵活调制,并以此作为光谱重构的基础。设计和制作了一个原型装置来演示该方案的原理。实验结果表明了通过螺旋图案设计和SNSPD阵列的级联吸收效应调制光谱响应的可行性。它支持波长范围为1,495至1,515 nm的光谱测量和重构,光谱分辨率为0.4 nm。该方案仅通过SNSPD的设计就实现了光谱重构的基础,而无需额外光子结构的光谱调制效应。它为开发高光子利用率的器件提供了一种有趣且有前途的方法。
未来的分子微电子学要求设备的电子电导率可调,而不会损害分子电子特性的电压控制。本文,我们报告了在半导体聚苯胺聚合物或极性聚-D-赖氨酸分子薄膜与两种价态互变异构复合物之一(即 [Co III (SQ)(Cat)(4-CN-py) 2 ] ↔ [Co II (SQ) 2 (4-CN-py) 2 ] 和 [Co III (SQ)(Cat)(3-tpp) 2 ] ↔ [Co II (SQ) 2 (3-tpp) 2 ])之间创建界面的影响。利用密度泛函理论指导的 X 射线光发射、X 射线吸收、逆光发射和光吸收光谱测量来识别电子跃迁和轨道。除了结合能和轨道能级略有改变外,底层基底层的选择对电子结构影响不大。在 [Co III (SQ)(Cat)(3-tpp) 2 ] ↔ [Co II (SQ) 2 (3-tpp) 2 ] 中存在一个显著的未占据配体到金属电荷转移态,该态对 Co II 高自旋态中聚合物和互变异构复合物之间的界面几乎不敏感。
对妨碍遥感数据解释的因素的敏感性,例如土壤背景、地貌、植物的非光合作用元素、大气、观看和照明几何(Huete 和 Justice 1999)最常用的指数是归一化差异植被指数 (NDVI),由 Rouse 等人 (1974) 提出,计算为近红外和红光区域反射率差与和的商。由于叶片叶肉的散射,植物的绿色部分在近红外区域反射强烈,并通过叶绿素强烈吸收红光和蓝光(Ayala-Silva 和 Beyl 2005)。NDVI 指数最常用于确定栽培植物的状况、发育阶段和生物量以及预测其产量。 NDVI 已成为最常用的植被指数(Wallace 等人,2004 年;Calvao 和 Palmeirim,2004 年),人们做出了许多努力,旨在开发更多指数,以减少土壤背景和大气对光谱测量结果的影响。限制土壤对遥感植被数据影响的植被指数的一个例子是 Huete(1988 年)提出的 SAVI(土壤调节植被指数)。另一个是 VARI 指数(可见大气抗性指数)(Gitelson 等人,2002 年),它大大降低了大气的影响。人们还开发了更多指数来考虑 NIR 和 SWIR 范围内的反射率差异,这表明植物缺水:MSI (
公司:Voss Scientific, LLC 地点:新墨西哥州阿尔布奎基 主题:N171-085 技术类别:先进电子学 第二阶段提案标题:LUCS 的实施和演示,一种实时、超紧凑型多光谱 USPL 表征系统 SYSCOM:ONR FST 事件:NAVSEA 摘要:第二阶段的工作将把第一阶段选定的单个诊断集成到一个紧凑型便携式系统中,该系统设计用于 600-1700 nm 的近波和短波红外波段,并在选项中开发一个 3-5 m 波段系统。此外,单次相位表征技术将在极其紧凑的几何结构中实现,这对对准和光束轮廓都不敏感,同时提供详细的时间和相位轮廓。将实施先进的数据缩减算法和系统架构,单个图形用户界面 (GUI) 将显示用户可选择的、已处理的激光参数,包括实时跟踪品质因数的统计变化。关键词:激光、集成诊断、超短脉冲、综合脉冲特性、超紧凑、光谱测量、相位提取、可移动 POC:Don Voss,donv@vosssci.com
原子级精确的石墨烯纳米带 (GNR) 因其可大幅改变的电子特性而日益受到关注,这些特性可通过在化学合成过程中控制其宽度和边缘结构来定制。近年来,GNR 特性在电子设备中的开发主要集中在将 GNR 集成到场效应晶体管 (FET) 几何形状中。然而,由于存在单栅极,此类 FET 器件的静电可调性有限。本文报道了将 9 个原子宽的扶手椅型石墨烯纳米带 (9-AGNR) 集成到由超窄手指栅极和两个侧栅极组成的多栅极 FET 几何形状中的设备。高分辨率电子束光刻 (EBL) 用于定义窄至 12 纳米的手指栅极,并将它们与石墨烯电极相结合以接触 GNR。低温传输光谱测量揭示了具有丰富库仑钻石图案的量子点 (QD) 行为,表明 GNR 形成的 QD 既串联又并联。此外,结果表明,附加栅极能够实现纳米结中 QD 的差分调谐,为实现基于 GNR 的多点系统的多栅极控制迈出了第一步。
研究了后退火对蓝宝石衬底上日盲多晶氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 紫外光电探测器的物理和电学性能的影响。随着后退火温度 (PAT) 从 800 °C 升高到 1000 °C,多晶 Ga 2 O 3 的晶粒尺寸变大,但随着 PAT 进一步升高到 1100 °C,晶粒尺寸变小。随着 PAT 的增加,在蓝宝石上的 Ga 2 O 3 的透射光谱的吸收带边缘发生了蓝移,这是由于蓝宝石衬底中的 Al 掺入 Ga 2 O 3 中形成 (Al x Ga 1 – x ) 2 O 3 造成的。高分辨率X射线衍射和透射光谱测量表明,1100°C退火后的(Al x Ga 1 – x ) 2 O 3 的取代Al组分和带隙分别可以达到0.30和5.10 eV以上。1000°C退火样品的R max 与沉积态器件相比提高了约500%,且1000°C退火样品的上升时间和下降时间较短,分别为0.148 s和0.067 s。这项研究为多晶Ga 2 O 3 紫外光电探测器的制作奠定了基础,并找到了一种提高响应度和响应速度的方法。
半导体单壁碳纳米管(S-SWCNT)是一类重要的P-偶联有机半导体(OSC),可以启用新兴的光电应用。了解S-SWCNT中的电荷传输机制(通常是OSC)对于材料和设备设计至关重要。诸如光电,传感器,发光二极管,现场效应晶体管和热电设备等应用都需要良好的电导率和载体迁移率。测量OSC中电导率的常见方法不允许独立测量托管载体密度或移动性,因此很难回答重要的基本和应用问题并阻碍性能优化。为了解决这一知识差距,我们使用光吸收和核磁共振光谱开发了一种组合方法,以直接测量掺杂的S-SWCNT中的托管载体密度。我们证明了载体密度会影响电荷离域化,从而导致载体密度依赖性迁移率,这与被电离杂质散射限制的迁移率相反。将模拟与我们的实验数据结合起来会产生相关曲线,该曲线可以通过快速且随时可用的吸收光谱测量来确定掺杂的S-SWCNT中的载体密度。结果为OSC社区提供了一个有价值的路线图,用于调整,量化和优化载流子密度,以供广泛的能源收集和光电应用。
本研究研究了电沉积 FeNiOOH/Fe 2 O 3 /石墨烯纳米混合电极的光电化学行为,该电极具有精确控制的结构和成分。光电极组件采用生物启发的方式设计,其中每个组件都有各自的功能:Fe 2 O 3 负责吸收光,石墨烯框架负责适当的电荷载流子传输,而 FeNiOOH 覆盖层负责轻松的水氧化。通过线性扫描光伏安培法、入射光子到电荷载流子转换效率测量和长期光电解研究了每种成分对光电化学行为的影响。与原始 Fe 2 O 3 相比,性能最佳的 FeNiOOH/Fe 2 O 3 /石墨烯系统获得的光电流高出 2.6 倍。瞬态吸收光谱测量表明,Fe 2 O 3 /石墨烯样品的空穴寿命增加。然而,长期的光电解测量结合拉曼光谱证明,底层的纳米碳框架被光生空穴腐蚀。这个问题通过电沉积一层薄薄的 FeNiOOH 覆盖层来解决,该覆盖层可以快速接受来自 Fe 2 O 3 的光生空穴,从而消除导致石墨烯腐蚀的途径。