XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System光通量
环境产品声明 - Ledvance
灯具类型 防潮 简文 产品 DP S 1500 46W 840 IP65 GY 操作模式 集成 LED 驱动器 灯具类型 集成 LED 不可更换 色温 4000 K 标称功率 46 W 光通量 6,400 lm 显色指数 Ra > 80 防护等级 IK IK08 防护类型 IP65 标称电压 220…240 V 标称使用寿命 (L70/B50) 70,000 h 长度 1,500 mm 宽度 83 mm 高度 68 mm 传感器类型 运动、灯光 应用领域 工业；住宅建筑
使用蒙特卡洛辐射转运模拟光动力疗法，以治疗胶质母细胞瘤
结果：模拟表明，使用标准的Indygo试验方案（光通量= 200 j cm 2在球囊壁上）在治疗结束时39％的GBM细胞在治疗结束时被杀死，并且最初的光敏浓度为5μmM.5μMM。 安全。增加P热敏化剂浓度产生的细胞杀伤最大增加，当将浓度加倍至10μm时，有61％的GBM细胞杀死了，并保持治疗时间并保持相同的能力。根据这些模拟，标准试验方案进行了合理的优化，并且在没有潜在危险的情况下，细胞杀死的改善难以实现。为了改善治疗结果，应将重点放在改善光敏剂上。
准备 MDL 以支持 NASA 的未来
EMIT 于 2022 年 7 月 14 日发射至国际空间站 (ISS)。它包括一台先进的双镜望远镜和一台安装在 ISS 外部的高光通量 F/1.8 戴森成像光谱仪。光谱仪的凹面衍射光栅具有结构化闪烁，这是使用 MDL 的电子束光刻功能编写的。EMIT 可以测量从可见光到电磁波谱 (380-2500 nm) 的短波红外 (SWIR) 部分，其中包括二氧化碳和甲烷都有其光谱指纹的区域 (1900-2500 nm)。它可以分析 50 英里宽的地球部分，同时仍能解析足球场大小区域的数据。EMIT 能够分析大片领土同时保持高分辨率，这意味着它将提供有关温室气体排放点源的最详细全球数据。EMIT 发现有助于应对气候变化
电源 XED
独特功能 - 专有硅芯片 [CiS] 技术 - 硅（Si-wafer）通用封装 - 微型尺寸：2.55mm x 2.55mm x 0.6mm - 单色范围，公差严格：Mac Adams 6 - 同类最佳热阻：5,1 K/W - 适合在标准 FR4 - 和 MC - PCB 上组装，设计和指定用于 - 汽车外部和内部照明 - 汽车日间行车灯 - 医疗和牙科照明 - 运输设备内部照明（飞机、火车、船舶） - 应急灯具 - 手持电子设备（手机、PDA）的闪光灯 - LCD 显示器的背光光源 - 卤素灯的替代品 - 装饰和建筑照明 - 重点照明 - 高品质手电筒和娱乐灯 - 工业设备照明。CCT：5700K。光通量：60 流明。CRI > 75 (Ra8)。标准 SMT 组装。典型平均寿命*)：> 50,000 小时 (T70)。ESD 耐压：2kV
2014-Leupold-Optics-Catalog.pdf - ACP-Waffen
不同瞄准镜之间的可见亮度差异是由多种因素造成的，但最重要的因素莫过于出瞳。人眼的瞳孔扩张范围从明亮阳光下的约 2 毫米到黑暗中的 7 毫米。为了充分发挥瞄准镜的潜力，出瞳需要与人眼的瞳孔扩张相匹配。10 倍放大倍数下的 40 毫米物镜将具有 4 毫米出瞳，面积为 12.6 平方毫米……非常适合清晨或傍晚拍摄。50 毫米物镜将使出瞳增加到 5 毫米，面积为 19.6 平方毫米。这意味着总光通量增加了 56%。在某些光学器件上，例如固定倍率 4x33mm，出瞳直径超过 8mm……您的眼睛被光线所笼罩，图像异常明亮。因此，大物镜的优势在于，它可以在更高放大倍数下增加出瞳直径。
25微米表单光子敏感动力电感检测器
我们报告的测量值表征了动力学电感检测器阵列的性能，该阵列设计为25微米的波长和非常低的光学背景水平，适用于诸如低温冷却的空间望远镜上的远红外仪器。在低光通量下的脉冲计数模式下，检测器可以解析单个25微米光子。在集成模式下，检测器在70 ZW至200 fw的吸收功率中保持光子噪声有限，在6个以上的数量级上，限制了噪声等效功率为4。6×10 - 20 W Hz -1在1 Hz时。 此外，检测器在光载荷下至1 MHz的平坦功率光谱高度稳定。 确定检测器的操作参数，包括在铝吸收元件和准粒子自我重组常数中转化为准粒子的转化效率。6×10 - 20 W Hz -1在1 Hz时。此外，检测器在光载荷下至1 MHz的平坦功率光谱高度稳定。操作参数，包括在铝吸收元件和准粒子自我重组常数中转化为准粒子的转化效率。
具有高空间的宽带高光谱图像传感器...
高光谱成像提供高维空间光谱信息，揭示了内在物质特征1 - 5。在这里，我们报告了具有高空间和时间分辨率的片上计算高光谱成像框架。通过在图像传感器芯片上整合不同的宽带调制材料，目标光谱信息是非均匀且本质上与每个像素上与明亮吞吐量的。使用智能重建算法，可以从每个帧中恢复多通道图像，从而实现实时高光谱成像。在这样的框架之后，我们第一次使用光刻志上制造了宽带Vis-nir（400-1700 nm）高光谱成像传感器，平均光通量为74.8％和96个波长通道。证明的分辨率为124 fps的1,024×1,024像素。我们证明了其广泛的应用，包括用于智能农业，血液氧和水质监测的叶绿素和糖定量，用于人类健康，Tex-Tile分类和工业自动化的苹果瘀伤检测以及用于天文学的远程月球检测。集成的高压图像传感器仅称重数十克，并且可以在各种资源有限的平台上组装，也可以配备了OB-the Shelf Optical Systems。该技术改变了高维的挑战
工程与电子系，技术学院，阿布贝克尔贝勒凯德大学，阿尔及利亚，特莱姆森 doi:10.15199/48.2024.10.23 数字
工程和电子系，阿布贝克尔贝尔卡德大学技术学院，阿尔及利亚特莱姆森 doi:10.15199/48.2024.10.23 基于 AlGaN/GaN/AlGaN 的 UV LED 单量子阱数值模拟 摘要。发光二极管 (LED) 等光源是制造更坚固、转换效率更高、更环保的灯具的良好解决方案。这项工作的目的是使用 SILVACO 软件研究和模拟夹在两层之间（分别为 p 掺杂和 n 掺杂的 AlGaN）的单个 GaN 量子阱的紫外发光二极管。通过这种模拟，我们可以提取 LED 的不同特性，例如电流-电压 (IV) 特性、发射光功率、自发辐射率、辐射复合、俄歇复合、肖克利-里德-霍尔复合、光增益、光通量、光谱功率密度、整体效率。这些模拟使我们能够提取基于 p-AlGaN/GaN/n-AlGaN 的单量子阱紫外发光二极管的电学和光学特性，并检查其性能。光学器件、发光二极管 (LED)、双色灯和发光二极管przyjaznych dla środowiska。 Celem tej pracy 开玩笑 zbadanie i symulacja diody elektroluminescencyjnej ultrafioletowej z pojedynczą Studnią kwantową GaN umieszczoną pomiędzy dwiema warstwami; odpowiednio p 掺杂 in n 掺杂 AlGaN， przy użyciu oprogramowania SILVACO。此 symulacja pozwoliła nam wyodrębnić różne charakterystyki diody LED、takie jak charakterystyka prądowo-napięciowa (IV)、moc emitowanego światła、szybkość emisji spontanicznej、rekombinacja radiacyjna、重新组合 Augera、重新组合 Shockleya-Reada-Halla、wzmocnienie optyczne、strumień świetlny、gęstość widmowa mocy、ogólna wydajność。该符号与 p-AlGaN/GaN/n-AlGaN 和 p-AlGaN/GaN/n-AlGaN 的其他器件有关。 ( Numeryczna symulacja pojedynczej Studni kwantowej diody UV LED na bazie AlGaN/GaN/AlGaN) 关键词：GaN、AlGaN、紫外发光二极管、silvaco Tcad。 Słowa kluczowe：GaN、AlGaN、二极管发射器、UV、silvaco Tcad。简介 基于氮化镓 (GaN) 的固态照明技术彻底改变了半导体行业。 GaN 技术在减少世界能源需求和减少碳足迹方面发挥了至关重要的作用。根据报告，2018 年全球照明需求减少了约 13% 的总能源消耗。美国能源部估计，到 2025 年，明亮的白色 LED 光源可以减少 29% 的照明能耗。近十年来，全球的研究人员致力于 III-N 材料研究，以改进现有技术并突破 III-V 领域的极限。现在，随着最近的发展，GaN 不仅限于照明，最新创新还推动了微型 LED、激光投影和点光源的发展。这些发展将 GaN 推向了显示技术领域。基于 GaN 的微型 LED 的小型化和硅上 GaN 的集成推动了其在快速响应光子集成电路 (IC) 中的应用。将详细讨论 GaN LED 领域的大多数最新进展 [1] III 族氮化物 (GaN、AlN 和 InN) 及其合金因其优异的物理性能和在恶劣环境条件下的稳定性而被认为是各种光电应用中最有前途的半导体材料 [2, 3, 4]。如今，基于 III 族氮化物的发光二极管 (LED) 因其效率高、功耗低、寿命比荧光灯和白炽灯长而被广泛应用于世界各地的固态照明 (SSL) 应用 [5, 6]。LED 是一种更有前途的低功耗光源，可取代传统的荧光灯。除 LED 外，基于 III 族氮化物的激光二极管 (LD)、高功率电子器件、光电探测器等也是其他扩展的光电应用，这些应用也已得到展示 [7, 8]。这项工作包括对基于氮化镓 GaN 的单量子阱紫外 LED 的研究和模拟，在本文中，我们展示了所研究 LED 的模拟结果以及它们的电气和光学特性。还有其他扩展的光电应用也得到了展示 [7, 8]。这项工作包括基于氮化镓 GaN 的单量子阱紫外 LED 的研究和模拟，在本文中，我们展示了所研究 LED 的模拟结果，并展示了它们的电气和光学特性。还有其他扩展的光电应用也得到了展示 [7, 8]。这项工作包括基于氮化镓 GaN 的单量子阱紫外 LED 的研究和模拟，在本文中，我们展示了所研究 LED 的模拟结果，并展示了它们的电气和光学特性。