入射角

基于 COTS 28 纳米 SRAM 的 FPGA 在热中子和不同入射角下的 SEE 灵敏度

本文对不同入射角下 28 纳米块状商用现货 (COTS) Xilinx Artix-7 FPGA 的单粒子翻转 (SEU) 抗热中子辐射敏感性进行了实验研究。实验结果表明，配置 RAM (CRAM) 单元、触发器 (FF) 和块 RAM (BRAM) 上存在 SEU。还分析了多重事件 (范围从 2 位到 12 位) 的形状，以及它们对粒子束对设备表面的入射角的依赖性。还研究了 128 位和 384 位多重事件的可能形状，揭示了遵循字线的趋势。将前入射角的结果与 14.2 MeV 中子进行比较，表明该装置对两种辐照源的灵敏度存在相当大的差异。最后，使用名为 MUSCA-SEP3 的建模工具来预测该装置在相同环境条件下的灵敏度。获得的实验结果将以非常准确的方式与预测结果显示出良好的一致性。