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半导体晶圆传输解决方案
Mar 11, 2024 — 沉阳新松半导体设备有限公司成立于2023年,是一家专注于半导体晶圆传输专用设备的研. 发、生产、销售与技术服务的高新技术企业。公司前身为新松机器人自动化股份有限 ...
2023-2024-2英语教授的本科课程...
Department of Physics 物理系 20430225 2 Fundamentals of Physics (1) 基础物理学 (1) 蒋硕 96 5 150 0 Department of Physics 物理系 20430234 1 Fundamentals of Physics (2) 基础物理学 (2) 蒋硕 64 4 102 0 Department of Physics 物理系 20430265 3 Fundamentals of Physics (3) 基础物理学 (3) Kim Kihwan 80 5 130 0 School of Life Sciences 生命学院 30450203 1 Biochemistry(1)(in English) 生物化学 (1)( 英文 ) 刘栋 48 3 175 0 School of Life Sciences 生命学院 30450203 2 Biochemistry(1)(in English) 生物化学 (1)( 英文 ) 刘栋 48 3 180 0 School of Life Sciences 生命学院 30450263 0 Microbiology(in English) 微生物学 ( 英文 ) 陈国强 48 3 80 0 School of Life Sciences 生命学院 30450303 1 Genetics(in English) 遗传学（英文） 王田 48 3 90 0 School of Life Sciences 生命学院 30450303 2 Genetics(in English) 遗传学（英文） 王田 48 3 100 0 School of Life Sciences 生命学院 30450453 0 Molecular Biology(in English) 分子生物学 ( 英 ) 杨扬 48 3 150 0
平顶飞秒激光开槽硅晶圆工艺仿真与实验研究
[25] Shi K W，Yow K Y，LoC。单束和多光束激光槽过程参数开发和40 nm节点的模具特性 - k/ulk Wafer [C]∥2014IEEE 16th 16th Electronics包装技术会议（EPTC），2014年12月3日至5日，2014年12月3日，新加坡。纽约：IEEE出版社，2015：752-759。
安集科技(688019.SH) 国内CMP抛光液领先企业
在集成电路制造过程中，晶圆表面状态及洁净度是影响晶圆良率和器件质量与可靠性的最重要因素之一，化学机械抛光 （ CMP ）、湿法清洗、刻蚀、电化学沉积（电镀）等表面技术扮演重要的作用。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理 技术和高端化学品配方核心技术，专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案，成功搭建了 “ 化学机械抛光液 - 全品类 产品矩阵 ” 、 “ 功能性湿电子化学品 - 领先技术节点多产品线布局 ” 、 “ 电镀液及其添加剂 - 强化及提升电镀高端产品系列战略供 应 ” 三大核心技术平台。
基于新能源发电改进型移相全桥变换器研究
中图分类号 ： TM561 Analysis of Improved Phase-shift Full-bridge Converter for New Energy Generation ZENG Zhihui 1, 2 LIU Yunpeng 1, 2 ZHANG Linmei 1, 2 YANG Ming 1, 2
非洲绿猴（African Green Monkey）全基因组CRISPR sgRNA ...
目的基因 sgRNA 数目： 64853 ；阴性对照 sgRNA 数目： 2000 ； sgRNA 大小： 20bp
数字转换圆
»内部研发活动。»购买被视为业务标准办公技术的设备或技术。»订阅的成本超过12个月。»技术的租赁/租赁。»一般咨询/咨询服务的费用。»组织培训，没有适当的专业知识和经验。»高等教育（包括TAFE或私立大学的证书级课程）。»顾问在没有适当专业知识的情况下进行的工作。»由该部门认为的第三方所做的工作不属于业务。»对任何法律诉讼的支持。»任何被视为“往常业务”或运营支出的费用（例如，工资，广告，办公费，会计，法律，IT维护服务，现有资产的维修和维护）。»交付项目或活动的内部费用（例如项目成本不能包括员工工资）。»实物贡献。»回顾性活动（已经签订了服务协议的活动，或者在提交申请之前发生了某些或全部支出）。»由其他联邦，州或地方政府资金资助或可能由其他联邦，州或地方政府资助的活动。»在西澳大利亚以外实施的活动。
全长 16S rRNA 扩增子分析
bitBiome Inc. 电子邮件：service@bitbiome.co.jp 网站：https://www.bitbiome.co.jp/ 日本东京新宿区早稻田鹤卷町 513 号 162-0041 早稻田大学第 121 栋 415 室
晶圆粘结后的晶圆边缘平面化
使用Tencor的HRP-250来测量轮廓。使用了来自Cabot的SS12和来自AGC的CES-333F-2.5。在将晶片粘合到粘合之前（氧化物到氧化物和面对面），将顶部晶圆的边缘修剪（10毫米），并同时抛光新的斜角。这可以防止晶片边缘在磨/变薄后突破[1]。将晶圆粘合后，将散装硅研磨到大约。20 µm。之后，通过反应性离子蚀刻（RIE）将粘合晶片的剩余硅移到硅硅基（SOI） - 底物的掩埋氧化物层（盒子）上。另一个RIE过程卸下了2 µm的盒子。之后，粘合晶片的晶圆边缘处的台阶高为3 µm。随后沉积了200 nm的氮化物层，并使用光刻和RIE步骤来构建层。此外，罪被用作固定晶片的si层的固定。必须将设备晶圆边缘的剩余步骤平面化以进行进一步的标准处理。为此，将剩余的罪硬面膜（约180 nm）用作抛光止损层。在平面化之前，将4500 nm的Pe-Teos层沉积在罪恶上。这有助于填充晶圆的边缘。在第一种抛光方法中，将氧化物抛光至残留厚度约为。用SS12泥浆在罪过的500 nm。在这里，抛光是在晶片边缘没有压力的情况下进行的。然后将晶圆用CEO 2泥浆抛光到罪。用CEO 2浆料去除氧化物对罪有很高的选择性，并且抛光在罪恶层上停止。第一种抛光方法花费的时间太长，将氧化物层抛光至500 nm的目标厚度。此外，在抛光SIO 2直到停止层后，用SS12稍微抛光了罪。最后，高度选择性的首席执行官2 -lurry用于抛光罪。结果表明，步进高度很好，但是弹药范围很高（Wafer＃1）。第二种方法的抛光时间较小，并在500 nm上停在SIO 2上，而最终的抛光和首席执行官2 -slurry直至罪显示出良好的步进高度，并具有更好的罪恶晶圆范围（Wafer＃2）。