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需求是新供应：通过需求端解决方案
能源行业面临着越来越多的能源供应，通过电气运输和供暖而大量涌入新需求，几年的传输和分配（T＆D）积压以及日益普遍且越来越强烈的气候事件。电力管理计划旨在平衡电网上电力的供应和需求，否则可称为需求侧解决方案，以更具成本效益和环境友好的方式用于此目的。在美国，需求端解决方案可以比发电和基础设施少数十亿美元的能力更快地产生200GW。有几种趋势为需求侧网格好处创造了逆风，例如采用高级计量基础设施（AMI），高速互联网以及住宅技术的可负担性和普遍性的日益增长。尽管有风风，但使用客户资产来负载管理的利用不足以满足网格的变化，并避免通过新的基础设施来解决问题的昂贵投资。具有如此多的潜力，为什么使用需求端解决方案仍然相对较低，我们该怎么做才能增加它？
SCOR模型对商业端口中供应链的分析
端口是商品和服务融合流通的局部流通领域的地方，这是运输系统，服务提供商之间的收敛空间，并被整合到需要后勤开发的商品分配系统中。在当前环境越来越复杂的情况下，组织必须改善其内部和外部表现，并与供应商和客户建立整合。要执行此过程，有必要识别和分析每个组织的供应链，因为它在公司内部和外部都集成了供求。这种集成将业务的功能和流程联系起来，使其成为连贯，运营优势和高性能的业务模型。从这个意义上讲，SCOR模型（供应链操作参考）代表了供应链管理的标准工具，提供了一个独特的框架，该框架将业务概念，管理指标，基准测试和最佳实践的识别集成到支持供应链中所有参与者之间的沟通的结构中，并提高了管理的管理E FFI效率。工作分析了商业港口供应链的过程和活动，以检测改进的机会。遵循SCOR模型结构的供应链的描述，可以使用一组通用的定义来分析非常简单或复杂的供应链。结果，可以将不同的活动链接起来，以描述几乎所有供应链的深度和广度。©seecmar |保留所有权利持续的流程改进是一种策略，它允许组织不断产生价值，适应市场的变化，并永久满足客户和用户的需求和期望日益满足。
全原因和血管性痴呆的全基因组范围的荟萃分析
图2 VAD GWAS的曼哈顿图。除了APOE区域的变体外，我们还确定了与VAD相关的五个新的遗传基因座。蓝色和红线分别对应于5e-7和5e-8的P值，分别针对全基因组暗示性和显着SNP。曼哈顿杂交荟萃分析的地块。每个点代表一个SNP，x轴显示每个SNP所在的染色体，Y轴显示了每个SNP与VAD的关联与VAD的cossestry荟萃分析中的 - log10 p值。红色水平线显示了全基因组的显着阈值（p值= 5E-8; - log10 p值= 7.30）。在每个基因座中最接近最重要的SNP的基因已被标记。
饥饿——全在于思想
要理解当今普遍存在的肥胖问题，我们必须回顾过去，更准确地说，回顾人类新陈代谢的进化史。毕竟，我们的大脑和身体与我们的祖先一样。他们没有在糖湖里游泳，也没有从树上摘巧克力棒；相反，食物往往很少，人们经常挨饿。我们的新陈代谢在几个世纪中适应了这些生活条件。“进化教会了大脑和身体，食物并不总是随时可得。每当食物充足时，我们就会学会填饱肚子，为食物匮乏做好准备，”Tittgemeyer 解释道。例如，即使胃已经饱了，饱腹感信号也可能被激活我们的奖励系统所取代。神经递质多巴胺在这方面起着重要作用。另一个信号系统会估计一顿饭的能量含量，并在你的嘴巴咬下第一口之前为身体做好相应的准备。位于大脑下丘脑的神经细胞被称为“饥饿神经元”，参与了这一过程。 “这些细胞只有在我们吃饱的时候才会稍微活跃起来。但当我们饿的时候，它们就会变得非常活跃，”蒂特格梅尔解释道。
生活方式与心血管和全...
目标：开发机器学习（ML）风险分层模型，以预测全因死亡率和心血管死亡率，同时估算生活方式行为因素对模型功效的影响。方法：使用40岁或40岁以上的成年人的全国代表性样本进行了前瞻性队列研究，该样本是从2007年至2010年的美国国家卫生和营养检查调查中得出的。参与者进行了全面的面试和医疗实验室检查，随后，他们的记录与国家死亡指数有关，以进行进一步分析。结果：在包括7921名参与者的队列中，记录了9。75年的平均随访持续时间，共有1911年死亡，包括585例心血管相关死亡。该模型预测了接收器操作特性曲线（AUC）下的区域的死亡率为0.848和0.829。根据ML分数将参与者分为不同的风险群体被证明有效。所有的生活方式行为与全因和心血管死亡率均表现出反相关性。随着年龄的增长，饮食评分和久坐时间的明显影响变得越来越明显，而体育活动的观察到相反的趋势。结论：我们开发了一种基于生活方式行为的ML模型，以预测全因和心血管死亡率。开发的模型为评估与生活方式相关风险的评估提供了宝贵的见解。它适用于个人，医疗保健专业人员和政策制定者，以做出明智的决定。关键词：心血管死亡率，全因死亡率，生活方式行为，风险分层，死亡率预测，机器学习。
全脑脑
全脑脑是复杂的大脑畸形，这是由于早期胎儿发育过程中大脑不完全的裂解而导致的。这种情况的特征在于普罗德龙（胚胎的前脑）的失败，以正确分成大脑半球的双叶，导致影响大脑和面部特征的异常。根据大脑分裂的严重程度，全脑脑分为四种类型：Alobar Holoporsencephaly：最严重的形式，其中没有脑半球分离，导致单个脑室心室和一个单裂脑。半月骨全脑脑：大脑半球部分分离，大脑的结构在某种程度上介于Alobar和Lobar之间。Lobar Holoporsencephaly：最少的严重形式，具有更好的脑半球分离和更正常的大脑结构。中半球间变体（syntelcephaly）：半球在大脑中间没有分离，但可能在前和后方面更正常地分裂。是什么导致全脑脑？
面向设计的全制度全区域7参数短路...
摘要 本文提出了一种基于反转电荷的 MOS 晶体管 7 参数分析模型，旨在开发考虑 MOS 晶体管物理特性的简化分析电路设计方法。所提出的面向设计的模型首次能够描述先进纳米技术的主要短沟道效应以及晶体管漏极电流对漏极电压的依赖性，同时该模型对所有偏置状态（从弱到强反转）和所有工作区域（线性和饱和）均有效。提出了一种基于器件物理的简单程序来估算给定技术的晶体管模型参数。此外，针对不同的设计场景开发了电流导数的解析表达式。通过直接与 28 nm FD-SOI 技术中 N-MOS 晶体管的硅测量值（沟道宽度为 1 µ m，沟道长度为 30 nm、60 nm 和 150 nm）以及使用行业标准紧凑模型执行的模拟进行比较，验证了所提模型的准确性。
