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World File Search System八面体
八面体旋转和缺陷驱动的金属度（...
多功能材料已被确定为开发低功耗技术的关键组成部分。在这方面，过渡金属氧化物已成为理论和实验研究的新焦点，因为它们具有可调的铁电性、磁性、巨磁电阻、多铁性和超导性，这些特性源于结构、电子和磁相关性的微妙相互作用 [1, 2]。如果异质结构中的至少一种组成化合物是过渡金属氧化物钙钛矿，也可以赋予其新功能。[3–6] 在宽带隙绝缘体 LaAlO 3 和 SrTiO 3 (STO) 的界面附近证实了二维金属态 (2DES)，它还具有超导性 [7–9] 和大范围可调的 Rashba 自旋轨道耦合 [10]，为自旋电子学创造了良好的机会 [11, 12]。此外，对几种ATiO 3 钙钛矿（A=Sr、Ba、Ca）和KTaO 3 的裸露或封盖表面的ARPES测量发现了受限的2DES[13–15]；对于STO，提出了磁性迹象，并做出了拓扑状态的理论预测[16–18]。对于先验非极性材料，例如STO和CaTiO 3 (CTO)，实验证据表明位于表面附近的氧空位提供了形成金属态的导带载流子[19–22]。块体CTO是绝缘体，带隙为3.5 eV[23]。低于1300 K，氧八面体的大角度旋转和倾斜迫使CTO变为正交结构[24]，具有旋转角（φ=9°）和倾斜角（θ=12°）[25]。缺氧的 UHV 清洁 (001) 表面的 ARPES [21, 22] 光谱揭示了低于费米能级 EF 约 1.3 eV 的带内态和三个占据能带，构成 2DES。第一和第三个能带在布里渊区 (BZ) 中心 Γ 附近具有主导的 d xy 特征。第二个能带为
欧盟半导体政策和半导体法案的概述
1从委员会到欧洲议会，欧洲理事会，理事会，欧洲经济和社会委员会以及该地区委员会的欧洲工业战略委员会（2020）102决赛，日期为2020年3月10日，欧洲委员会https://eur-lex.europa.eu/legal-content/en/txt/?uri=celex%3A52020DC0102&qid = 1655213892867 2从委员会到委员会的交流，从委员会到欧洲议会，欧洲委员会，欧洲经济和社会委员会的新工业委员会的新工业委员COM/2021/350最终，日期为2021年5月5日，欧洲委员会
数字孪生体可信度评估过程及指标研究
[9] 郭东升 , 鲍劲松 , 史恭威 , 等 . 基于数字孪生的航天结构 件制造车间建模研究 [J]. 东华大学学报 ( 自然科学版 ), 2018, 44(4): 578-585, 607. Guo Dongsheng, Bao Jinsong, Shi Gongwei, et al. Research on Modeling of Aerospace Structural Parts Manufacturing Workshop Based on Digital Twin[J]. Journal of Donghua University(Natural Science), 2018, 44(4): 578-585, 607.
利用 Mn 3 O 4 八面体制备的 Si 掺杂 LiMn 2 O 4 正极材料及其对 LiBs 电化学性能的增强 朱干 1，秦明泽 1，
使用 Mn3O4 八面体制备的 Si 掺杂 LiMn2O4 正极材料增强的 LiBs 电化学性能 朱甘 1、秦明泽 1、吴婷婷*、赵孟远、沈燕生、周宇、苏悦、刘云航、郭美梅、李永峰、赵洪远 * 河南科技学院机电工程学院先进材料与电化学技术研究中心，新乡 453003，中国 * 电子邮件：wtingtingwu@163.com (T. Wu)，hongyuanzhao@126.com (H. Zhao) 收到：2022 年 3 月 8 日/接受：2022 年 3 月 28 日/发表：2022 年 4 月 5 日 我们提出了一种 Si 掺杂和八面体形貌的共同改性策略来提高 LiMn2O4 的电化学性能。以Mn3O4八面体为锰前驱体,SiO2纳米粒子为硅掺杂剂,采用高温固相法制备了Si掺杂的LiMn2O4样品(LiSi0.05Mn1.95O4八面体)。XRD和SEM表征结果表明,Si4+离子的引入对LiMn2O4固有的尖晶石结构没有产生实质性影响,LiSi0.05Mn1.95O4八面体呈现出相对均匀的粒径分布。在1.0C循环下,LiSi0.05Mn1.95O4八面体比未掺杂的LiMn2O4表现出更高的初始可逆容量。经过 100 次循环后，LiSi 0.05 Mn 1.95 O 4 八面体表现出更好的循环稳定性，容量保持率高达 94.7%。此外，LiSi 0.05 Mn 1.95 O 4 八面体表现出良好的倍率性能和高温循环性能。如此好的电化学性能与 Si 掺杂和八面体形貌的协同改性有很大关系。关键词：LiMn 2 O 4 ；硅掺杂；八面体形貌；Mn 3 O 4 八面体；电化学性能 1. 引言
氧化物中的几何失稳和压电响应......
图 1 . (a) Na 1-x K x NbO 3 铁磁体（x=0、0.16、0.42、0.52、0.63、0.82、1）的实验总原子 PDF。箭头强调了 KNN 及其成分的局部和平均结构的细微（红色箭头）和明显（蓝色箭头）演变。 (b) PDF 的低 r 区域表明存在相当刚性的 Nb-O 6 八面体（PDF 峰在约 1.9 Å 处，标记为单个八面体），碱金属原子的位置顺序随 K 百分比增加（PDF 峰在约 2.8 Å 处，标记为两个八面体和附近的碱金属原子），相邻八面体中心的 Nb 原子之间的距离几乎没有变化（PDF 峰在约 4 Å 处，标记为角共享八面体），以及包括八面体倾斜在内的次近邻原子相关性的细微演变（PDF 峰在约 6.9 Å 处，标记为 4 个倾斜八面体）。（c）PDF 的高 r 区域表明与母体化合物相比，KNN 中的结构相干性范围有限（参见各自 PDF 的加速衰减，其中原子间距离用红色虚线标出）。
体超导铟对一维锌超导纳米线超导电性的抑制效应'
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人工智能手语翻译工具试用会
3.与聋哑运动员的特别对话会 2023年聋哑足球世界锦标赛亚军成员冈田拓哉（埼玉县聋哑足球俱乐部、越谷FC）、中井健人（TDFC、LesPros Tokyo）、经理植松隼人 ★秘密嘉宾登场！ ！
パワー化合物半导体日本の视点
1。ST Microelectronics completes acquisition of Norstel AB, a SiC wafer manufacturer, ST Microelectronics, 2019/12/2: https://www.st.com/content/st_com/ja/about/ media-center/press-item.html/c2930.html 2.ROHM集团Sicrystal和St Microelectronics同意提供碳化硅（SIC）Wafers多年来，ST Microelectronics，2020/1/15：https：//newsroom.st.com/ja/ja/ja/media-ia-center/media-center/press-center/press-item/press-item.html/c2936.html，3。3.cree |。ST Microelectronics在意大利建立了新的集成SIC WAFER工厂，ST Microelectronics，2022/10/5：https：//newsroom.st.com/ja/ja/media-center/media-center/press-item.htm.html/ c3124.html 5。Stmicro在意大利建立新的SIC WAFER工厂，在欧洲首次，Nikkei Crosstech，2022/10/18：https：//xtps：//xtech.nikkei.com/atcl/news/news/news/news/news/13938/13938/ 6.Infineon和Cree同意长期供应Sic Wafers，Infineon，2018/3/16：https：//www.infineon.com/cmms/cmms/jp/jp/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/Wolfspeed builds a new large-scale SiC factory in Germany, production begins in 2017, Nikkei Crosstech, 2023/2/28: https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/14642/ 8.Infineon收购了硅碳化物专家Siltechtra，Infineon，2018/12/7：https：//www.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/2018/Infineon通过GT Advanced Technologies，Infineon，2020/11/9：https：//wwwww.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/ press/press/press/press/press/2020/infxx20202011-2011-2011-2011-014.html 10。有关电力半导体的SIC外延晶片：与Infineon Technologies签署的销售和联合开发协议，Showa Denko，2021年5月6日：https：//wwwwww.resonac.com/jp/