术语位是二进制数字的缩写。人类认为二进制数字为0和1。的确,诸如10101100之类的二进制数是由0和1组成的。大多数人意识到计算机将信息存储在二进制中,但没有意识到0和1仅适用于人类。计算机硬件需要物理表示。例如,在磁性硬盘驱动器上,小扇区具有负电荷或正电荷。在有机硅计算机芯片上,电容器可以具有两个不同级别的电荷。这些是代表两国条件的物理事物,但人类便利地将两个不同状态视为0和1。当计算机存储一个8位二进制数字(如10101100)时,它实际上将8次序列的序列存储在磁板上,或者在硅芯片上的电容器中的8个两个状态电荷的序列。字节是8位的序列。在现代计算机中,一个字节是可以具有不同地址的最小存储单元。因此,几乎所有形式的计算机存储都在字节中测量。计算机存储通常在很长一段时间内“记住”数据的意义上称为内存。字节是多少?询问的另一种方法是1字节代表多少不同的东西?回答该问题的最难方法就是开始写下所有不同的字节:00000001,00000010,00000100,…,10000000,00000011,00000101,…。如果您这样做,并且非常小心不要遗漏任何东西,则将计算256个不同的字节。在下雨天可能很有趣,但是有更好的方法。例如,由于一个字节中有8个数字,并且每个数字有2个可能性,因此乘法原理表明有2 x 2 x 2 x 2 x 2 x 2 x 2 x 2 x 2 x 2 x 2 x 2 x 2 x 2 x 2 = 2 8 = 256不同的可能性。
部分可观察到的环境中有效的决策需要强大的内存管理。尽管他们在监督学习方面取得了成功,但当前的深度学习记忆模型在强化学习环境中挣扎,这些学习环境是可以观察到的,这些模型是可以观察到的。他们无法有效地捕获相关的过去信息,灵活地适应不断变化的观察结果,并在长剧集中保持稳定的更新。我们从理论上分析了统一框架内现有内存模型的局限性,并引入了稳定的Hadamard内存,这是一种用于增强学习剂的新型内存模型。我们的模型通过不再需要经验并在计算上有效地加强至关重要的体验来动态调整内存。为此,我们利用Hadamard产品来校准和更新内存,专门设计用于增强记忆能力,同时减轻数值和学习挑战。我们的方法极大地超过了基于最先进的内存方法,这些方法在挑战的部分可观察的基准(例如元提升学习,长期的信用分配和流行音乐)上表现出了在处理长期和不断发展的环境中的出色表现。我们的源代码可在https://github.com/thaihungle/shm上找到。
剥削发明家的专利和实用性模型:Guerrero MG,Moreno J,García-GonzálezM,MartínezBlancoA,Acien-FernánándezFG,Molina-Grima和Title:使用氰基二氧化碳培养物来修复碳二氧化碳。 div>出版编号:2262432 *优先国家:西班牙出版日期:2007年10月19日,名义实体:CSIC-塞维利亚大学 - 阿尔梅里亚大学 *学位和Algaenergy,S.A.的学位和剥削,2009年2月。欧洲扩展参考:BFE27092发明家:ÁlvarezC,Marshal V,Molina FP,Sierra E,MartínezM,Sánchez-Noriega标题:基于Sarcosina的肥料和不同农作物的自由氨基酸。 div>申请号:U202132508出版No。:ES1287323优先国家:西班牙出版日期:12/21/2021标题实体:Fitoquivir S.L. div>欧洲扩展。 div>在剥削发明者中:元帅V,ÁlvarezC,Jiménez-ríosL,Molina FP,PallarésF,PallarésF,PallarésJC,Rojas MM,Santos M,Santos M,Pallarés,pallarés,通过方式:生物刺激植物的氨基酸成分。 div>申请号:U20231993优先国家:西班牙出版日期:11/28/2022名义实体:Qabtur Agrochemicos sl。 div>在剥削中
2022 年 10 月 27 日,消费者报告举办了一场在线会议,讨论如何鼓励广泛采用用内存安全语言编写的代码。此次活动由消费者报告的 Amira Dhalla 和 Yael Grauer 主持,Superbloom 的 Georgia Bullen 主持。与会者包括来自民间社会、教育、政府、工业和技术社区的大约 25 人,其中包括互联网安全研究小组和 Prossimo 的 Josh Aas;互联网协会的 Jack Cable、Alex Gaynor、Joseph Lorenzo Hall;电子前沿基金会和互联网安全研究小组的 Jacob Hoffman-Andrews;Immunant, Inc. 的 Per Larsen;CISA 的 Bob Lord;管理和预算办公室的 Art Manion、Eric Mill 和 Conrad Stosz;国家网络总监办公室的 Harry Mourtos;德克萨斯大学奥斯汀分校的 Shravan Narayan;消费者报告的 Maggie Oates;谷歌的 Miguel Ojeda、Matthew Riley;互联网协会的 Christine Runnegar;加州大学圣地亚哥分校的 Deian Stefan;卡内基梅隆大学的 Ben L. Titzer;以及卡内基梅隆大学的 Zachary Weinberg。
摘要 随着基于忆阻技术的内存计算系统的迅速兴起,将此类内存设备集成到大规模架构中是需要解决的主要问题之一。在本文中,我们研究了基于 HfO 2 的忆阻设备在大规模 CMOS 系统(即 200 毫米晶圆)中的集成。分析了单金属-绝缘体-金属设备的直流特性,同时考虑了设备间的差异和开关特性。此外,还分析了样品原始状态下漏电流水平的分布,并将其与被测设备中未成形的忆阻器数量相关联。最后,将得到的结果拟合到基于物理的紧凑模型中,从而可以将其集成到更大规模的模拟环境中。