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2023财年全球南方面向未来共同创造项目补充预算...
2023年度补充预算“全球南方未来型共同创造项目补贴（促进日本企业海外基础设施扩建调查：第二次申请征集）”补贴对象选定结果公告 2024年12月12日 凸版株式会社 2023年度补充预算“全球南方未来型共同创造项目补贴（促进日本企业海外基础设施扩建调查：第二次申请征集）”补贴对象申请于2024年9月9日（星期一）至2024年10月11日（星期五）接受，共收到163份申请。
研究论文 VR与AI技术在大学英语教学中的应用与探索
为了提高大学英语教学效果，本文将VR和AI技术应用到大学英语教学中。根据英语教学图像的像素结构及其阵列驱动设计，本文提出了一种半有源地址驱动的像素结构。并且，本文通过调节计算机或FPGA产生的时钟信号CLK的周期来控制扫描速率，从而决定图像传输的速度。此外，为了确定共源共栅结构的输出DC值，对负反馈环路进行偏置，构建了智能教学系统。通过教学评估研究可以看出，本文提出的基于VR技术和AI技术的大学英语教学方法可以有效提高大学英语的教学效果。
有机薄膜晶体管的阈值电压控制的三端浮栅
摘要 - 浮动门（FG）细胞作为控制在thranddiode配置中操作的有机薄膜晶体管（TFTS）的电路级别方法。充电和排放。使用不超过4 V的编程电压，实现了阈值电压的系统调整到-0.5和2.6 V之间的值。该概念的多功能性是通过使用有机-TFT的FG细胞作为被动式直流体中可编程阈值溶剂的转置和二极管载荷式逆变器，并在透明，透明的透明塑料底物上制造的。直接菌显示出频率响应，改善3-DB点和涟漪降低。具有可编程FG-TransDiode负载的逆变器比传统的二极管逆变器具有更大的小信号增益，更大的输出 - 电压摆动和更大的噪声余量。
顶栅2D晶体管的单晶金属氧化物介电
二维（2D）结构由具有高载体迁移率的原子薄材料组成的二维（2D）结构已被研究为未来晶体管1-4的候选。然而，由于合适的高质量介电的不可用，尽管具有优越的物理和电气特性，但2D现场效应晶体管（FET）仍无法获得全部理论潜力和优势。在这里，我们证明了原子上薄的单晶Al 2 O 3（C-al 2 O 3）作为2D FET中的高质量顶栅介电。通过使用插入式氧化技术，在室温下，在单晶Al表面形成了稳定，化学计量和原子较薄的C-Al 2 O 3层，厚度为1.25 nm。由于有利的晶体结构和明确定义的接口，栅极泄漏电流，界面状态密度和C-AL 2 O 3的介电强度3符合国际路线图3,5,7的国际路线图3,5,7。通过由源，排水，电介质材料和门组成的一步转移过程，我们实现了顶部的MOS 2 FET，其特征是以61 mV的陡峭亚阈值摇摆为61 mV-1-1-1，高/OFF电流比为10 8，并且非常小的滞后率为10 mV。这种技术和材料证明了产生适合整合到完全可扩展的晚期2D FET的高质量单晶氧化物的可能性，包括负电容晶体管和自旋晶体管。
共栅极 LNA 中的新型噪声消除拓扑
本文提出了一种设计噪声消除共栅 (CG) 低噪声放大器 (LNA) 的新方法。该方法研究使用电感退化共源 (IDCS) 级与 CG 级并联，而不是共源 (CS) 级。考虑到 IDCS LNA 的特殊规格，所提出的拓扑可以实现更低的噪声系数 (NF) 和更好的输入阻抗匹配。对该拓扑进行了分析计算，并给出了满足输入阻抗匹配和噪声消除条件的方程。还通过计算每个噪声源的传递函数来计算所提出的 LNA 的 NF，同时满足这些条件。为了验证理论分析，设计并优化了两个不同的 X 波段 LNA。使用先进设计系统 (ADS) 电磁动量和 GaAS pHEMT 0.1 µ m 工艺模型进行模拟。结果表明，所提出的方法可以实现更好的输入阻抗匹配和更低的 NF，而输出阻抗匹配和增益具有相对相同的行为。
西孟加拉邦 Maulana Abul Kalam Azad 科技大学
模块 II 6L 高频晶体管模型、单级和多级放大器的频率响应、共源共栅放大器。各种操作类别（A、B、AB、C 类等）、反馈拓扑：电压串联、电流串联、电压分流、电流分流、反馈对增益、带宽等的影响，模块 III 6L 振荡器：基本概念回顾、巴克豪森准则、RC 振荡器（相移、维恩电桥等）、LC 振荡器（Hartley、Colpitt、Clapp 等）、多谐振荡器（单稳态、非稳态和双稳态）电流镜：基本拓扑及其变体、VI 特性、输出电阻和最小可持续电压 (VON)、最大可用负载。模块 IV 10L 差分放大器：基本结构和工作原理、差分增益、共模增益、CMRR 和 ICMR 的计算。运算放大器：基本结构和特性、反相和非反相放大器