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World File Search System共沉积
应用催化A，一般-Orca -Cardiff University
比较了CVI在Ga 2 O 3上沉积在Ga 2 O 3上的PD行为，以与甲醇的CO 2的氢化进行比较。ga 2 o 3仅是不活跃的，但是在2 O 3中具有良好的转换，并且选择性高达89％，至CH 3 OH。在2 O 3中，向催化剂中添加PD的影响相对较小，但是相反，将PD添加到Ga 2 O 3中，具有很大的作用，引起了对甲醇的高活性和选择性。两种氧化物形成PD Interallics -PD 2中的PD 2和PD 2 GA。然而，对于催化剂中，氧化物的厚（〜3 nm）叠加剂也有厚度（〜3 nm），而对于GA催化剂，则没有这样的覆盖层。因此，这就是为什么与ga。此外，研究了Pd和Zn共沉积对GA o o o₃o和IN₂O₃中的影响，以及支持形态的效果。在PD和Zn的共沉积后，还原后，3催化剂中的PD 2保持相位稳定，而PD 2 GA合金被PDZN取代，并改善了甲醇的产量。
量子增强机器学习，用于分类物质的量子阶段
•4 4''磁控元音源用于共沉积（目前为1个脉冲DC，2 rf电源）•援助源EH200HC（尚未要求，但请求额外的资金）•高真空度（<6×10 -8 mbar）•5个速度（ar，o2，n2，.. diameter • Substrates up to 125 mm diameter, up to 20 mm thickness • Rotated substrate holder , heating up to 700°C • Predisposition for RF susbtrate bias • Predisposition for several in-situ diagnostics : RGA, ellipsometry, energy-mass spectrometry, stress/curvature measurement, optical(photon) emission monitor, ..
来自原位光致发光的见解
摘要：目前，单结钙钛矿基太阳能电池的光电转换效率已达到26%以上。钙钛矿基光电器件效率的进一步提升主要受到缺陷的限制，缺陷会导致载流子的非辐射复合。为了提高效率并确保可重复地制造高质量的层，了解钙钛矿的成核和生长机制以及相关的工艺控制以降低缺陷密度至关重要。在本研究中，我们研究了一种有前途的窄带隙钙钛矿——甲脒甲基铵碘化铅 (FAMAPbI 3 )，用于高性能单结太阳能电池。通过掠入射广角 X 射线散射和光致发光实时检查了 FAMAPbI 3 真空共沉积过程中结构和光电特性的时间演变。这种分析技术的组合揭示了钙钛矿沉积早期阶段与晶格应变相关的固有缺陷密度和层形貌的演变。关键词：铅卤化物钙钛矿、真空沉积、原位表征、缺陷、固有应力■简介
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摘要 - 我们使用碳钢浴（MS）底物上的硫酸盐浴对锌 - 尼克利合金的电沉积。使用船体细胞实验来优化浴室组成和工作条件。硫酸（SA）用作涂料的添加剂。浴室表现出异常的共沉积，更多的锌被沉积在贵族镍上。研究了涂层中温度和电流密度对涂层厚度，硬度，耐腐蚀性和重量％的影响。使用降低的动力学极化和电化学阻抗光谱方法研究了涂层锌 - 奈克合金膜（wt。％3.5）溶液中涂层的腐蚀行为。通过比色法确定涂料中的镍含量，并通过能量色散X射线光谱（EDX）技术进行验证。原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）技术用于确定涂层的表面粗糙度和表面地形。结果表明，在最佳电流密度（3A dm -2）下，锌 - 尼克涂层具有最高的耐腐蚀性（0.213 mm y -1）。因此，由于它们的优势耐腐蚀性，Zn-Ni涂层已被主要用于保护许多行业中的碳钢组件，包括汽车，军事和航空航天部门。
含钽的 MoS2 高性能空间润滑
自 1950 年代以来，二硫化钼涂层就被用作航天器的润滑剂，但仍然面临着重大的工程挑战，包括在陆地空气和深空真空环境中的性能以及数十年无需维护的使用寿命。 MoS 2 与添加剂化合物的共沉积在某些情况下已经取得了进展，但一种可以在所有面向太空的环境中工作且使用寿命长的润滑剂仍然是一个持续存在的问题。在此，我们展示了一种新型 MoS 2 + 钽润滑涂层的多环境适应性能，该涂层在陆地和太空环境中均表现出色，而基准的太空级商用 MoS 2 润滑剂涂层则不然。值得注意的是，10% 钽添加剂在空气中表现出优先氧化以保持 MoS 2 的润滑能力，同时形成 TaS 2 相，这有助于 MoS 2 在超高真空中的出色润滑。此外，在空气和真空环境中，分别观察到完全不同的小颗粒和致密片摩擦膜，这使得单一涂层可以根据环境调整润滑机制。这种新型涂层树立了标杆，成为第一个完全通用的太空润滑剂实例，在陆地和深空环境中均具有高性能。
采用紫外飞秒激光烧蚀电离质谱法对 SnAg 焊料凸点进行三维成分分析
老材料在微电子领域的重要性日益凸显，不仅体现在二级封装（即印刷电路板组装层面），也体现在一级封装（例如，图 1 a 所示的倒装芯片组装）中。1 在这些应用中，各种类型、不同尺寸的焊料凸块用于三维集成电路 (3D-IC) 的复杂互连。1a 典型焊料凸块的构建示意图如图 1 b 所示。当今 300 毫米晶圆级焊料凸块应用技术上最相关的合金材料是电沉积共晶 SnAg。1b 然而，由于 Sn 2+ 和 Ag + 离子的标准还原电位差异很大（ΔE0≈0.94V），通过电化学沉积制造 SnAg 合金是一项艰巨的任务。为了解决这个问题，通常会在 SnAg 电镀液中添加络合剂和螯合剂，这些络合剂和螯合剂选择性地作用于较惰性的 Ag + 离子，从而减慢其沉积速度以与 Sn 2+ 相兼容，并促进两种金属的共沉积。2 这是实现所需合金成分的关键先决条件。3 此类络合剂和螯合剂的另一个补充功能是稳定含 Sn 电解质中的 Ag + 离子，防止其还原为金属 Ag 以及随之而来的 Sn 2+ 氧化
由介质引起的高度有序的硅化物波纹图案……
我们研究了在近乎正常的 40 keV Ar + 溅射和同时进行的 Fe 斜向共沉积下硅表面的纳米图案化。离子束入射角保持在 15°，在没有金属掺入的情况下不会产生任何图案。通过原子力显微镜（其形态和电模式）、卢瑟福背散射光谱、X 射线光电子能谱、扫描俄歇以及透射和扫描电子显微镜进行形态和成分分析。最初，纳米点结构随机出现，随着离子通量的增加，它们逐渐沿与 Fe 通量垂直的方向排列。随着通量的增加，它们聚结在一起，形成波纹图案。随着与金属源的距离减小（即金属含量增加），图案动态和特性分别变得更快和增强。对于最高的金属通量，波纹会变得相当大（高达 18 μ m）且更直，缺陷很少，图案波长接近 500 nm，同时保持表面粗糙度接近 15 nm。此外，对于固定离子通量，图案顺序会随着金属通量而改善。相反，图案顺序随离子通量增加的增强率并不依赖于金属通量。我们的实验观察与 Bradley 模型的预测和假设一致 [RM Bradley，Phys。Rev. B 87，205408（2013）] 几项成分和形态研究表明，波纹图案也是成分图案，其中波纹峰具有更高的铁硅化物含量，这与模型一致。同样，波纹结构沿着垂直于 Fe 通量的方向发展，并且图案波长随着金属通量的减少而增加，其行为与模型预测在性质上一致。
镍铼合金涂层的电解生产和表征，
从而更能抵抗开发的影响。目前，已有多种已知且广泛用于工业的涂层沉积方法，例如选择性激光熔化、使用微米和纳米级粉末的 HVOF 技术以及反应爆炸喷涂 [1-3]。电沉积是另一种可以生产具有特定功能特性的现代涂层的方法。通过控制电沉积参数（即电流、电压、温度和镀液成分），可以影响所得材料的结构，从而影响其性能。该方法的本质是可以同时共沉积几种金属以形成合金，甚至将金属粉末掺入涂层结构中 [4-18]。镍是广泛用于各种电化学过程中的金属之一，因为它具有良好的耐腐蚀性。为改善镍镀层，人们采用了各种改性方法，例如使用合金代替纯元素 [5,6,12]。电解镍镀层中一种有趣的添加剂是铼，它是地球上最稀有、最昂贵的金属之一。金属铼类似于铂，通常被归类为贵金属。纯净的铼是一种银色、有光泽且硬度较高的金属。它可精炼金属合金，显著提高其硬度和耐腐蚀性。铼只溶解在氧化性酸中：硝酸和热浓硫酸。大量铼用于生产特殊合金或超级合金，例如在航空工业中用于生产喷气发动机部件。铼还用于生产热电偶、加热元件、电触点、电极、电磁铁、真空和 X 射线灯、闪光灯泡、金属涂层，也可用作复分解和环氧化等反应的催化剂 [19-22]。由于铼属于“耐腐蚀金属”类，因此亚铁族阳离子的存在对于电解合金涂层的形成是必要的。含铼合金涂层的电沉积研究已成为许多研究的主题。此类材料可通过电流和化学沉积方法生产 [23-25]。
带 CoSi2 栅极的 MOS 隧道发射极
带有 CoSi 2 栅极电极的高性能 MOS 隧道阴极 T. Sadoh、Y. Zhang、H. Yasunaga、A. Kenjo、T. Tsurushima 和 M. Miyao 九州大学电子系 6-10-1 Hakozaki，福冈 812-8581，日本 电话：+81-92-642-3952 传真：+81-92-642-3974 电子邮件：sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp 1. 简介 高稳定性低电压工作的微阴极是真空微电子学和先进平板显示技术中不可或缺的一部分。到目前为止，已经对具有金属-绝缘体-金属 (MIM) 结构 [1] 和金属氧化物半导体 (MOS) 结构 [2-4] 的隧道阴极进行了研究。Yokoo 等人。报道了具有 Al 或 n + 非晶硅 (a-Si) 栅极的 MOS 隧道阴极的工作特性 [2, 3]。具有 Al 栅极的阴极的发射效率高，但 Al/SiO 2 界面不稳定。另一方面，具有 a-Si 栅极的阴极的 a-Si/SiO 2 界面稳定。然而，a-Si 栅极的电阻相对较高，发射效率较低。因此，迫切需要提高阴极的发射效率和寿命。为了提高它们，需要具有低电阻和稳定电极/氧化物界面的高质量薄栅极电极。CoSi 2 是电阻最低的硅化物之一，具有化学和热稳定性。因此，预计采用 CoSi 2 作为栅极材料将提高阴极的性能。在这项研究中，研究了具有 CoSi 2 栅极的隧道阴极的工作特性，并证明了薄 CoSi 2 膜可以提高发射效率和寿命。这是关于具有 CoSi 2 栅电极的 MOS 隧道阴极的首次报道。2. 实验步骤所用衬底是电阻率为 10 Ωcm 的 n 型 Si。通过湿法氧化生长 160nm 厚的场氧化物。去除具有 0.3mm 2 的圆形栅极图案的氧化物后，通过干氧化在 900 ℃持续 22 分钟生长 10nm 厚的栅极氧化物。为了改善栅极氧化物，将样品在 Ar 中以 1100℃退火 90 分钟。栅极氧化后，使用固体源 MBE 系统在基底温度为 400℃下通过共沉积 Co 和 Si 形成 5-10nm 的 CoSi 2 栅电极，基底压力为 5x10 -11 Torr。最后，通过沉积 Al 形成接触。样品的示意图和能带图分别如图 1 和图 2 所示。测量了二极管电流 Id 和发射电流 Ie 与栅极偏压的关系。3. 结果与讨论图 3 显示了二极管和发射电流密度与电场的典型依赖关系。在 7 MV cm -1 以上的电场下，可以观察到电子的发射。图 4 显示了图 3 中数据的 Fowler-Nordheim 图。发现二极管和发射