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第 2 部分：系统电源管理和便携式电源
您还应尝试使用尽可能少的电压来设计系统；即不要生成系统中未使用的中间总线电压。此规则有一个重要的例外，即最好使用 LDO 来生成低噪声电源电压，例如为混合信号设备供电，例如 ADC、PLL 或其他噪声敏感模拟电路。在这种情况下，使用降压转换器（在某些情况下是升压转换器）作为 LDO 的预调节器可能是明智的。降压或升压转换器的输出略高于 LDO 输出电压加上 LDO 压差电压。这可以最大限度地减少 LDO 中的功耗。
电源 XED
独特功能 - 专有硅芯片 [CiS] 技术 - 硅（Si-wafer）通用封装 - 微型尺寸：2.55mm x 2.55mm x 0.6mm - 单色范围，公差严格：Mac Adams 6 - 同类最佳热阻：5,1 K/W - 适合在标准 FR4 - 和 MC - PCB 上组装，设计和指定用于 - 汽车外部和内部照明 - 汽车日间行车灯 - 医疗和牙科照明 - 运输设备内部照明（飞机、火车、船舶） - 应急灯具 - 手持电子设备（手机、PDA）的闪光灯 - LCD 显示器的背光光源 - 卤素灯的替代品 - 装饰和建筑照明 - 重点照明 - 高品质手电筒和娱乐灯 - 工业设备照明。CCT：5700K。光通量：60 流明。CRI > 75 (Ra8)。标准 SMT 组装。典型平均寿命*)：> 50,000 小时 (T70)。ESD 耐压：2kV
在低温温度下的半导体设备和其他电源电源库的审查
摘要随着对高功率密度的需求不断增长，并且为了满足极端的工作条件，研究集中在涉及低温温度下电力电子设备的性能上。本文的目的是审查功率半导体设备，被动组件，栅极驱动器，传感器，最终在低温温度下的电力电子转换器的性能。通过比较半导体材料的物理特性和商业功率半导体设备的电性能，碳化硅开关由于在低温温度下的抗性和切换时间增加而显示出明显的缺点。相反，当温度降低时，硅和氮化壳设备的性能提高了。功率半导体设备的性能上限可能会受到门驱动器的影响，与室温相比，商业替代方案在低温温度下表现出恶化的性能。此外，在低温环境中的电压和当前意义的选项是合理的。基于上述各种组件的低温性能，本文以概述了已发表的转换器的概述，这些转换器在低温环境中进行了部分或全面测试。