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HBM2 DRAM 芯片中 RowHammer 的实验分析
RowHammer (RH) 是现代 DRAM 芯片的一个重大且日益恶化的安全性、可靠性问题，可利用该问题来破坏内存隔离。因此，了解真实 DRAM 芯片的 RH 特性非常重要。遗憾的是，之前没有研究广泛研究现代 3D 堆叠高带宽内存 (HBM) 芯片的 RH 漏洞，而这种芯片通常用于现代 GPU。在这项工作中，我们通过实验表征了真实 HBM2 DRAM 芯片的 RH 漏洞。我们表明：1) HBM2 内存的不同 3D 堆叠通道表现出明显不同级别的 RH 漏洞（误码率相差高达 79%），2) DRAM 组末尾的 DRAM 行（具有最高地址的行）表现出的 RH 位翻转明显少于其他行，3) 现代 HBM2 DRAM 芯片实现了未公开的 RH 防御措施，这些措施由定期刷新操作触发。我们描述了我们的观察结果对未来 RH 攻击和防御的影响，并讨论了理解 3D 堆叠存储器中的 RH 的未来工作。
玻璃芯基板：CHIPS和MMI的机遇
SK 集团将在佐治亚州科文顿建立首家基于玻璃的半导体部件合资企业（Absolics）与 GT-PRC 的互动 州长 Brian P. Kemp 宣布（佐治亚州亚特兰大 – 2021 年 10 月 28 日） 公司将在这个前所未有的合资企业中投资超过 4.73 亿美元，并将在牛顿县创造 400 多个新工作岗位 2022 年 11 月动工 2024 年产量最低；2025 年产量最高
集成光子芯片中的编码纠错
1 香港理工大学量子技术研究所 (IQT)，香港 2 南洋理工大学量子科学与工程中心 (QSec)，新加坡 639798 3 哥本哈根大学尼尔斯·玻尔研究所混合量子网络中心 (Hy-Q)，丹麦哥本哈根 DK-1165 4 布里斯托大学 HH Wills 物理实验室和电气电子工程系量子工程技术实验室，布里斯托 BS8 1QU，英国 5 同济大学物理科学与工程学院精密光学工程研究所，上海 200092，中国 6 新加坡科技研究局微电子研究所，新加坡 138634 7 先进微晶圆代工厂，新加坡 117685 8 新加坡国立大学量子技术中心，新加坡 117543 9 南洋理工大学国立教育学院，新加坡 637616
铁氧体电感器与压粉芯电感器
电感器和变压器磁芯由软磁材料制成。“软”磁材料很容易磁化和消磁，并且只有在通过改变缠绕在其周围的绕组（或“匝”）中的电流来激发这些磁芯并产生电磁场时，才会出现磁场。术语“软”表示磁场不是永久的，当电流停止时磁场就会消失。这与我们通常所说的磁铁不同。“永久”磁铁通常用于拾取或将物体附着在含铁（铁质）金属上（例如冰箱磁铁），并且无需绕组或外部刺激即可产生永久磁场。
CU 芯柱可实现细间距和高频...
引言 产业界要求器件薄、轻、短、小、性能高，细间距、高密度封装成为必然手段。然而，为了完全实现产业化，许多特性还有待改进，如散热、导电性、热导率、尺寸精度等。此外，在3D封装组装结构中，特别是像堆叠封装（PoP），焊料凸块可能会因为顶部封装的重量而坍塌。几年前，产业界引入了铜芯焊球来改善这些问题。顾名思义，铜芯焊球以球形铜为芯，在中心镀镍和焊料[1]-[2]。镀镍可有效防止锡和铜之间的扩散。铜芯焊球本身具有优异的导电特性和间隙高度优点，可以控制和保持一致的空间，防止封装之间的凸块坍塌。除此之外，Cu还有三大物理特性：高熔点（1083℃）、高电导率、高热导率。
用于高频的先进纳米晶磁芯...
与我们所有的产品一样，我们的纳米晶磁芯是定制产品，可满足特定设计要求。我们的制造工艺采用基于设计频率控制的专门退火系统。磁芯的外形可以配置为 C、E、环形、条形等，以及标准 AMCC 等尺寸，如单个、非堆叠或定制尺寸。如果需要，它们还可以通过多次切割来减少边缘损耗，或者配置为适合定制应用的机械加工。作为以客户为中心的制造商，我们提供高度的工程支持，并适合灵活的制造量，从单个原型或概念验证到大规模批量生产。有关 MK Magnetics, Inc. 纳米晶磁芯的更多信息，请直接联系我们。
采用 ENGAGE™ 技术的无线插芯锁 - 概述
LE 无线锁将锁、凭证读取器、门位置传感器和请求退出开关整合到一个单元中，从而简化了安装。LE 无线锁只需要对现有的机械榫眼准备进行少量修改，无需将电线连接到锁或添加硬件。LE 套件采用最受欢迎的 Schlage L 系列装饰杆、钥匙槽和饰面，提供有吸引力的选择，以满足几乎所有设施的要求。LE 非常适合办公室和套房入口、会议室、公共区域门、居民单元和带有榫眼门准备的敏感存储区域。