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![b'by gr \ xc3 \ xb6bner基依据[FJ03]。相比之下，解决80个布尔二次方程的随机，非结构化的系统仍然是一个艰巨的挑战，在实践中尚未完成。饼干属于多元密码系统的第二类。为了减少签名的大小，其设计师使用特殊形状的多项式。每个（二次）公共多项式可以写入f + g \ xc3 \ x97 h，其中f，g和h是n个变量中的仿射形式。关键是在某些输入向量X上评估这一点需要在有限字段中通过非恒定体进行单个乘法。这是一个非常强大的结构：虽然（n + 1）（n + 2） / 2系数描述了通用的二次多项式，但A \ Xe2 \ x80 \ x9c biscuit -style \ xe2 \ x80 \ x80 \ x80 \ x9d polynomial仅由3 n + 1系数完全描述。设计师观察到，这种结构比一般的MQ问题相比，这种结构能够更好地攻击算法。在提交文档[BKPV23A]中，他们提出了一种简单的组合算法，该算法在n变量中求解饼干 - 式多项式系统在有限的字段上，使用\ xcb \ x9c o q 3 n/ 4操作，并使用Q元素进行Q元素。这比详尽的搜索\ xe2 \ x80 \ x94要好得多，它需要\ xcb \ x9c o（q n）操作。在一般情况下，尚无这种改进的组合算法，这是一个强烈的暗示，即额外的结构使问题更容易。”](/simg/1/1d77c9265b1d8d34fa75fc68715ac08b0fa11253.webp)
b'by gr \ xc3 \ xb6bner基依据[FJ03]。相比之下，解决80个布尔二次方程的随机，非结构化的系统仍然是一个艰巨的挑战，在实践中尚未完成。饼干属于多元密码系统的第二类。为了减少签名的大小，其设计师使用特殊形状的多项式。每个（二次）公共多项式可以写入f + g \ xc3 \ x97 h，其中f，g和h是n个变量中的仿射形式。关键是在某些输入向量X上评估这一点需要在有限字段中通过非恒定体进行单个乘法。这是一个非常强大的结构：虽然（n + 1）（n + 2） / 2系数描述了通用的二次多项式，但A \ Xe2 \ x80 \ x9c biscuit -style \ xe2 \ x80 \ x80 \ x80 \ x9d polynomial仅由3 n + 1系数完全描述。设计师观察到，这种结构比一般的MQ问题相比，这种结构能够更好地攻击算法。在提交文档[BKPV23A]中，他们提出了一种简单的组合算法，该算法在n变量中求解饼干 - 式多项式系统在有限的字段上，使用\ xcb \ x9c o q 3 n/ 4操作，并使用Q元素进行Q元素。这比详尽的搜索\ xe2 \ x80 \ x94要好得多，它需要\ xcb \ x9c o（q n）操作。在一般情况下，尚无这种改进的组合算法，这是一个强烈的暗示，即额外的结构使问题更容易。”
b'by gr \ xc3 \ xb6bner基依据[FJ03]。相比之下，解决80个布尔二次方程的随机，非结构化的系统仍然是一个艰巨的挑战，在实践中尚未完成。饼干属于多元加密系统的第二类。为了减少签名的大小，其设计师使用特殊形状的多项式。每个（二次）公共多项式可以写入f + g \ xc3 \ x97 H，其中f，g和h是n个变量中的仿射形式。关键是在某些输入向量X上评估这一点需要在有限字段中通过非恒定体进行单个乘法。这是一个非常强大的结构：虽然（n + 1）（n + 2） / 2系数描述了通用的二次多项式，但A \ xe2 \ x80 \ x9c biscuit -style \ xe2 \ x80 \ x80 \ x80 \ x9d polynomial仅由3 n n n n + 1 coefficiations进行了充分描述。设计师观察到，与一般MQ问题相比，这种结构可以实现更好的攻击算法。在提交文档[BKPV23A]中，他们提出了一种简单的组合算法，该算法在n变量的n变量中求解饼干 - 式多项式系统，并在有限的字段上使用\ xcb \ x9c o q 3 n/ 4操作，并使用Q元素进行Q元素。这比详尽的搜索\ xe2 \ x80 \ x94要好得多。它需要\ xcb \ x9c o（q n）操作。在一般情况下，没有这种改进的组合算法，这是一个很大的暗示，即额外的结构使问题更容易。
激光直接写入任意复杂聚合物微结构，氮氧化物介导的光聚合
Siham Telitel，Jason C Morris，Yohann Guillaneuf，Jean-LouisClément，Fabrice Morlet-Savary等。激光直接编写硝基氧化物介导的pho介导的聚合物微结构的激光撰写。ACS应用材料和界面，2020，12（27），pp.30779-30786。10.1021/ac-Sami.0C06339。hal-02997174
RRAM 的写入终止电路：从技术到应用考虑的整体方法
摘要 虽然电阻式随机存取存储器 (RRAM) 如今被视为未来计算的有前途的解决方案，但这些技术在编程电压、开关速度和实现的电阻值方面存在内在的可变性。写入终止 (WT) 电路是解决这些问题的潜在解决方案。然而，以前报道的 WT 电路并没有表现出足够的可靠性。在这项工作中，我们提出了一种工业上可用的 WT 电路，该电路使用根据实际测量校准的 RRAM 模型进行模拟。我们执行了大量 CMOS 和 RRAM 可变性模拟，以提取所提出的 WT 电路的实际性能。最后，我们使用从实际边缘级数据密集型应用中提取的内存痕迹来模拟所提出的 WT 电路的效果。总体而言，我们在位级别展示了 2 × 到 40 × 的能量增益。此外，由于采用了所提出的 WT 电路，我们展示了 1.9 × 到 16.2 × 的能量增益，具体取决于应用程序的内存访问模式。
利用激光写入器进行局部光漂白染料微结构化获得选择性光栅
1. 简介光学活性有机材料的图案化是众多涉及有机发射极的应用的关键特征。有机材料的图案化通常使用软光刻工艺实现 [1,2]，因为微电子领域中使用的传统光刻技术通常与敏感材料不兼容 [3]。尽管如此，软光刻通常需要复杂的层转移和表面化学，这取决于预想的器件结构。染料光漂白代表了一种替代的结构化方法。通常，光漂白被认为是有机发射极的限制 [4,5]。但是，可利用此特性来抑制染料的发射和吸收 [6]，这可用于控制染料特性以实现强耦合应用 [7]。在本文中，我们提出了一种基于染料层局部光漂白 [7,8] 的新方法，从而无需复杂的光刻处理即可获得微结构有机材料。此外，我们利用工业激光写入器对材料进行局部光漂白。与所有无掩模光刻方法（例如基于空间光调制器的光刻 [9,10]）一样，这种用途广泛的技术可以轻松制造任何类型的微结构平面几何形状。此外，光漂白方法的主要兴趣之一是它只改变吸收波长范围内的光学指数 [7]。因此，获得的结构强烈依赖于波长。为了验证我们方法的效率，我们建议将这一概念应用于制造不同形状和周期的波长选择性光栅。这种简单的加工技术可以作为先前描述的选择性波长光栅制造方法 [11–15] 的便捷替代方法，例如多重干涉 [11–13]、胆甾液晶 [14,15] 或等离子体系统 [16,17]。
智能写入算法可提高 RRAM 宏的性能和可靠性
摘要 — 本文全面评估了各种设计辅助技术对硅基原生 RRAM 固有性能和可靠性的影响。设计和技术的协同优化在取代传统闪存成为主要解决方案方面起着至关重要的作用。我们展示了采用先读后写、电流限制和写入终止技术分别可将编程操作期间的功耗降低 47%、56% 和 13%。通过与写入验证和纠错码机制相结合，这些增强功能共同实现了 83% 的能耗降低和 55% 的访问时间显著减少。这些进步是通过引入一种新颖的智能写入算法 (SWA) 实现的。利用在 130nm CMOS 技术中实现的代表性 128kb RRAM 宏，本研究为 RRAM 在嵌入式应用中的可行集成做出了重大贡献。硅片上的实验评估验证了可靠性的提高，在经过 100 万次循环后，读取裕度达到 28.1µA，没有遇到任何读取错误，保持比特错误率 (BER) 在 10 -7 以下。索引术语 — 非易失性存储器、ECC、智能算法、自适应和可重构系统、变体容忍
罗氏将 Ascidian 的 RNA 写入技术纳入其神经学领域
罗氏将与 Ascidian Therapeutics 合作，发现和开发针对神经系统疾病的新型 RNA 外显子编辑疗法，该交易价值可能高达 18 亿美元。这家总部位于马萨诸塞州波士顿的生物技术公司正在开创一种旨在重写外显子的新方法，外显子是 RNA 的编码部分，它们被拼接在一起作为信使 RNA，然后翻译成蛋白质。外显子的突变会导致 Ascidian 想要针对的功能失调的致病蛋白质。Ascidian 相信其平台可以为现有基因治疗和基因编辑技术无法解决的疾病创造疗法。许多基因的大小大且突变变异性高，使它们超出了现有基因编辑和碱基编辑方法的范围。其重点是设计和开发可以重写数千个 RNA 外显子的 RNA 外显子编辑疗法。该技术可以使其能够针对大基因和突变变异性高的基因，同时保持天然基因表达模式和水平。该公司表示，其目标是提供持久的一次性基因治疗，同时“大幅降低”与 DNA 编辑和操作相关的风险。外显子编辑分子足够小，可以装入 AAV 或其他病毒或非病毒载体，包括脂质纳米颗粒，并且这种疗法应该在“正确的时间、正确的细胞中”产生全长、功能性的蛋白质。
通过飞秒激光波导写入玻璃的光子集成电路
相对于激光束。图 2a 描绘了 FLW 过程的图形表示。FLW 是一种串行制造技术，与光刻相比可能并不适合大规模生产。然而，它的速度和简单性使其成为至少在量子技术等快速发展领域中规模生产的有吸引力的选择。可以实现的折射率变化很小，因此设备不如硅或氮化硅等其他平台那么小型化。然而，FLW 因允许三维电路布局（图 2b-c）、与玻璃以外的各种材料兼容（促进复合设备的混合集成）以及与标准光纤的低损耗连接而脱颖而出。FLW 只是通过超短激光脉冲与透明材料的非线性相互作用实现的几种微加工工艺之一。另一个例子是飞秒激光烧蚀，它可以精确去除材料，从而形成三维微结构，如图 2a 所示的微沟槽。将飞秒激光烧蚀与激光烧蚀相结合，可以提高集成光子器件的性能，例如可编程光子集成电路 [5]，它集成了波导、电可编程干涉仪和空心结构，从而实现了非常低的
多光束掩模版写入过程的多尺度建模
在快速发展的半导体制造领域，多光束掩模版写入机 (MBMW) 已成为光掩模生产的重要工具。光掩模对于不断缩小的半导体元件的生产至关重要。 IMS Nanofabrication 的高性能计算 (HPC) 小组开发的 MBMW 模拟器对理解和改进掩模生产中的写入技术做出了重大贡献。然而，当前 MBMW 模拟方法的一个关键挑战是准确模拟电子背散射等大规模效应的能力有限，而这对于高精度掩模制造至关重要。这项工作通过在 MBMW 模拟器中开发和实施全面的多尺度建模来解决这一差距。主要目标是准确、有效地模拟背散射效应，从而提高模拟器对掩模写入过程中电子散射行为的预测能力。重点是开发一个模型来捕捉不同尺度（从纳米到微米尺度）的反向散射效应。设计模型的目标是模块化和可扩展性。这种灵活性确保了对未来技术发展的适应性和附加模拟模型的集成。实施过程从一维反向散射模拟开始，然后发展到更复杂的二维模型。这种循序渐进的方法不仅提供了对背散射动力学的基本理解，而且还允许对模型进行迭代细化和验证。接下来是错误分析，其中测试模型的能力。这里证明了多尺度方法的准确性和效率，特别是在后向散射起重要作用的场景中。综上所述，这项工作对半导体制造领域做出了重大贡献，特别是在多光束掩模版写入机写入过程的模拟领域。所开发模型的模块化和可扩展性不仅确保了当前的适用性，而且为该领域未来的发展奠定了基础。
电池储能系统 - 与房屋一样安全？写入
随着英国的电力系统脱碳，贝丝对这种能源过渡至关重要，可以使可再生用电使用量增加，并管理国家网格宏观范围和国内物业微观规模的供应/需求平衡。能源过渡的新兴和快速发展的领域需要仔细的管理，以确保国家和商业基础设施和家庭住宅的安全。2023年12月13日，化学工程师机构召集了跨部门圆桌讨论，重点是电池储能系统（BESS）安全，重点是静态存储系统。由Icheme副总裁Mark Apsey MBE（英国可再生能源公司Ameresco）董事总经理Mark Apsey MBE主持了一项混合动力/虚拟讨论。讨论引入了专业工程机构，行业，学术界和监管机构的专家。本文档总结了发生的讨论中的一些关键主题。
e2-nvm：一种内存感知的写入方案，可提高能源效率和使用变量自动编码器
为了克服NVM中的能耗和写入耐力问题，开发了两种方法。第一种方法开发基于硬件的写优化技术[1，10，15，23，46]，这些技术主要基于读取前写入（RBW）模式[52]。在RBW中，写入操作𝑤对存储位置的写操作始终先于读取。将𝑤书写的值与𝑥的旧内容进行了比较，并且只有不同的位。这减少了翻转位的数量，从而减少了能耗并增加了写入耐力[52]。第二种方法通过最大程度地减少写入放大[4，9，25，34，45，54]来解决能耗和写入耐力的问题。但是，这些方法将能效问题与写入放大问题相结合。在许多情况下，导致减少写入放大的技术具有提高能量效率和写入耐力的副作用，但这种情况并非总是如此，如先前的工作[6，26，27]所示，并且我们在本文中的评估。