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量子点自发光子喷射写入
量子点 (QDs) 能够产生非经典光态，是实现量子信息技术的非常有希望的候选者。然而，这些技术所要求的高光子收集效率可能无法达到嵌入在高折射率介质中的“独立”半导体 QD。本文介绍了一种新颖的激光写入技术，能够直接制造与电介质微球自对准的 QD（精度为 ± 30 纳米）。当使用 0.7 数值孔径的物镜时，微球的存在可使 QD 发光收集增强 7.3±0.7 倍。该技术利用激光破坏 GaAs 1-xNx:H 中 N-H 键的可能性，获得低带隙材料 GaAs 1-xNx。微球沉积在 GaAs 1 − x N x :H/GaAs 量子阱的顶部，用于产生光子纳米喷射，该光子纳米喷射可精确去除微球下方的氢，从而在距样品表面预定距离处创建 GaAs 1 − x N x QD。二阶自相关测量证实了使用此技术获得的 QD 发射单光子的能力。
直接成像掩模版写入器
下一代成像技术融合了我们可调四波 LED 投影仪技术、新数据处理方法、外部光栅化引擎、无捕获相关数据重新加载、全区域高分辨率缩放、产量和质量改进工具等诸多方面的重大进步。吞吐量：下一代光引擎功能强大，允许您根据吞吐量选择更少的光引擎，从而降低机器投资成本。四波：下一代采用 360、370、390、405nm LED。这些 LED 可以进行调整以匹配光刻胶灵敏度，从而提高成像效率和调整壁陡度，并允许灵活选择光刻胶和阻焊层类型。符合 DART 标准：下一代包括外部光栅化引擎。这允许高速光栅化，包括数字线宽补偿和缩放，无需等待。使用 DART 优化套件进行全过程控制。视觉增强：Miva 的新视觉技术允许特征测量并改善目标获取。 NextGen 的视野更大，使面板放置更加简单，并且无需重新加载与捕获相关的数据。分辨率：NextGen 目前提供 30µm、15µm 或 6µm 分辨率。
电池储能系统 - 与房屋一样安全？写入
随着英国的电力系统脱碳，贝丝对这种能源过渡至关重要，可以使可再生用电使用量增加，并管理国家网格宏观范围和国内物业微观规模的供应/需求平衡。能源过渡的新兴和快速发展的领域需要仔细的管理，以确保国家和商业基础设施和家庭住宅的安全。2023年12月13日，化学工程师机构召集了跨部门圆桌讨论，重点是电池储能系统（BESS）安全，重点是静态存储系统。由Icheme副总裁Mark Apsey MBE（英国可再生能源公司Ameresco）董事总经理Mark Apsey MBE主持了一项混合动力/虚拟讨论。讨论引入了专业工程机构，行业，学术界和监管机构的专家。本文档总结了发生的讨论中的一些关键主题。
通过 ... 直接激光写入渐变折射率 SiGe 波导
我们报告了通过在硅衬底上外延生长的最初均匀的硅锗 (SiGe) 薄膜中进行相位分离直接激光写入渐变折射率光波导。我们使用了波长为 532 nm 的连续波 (CW) 激光器。激光束聚焦到厚度为 575 nm、Ge 浓度为 %50 的 SiGe 薄膜表面上直径为 5 µm 的光斑。通过熔化表面来诱导 SiGe 薄膜的成分分离，并通过将激光诱导熔化区的扫描速度控制在 0.1-200 mm/s 的范围内来调整成分分布。在高扫描速度下，扫描激光束会产生移动的富 Ge 熔化区，由于扩散限制的 Ge 传输不足，Ge 含量会在后缘积聚。材料特性表明，激光加工的 SiGe 微条带由富含 Ge 的条带芯（> 70% Ge）和富含 Si 的底层包层（<30% Ge）组成。扫描速度相关的相位分离允许制造具有可调成分分布的渐变折射率 SiGe 波导，这些波导通过光学传输测量和使用模拟的模式分析来表征。我们的方法还可以应用于三元半导体 (AlGaAs) 的伪二元合金，其平衡相图与 SiGe 合金的平衡相图相似。
在柔性基材上的3D电极的直接激光写入
本报告描述了一个3D微电极阵列，该阵列集成在薄膜柔性电缆上，用于小动物的神经记录。微电极阵列制造过程整合了传统的硅薄膜处理技术，并通过两光片光刻在微分辨率下对3D结构进行直接激光写入。虽然之前已经描述过3D打印电极的直接激光写入，但该报告是第一个提供一种与微制作电气轨迹集成的高光谱比率激光写入的结构的方法。一个原型是一个16个通道阵列，该阵列由350 µm长的小腿组成，该柄在带有90 µm螺距的网格上。此处显示的其他设备包括仿生蚊子，这些蚊子穿透了鸟类的硬脑膜和多孔电极，旨在促进组织向内生长或增强神经刺激的电荷注入能力。这些设备只是一个新的设计空间的一些示例，它将启用具有可在单千分尺分辨率下定义的功能的高通道计数3D电极阵列。使用自定义激光作者，3D打印过程很快（1 mm 3 /min）。这种高速打印与标准的晶圆尺度工艺相结合，将实现有效的设备制造和新的研究，以研究电极几何形状和电极性能之间的关系。我们预计在小动物模型，神经界面，视网膜植入物和其他需要小密度3D电极的应用中会产生最大的影响。
多光束掩模版写入过程的多尺度建模
在快速发展的半导体制造领域，多光束掩模版写入机 (MBMW) 已成为光掩模生产的重要工具。光掩模对于不断缩小的半导体元件的生产至关重要。 IMS Nanofabrication 的高性能计算 (HPC) 小组开发的 MBMW 模拟器对理解和改进掩模生产中的写入技术做出了重大贡献。然而，当前 MBMW 模拟方法的一个关键挑战是准确模拟电子背散射等大规模效应的能力有限，而这对于高精度掩模制造至关重要。这项工作通过在 MBMW 模拟器中开发和实施全面的多尺度建模来解决这一差距。主要目标是准确、有效地模拟背散射效应，从而提高模拟器对掩模写入过程中电子散射行为的预测能力。重点是开发一个模型来捕捉不同尺度（从纳米到微米尺度）的反向散射效应。设计模型的目标是模块化和可扩展性。这种灵活性确保了对未来技术发展的适应性和附加模拟模型的集成。实施过程从一维反向散射模拟开始，然后发展到更复杂的二维模型。这种循序渐进的方法不仅提供了对背散射动力学的基本理解，而且还允许对模型进行迭代细化和验证。接下来是错误分析，其中测试模型的能力。这里证明了多尺度方法的准确性和效率，特别是在后向散射起重要作用的场景中。综上所述，这项工作对半导体制造领域做出了重大贡献，特别是在多光束掩模版写入机写入过程的模拟领域。所开发模型的模块化和可扩展性不仅确保了当前的适用性，而且为该领域未来的发展奠定了基础。
智能写入算法可提高 RRAM 宏的性能和可靠性
摘要 — 本文全面评估了各种设计辅助技术对硅基原生 RRAM 固有性能和可靠性的影响。设计和技术的协同优化在取代传统闪存成为主要解决方案方面起着至关重要的作用。我们展示了采用先读后写、电流限制和写入终止技术分别可将编程操作期间的功耗降低 47%、56% 和 13%。通过与写入验证和纠错码机制相结合，这些增强功能共同实现了 83% 的能耗降低和 55% 的访问时间显著减少。这些进步是通过引入一种新颖的智能写入算法 (SWA) 实现的。利用在 130nm CMOS 技术中实现的代表性 128kb RRAM 宏，本研究为 RRAM 在嵌入式应用中的可行集成做出了重大贡献。硅片上的实验评估验证了可靠性的提高，在经过 100 万次循环后，读取裕度达到 28.1µA，没有遇到任何读取错误，保持比特错误率 (BER) 在 10 -7 以下。索引术语 — 非易失性存储器、ECC、智能算法、自适应和可重构系统、变体容忍
直接写入打印铜镍 (Cu/Ni) 合金...
摘要：尽管已经展示了各种微观和中观尺度的金属打印工艺，但打印基于合金与另一种合金/金属之间界面的功能设备（如热电偶、热电堆和热通量传感器）需要打印合金的工艺。此外，这些设备需要高质量的结晶合金才能发挥其可接受的功能。本文首次报道了从单一电解质中共电沉积打印单相固溶体纳米晶铜/镍 (Cu/Ni) 合金，该合金具有各种可控成分（Cu100Ni0 至 Cu19Ni81）。打印的合金是纳米晶体（<35 纳米），连续且致密，没有明显的孔隙度，具有出色的机械和磁性，无需任何后处理退火（如热处理）。此外，还展示了使用此工艺制造的功能热电偶。这种工艺不仅可用于制造功能设备，还可以通过打印用于材料表征的合金成分连续库来促进合金的基础研究。关键词：直写打印、受限电沉积、合金打印、铜/镍合金、共电沉积、机械性能、磁性■ 介绍
通过飞秒激光波导写入玻璃的光子集成电路
相对于激光束。图 2a 描绘了 FLW 过程的图形表示。FLW 是一种串行制造技术，与光刻相比可能并不适合大规模生产。然而，它的速度和简单性使其成为至少在量子技术等快速发展领域中规模生产的有吸引力的选择。可以实现的折射率变化很小，因此设备不如硅或氮化硅等其他平台那么小型化。然而，FLW 因允许三维电路布局（图 2b-c）、与玻璃以外的各种材料兼容（促进复合设备的混合集成）以及与标准光纤的低损耗连接而脱颖而出。FLW 只是通过超短激光脉冲与透明材料的非线性相互作用实现的几种微加工工艺之一。另一个例子是飞秒激光烧蚀，它可以精确去除材料，从而形成三维微结构，如图 2a 所示的微沟槽。将飞秒激光烧蚀与激光烧蚀相结合，可以提高集成光子器件的性能，例如可编程光子集成电路 [5]，它集成了波导、电可编程干涉仪和空心结构，从而实现了非常低的