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World File Search System冰雹
简短的交流：使用CMIP6-DAMIP气候模型调查欧洲冰雹破坏的趋势
图3：北部医学温度异常的时间。（a）观察到的（实心黑线）和各种强迫实验的多模型平均异常，大型火山喷发在时轴上由长滴答表示。（b）DAMIP多模型平均值（实线）以及六个模型（各种符号）的平均值，用于Aero（蓝色）和GHG（金）实验。
海洋热浪和人为气候变化在西班牙巨大的冰雹事件中的主要作用
摘要在2022年8月30日在西班牙发生的一种严重的冰雹造成了物质和人类损害，其中包括直径高达12厘米的巨型冰雹导致的一场死亡。通过采用伪全球变暖方法，我们在这里评估同时海洋热浪（和人为气候变化）如何影响对这种巨型冰雹的独特环境。主要结果表明，超级电池的发育受到前所未有的对流可用能量的影响，并具有热力学因素的重要贡献。不存在海洋热浪的数值模拟显示出对冰雹的环境的显着降低，这主要与热力学环境中的修饰有关。我们的模拟还表明，前工业前气候中的环境对对流危害不利，因此，冰雹事件可能不会像观察到的那样严重，因此可以执行这种新颖的归因。
使用机器学习的雷达和基于环境的冰雹损害估计
摘要。大型冰雹事件通常很少发生，在特定位置发生的发生之间存在很大的时间差距。但是，当这些事件确实发生时，它们可能会在几分钟之内造成快速而大量的经济损失。因此，至关重要的是，具有准确服从并理解冰雹现象以改善这种影响的线索至关重要。虽然原位观察是准确的，但单个风暴的数量有限。天气雷达提供了更大的观察脚印，但是当前雷达衍生的冰雹尺寸估计值由于水平降落时的水平对流而表现出较低的精度，冰雹尺寸分布（HSD），复杂的散射和衰减和混合水流类型的变化。在本文中，我们提出了一种新的雷达衍生的冰雹产品，该产品使用大量的冰雹损害保险索赔和雷达观察结果进行了探测。，我们使用这些数据集以及环境信息来计算冰雹损害估计（HDE），旨在量化冰雹影响的深度神经网络方法，其关键成功指数为0.88，并确定了针对观察到0.79损害的确定。此外，我们将HDE与流行的冰雹尺寸产品（网格）进行了比较，从而使我们能够识别与网格上偏见相关的气象条件。环境具有相对较低的特异性湿度，高斗篷和CIN，高风速高高，地面的南风与负网状偏置相关，可能是由于HSD，HSD的差异，冰淇淋硬度或混合水合物的差异。相比之下，高斗篷，高CIN和相对较高的湿度高的环境与正面的网格偏置相关。
24L-08L *盒子 21Z-00Z 中的隔离 TSRA* **冰雹...
*21Z-00Z 框中的孤立 TSRA* **预计雷暴期间及附近将出现冰雹、严重湍流和结冰、强降水、闪电和风切变。**
冰雹subsgie dv>
YayimlanmişMakaleler（Sci Indeks）：1。 Sezgin-ugranlı，H.G。 和Özçelep，Y。 （2021）。 “ 根据应力诱导的氧化物电容变化，在不同的电应力水平下确定电源MOSFET的门氧化物降解”，电子设备上的IEEE交易68（2）：688-696。 2。 Sezgin-ugranlı，H.G。 和Özçelep，Y。 （2018）。 “基于恒定电应力下的电容和亚阈值电流测量的VDMOSFET的新方法”，电子设备上的IEEE交易65（4）：1650-1652。 3。 Sezgin-ugranlı，H.G。 和Özçelep，Y。 （2018）。 “在恒定电应力下对VDMOSFET开关功率耗散变化的研究”，微电子学期刊78：81-87。 4。 Sezgin，H.G。 和Özçelep，Y。 （2015）。 “功率MOSFET切换时间变化在恒定电应力下的表征和建模”，微电子可靠性55（3-4）：492-497。YayimlanmişMakaleler（Sci Indeks）：1。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2021）。 “根据应力诱导的氧化物电容变化，在不同的电应力水平下确定电源MOSFET的门氧化物降解”，电子设备上的IEEE交易68（2）：688-696。2。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2018）。“基于恒定电应力下的电容和亚阈值电流测量的VDMOSFET的新方法”，电子设备上的IEEE交易65（4）：1650-1652。3。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2018）。“在恒定电应力下对VDMOSFET开关功率耗散变化的研究”，微电子学期刊78：81-87。4。Sezgin，H.G。和Özçelep，Y。（2015）。“功率MOSFET切换时间变化在恒定电应力下的表征和建模”，微电子可靠性55（3-4）：492-497。