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World File Search System几何测量
高光谱成像用于硅纳米柱阵列的高通量、空间分辨光谱散射测量
摘要：现代高通量纳米图案化技术（如纳米压印光刻技术）使得在大面积基底（cm 2 至 m 2 规模）上制造纳米结构阵列（尺寸为 10 至 100 纳米的特征）成为可能，例如硅晶片、玻璃片和柔性卷对卷网。制造这种大面积纳米结构阵列 (LNA) 的能力创造了广阔的设计空间，实现了广泛的应用，包括光学设备（例如线栅偏振器、透明导体、彩色滤光片和抗反射表面）以及电子元件的构建块（例如超级电容器、传感器和存储器架构）。然而，现有的计量方法将难以与制造方法一起扩展。例如，扫描电子显微镜 (SEM) 和原子力显微镜 (AFM) 具有微米级视场 (FOV)，这妨碍了对以每分钟平方米的速度制造的 LNA 进行全面特性分析。散射测量方法具有更大的 FOV（通常为几百微米到几毫米），但传统散射测量系统一次只测量一个点的样品，这也使得它们对于大规模 LNA 制造来说太慢。在这项工作中，我们展示了使用高光谱成像对传统光谱散射测量方法进行并行化，将该技术的吞吐量提高了 106-107 倍。我们通过使用高光谱成像和反射光谱的逆向建模来展示这种方法，以微米级空间分辨率获得毫米和厘米级 Si 纳米柱阵列结构的三维几何数据。这项工作表明，可以对各种 LNA 进行几何测量，并有可能在大面积上实现高速测量，这对于未来的 LNA 制造至关重要。