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World File Search System几十微米
通过添加微米...
摘要：由于其机械性能较弱，因此很难通过使用常规的丙烯酰胺聚合物凝胶来堵塞水洪水期间断裂的低渗透率储层的断裂水通道。对于此问题，添加了微石墨粉，以增强丙烯酰胺聚合物凝胶的全面特性，从而可以改善断裂水通道的堵塞效果。该过程的化学原理是分层微石墨粉末的羟基和羧基可以与聚丙烯酰胺分子链的酰胺基团进行物理化学相互作用。作为刚性结构，石墨粉可以支持原始聚丙烯酰胺分子链的柔性骨骼。通过刚性和柔性结构的协同作用，粘弹性，热稳定性，拉伸性能以及新型凝胶的堵塞能力可以显着增强。与单个丙烯酰胺凝胶相比，在加入3000 mg/L千分钟大小的石墨粉，弹性模量，粘性模量，相变温度，突破压力梯度，断裂时的伸长率和丙烯酰胺凝胶的张力应力都得到了很大改善。将石墨粉添加到聚丙烯酰胺凝胶中后，可以有效地插入断裂水通道。在裂缝中注入的水断裂过程中，网络水流通道的特性很明显。水洪水的突破压力很高。实验结果是试图开发一种新的凝胶材料，以堵塞断裂的低渗透率储层。
微米厚胶体量子点固体
摘要：短波红外胶体量子点 (SWIR-CQD) 是能够跨 AM1.5G 太阳光谱进行收集的半导体。当今的 SWIR-CQD 太阳能电池依赖于旋涂；然而，这些薄膜的厚度一旦超过 ∼ 500 nm，就会出现开裂。我们假定刮刀涂覆策略可以实现厚 QD 薄膜。我们开发了一种配体交换，并增加了一个分解步骤，从而能够分散 SWIR-CQD。然后，我们设计了一种四元墨水，将高粘度溶剂与短 QD 稳定配体结合在一起。这种墨水在温和的加热床上用刮刀涂覆，形成了微米厚的 SWIR-CQD 薄膜。这些 SWIR-CQD 太阳能电池的短路电流密度 (Jsc) 达到 39 mA cm − 2，相当于收集了 AM1.5G 照明下入射光子总数的 60%。外部量子效率测量表明，第一个激子峰和最接近的法布里-珀罗共振峰均达到约 80% 这是在溶液处理半导体中报道的 1400 nm 以上最高的无偏 EQE。关键词：红外光伏、量子点、配体交换、刀片涂层■ 介绍
ENGG*4080 微米和纳米电子学
从 0 到 100，解释如下：80–100 --> A（优秀）、70–79 --> B（良好）、60–69 --> C（可接受）、50–59 --> D（勉强可接受）、0–49 --> F（不及格）。及格分数为 50 分。为了将您的设计项目分数计入期末成绩，您必须完成期中考试和所有实验室，期中考试成绩必须≥50%，实验室平均成绩必须≥50%。为了正确记录您的分数，您的 Zoom、Teams 和 Crowdmark 帐户必须与您的大学电子邮件地址关联，并且您必须使用学生证上的姓和名登录学习管理和远程学习工具。您需要使用 CourseLink 集成进入 Zoom 会议并登录 Crowdmark，因为这可以简化流程。无法确定原因的提交将不会被评分；无法确定原因的出勤率和参与分数将不会被记录。
2023 年年度报告2024 年03 月
微电子机械系统（ Micro Electro Mechanical Systems ），是建立在微米 / 纳米技 术基础上，对微米 / 纳米材料进行设计、加工、制造、测量和控制的技术。 它可将机械构件、光学系统、驱动部件电控系统集成为一个整体单元的微 型系统，基本特点为微型化、智能化、多功能、高集成度和适用于大批量 生产
3.9 微米处的电离率和等离子体动力学......
19. Mur, VD, Popruzhenko, SV & Popov, VS 强激光辐射电离条件下光电子的能量和动量谱（椭圆偏振的情况）。《实验与理论物理杂志》92，777（2001 年）。
铅硫化物红外探测器（1-3微米）
•新的自动化化学加工（ACP）以较低的成本产生较高的产量。•极端条件下的可靠性极高。•长期的保质期。•密封包装完全消除了对检测区域的湿度攻击。•可用的广泛电气特性。•可用的各种尺寸。•立即交付。•紧凑的集成过滤器/检测器组合。•经100％测试。•艺术微电子制造能力的状态。•专门研究高密度阵列。
钝化对选择性生长亚微米 Ge-on-Si 的影响...
近来，人们对开发工作在短波红外 (SWIR) 波长 [1] 的单光子探测器的兴趣日益浓厚，SWIR 波长定义为工作在约 1000 nm 的 Si 能带边缘之外的波长。光检测和测距 (LIDAR) [2]、透过遮蔽物成像 [3] 和量子通信 [1] 等众多量子技术应用都需要在这些波长下具有这样的单光子灵敏度。例如，由于太阳背景辐射较低且激光安全人眼阈值较高，可通过转移到 SWIR 来改进 LIDAR 应用。在量子通信中，1310 nm 和 1550 nm 的低损耗光纤波长要求任何单光子探测器都能在这些波长下进行探测。虽然超导纳米线探测器 [4] 和 InGaAS/InP SPAD [5] 是现成的单光子探测技术，但 Ge-on-Si SPAD 具有降低后脉冲和提高单光子探测效率的潜力。 [6] 本研究在 260 nm 绝缘体上硅 (SOI) 晶片上制造了 Ge-on-Si SPAD，采用独立吸收、电荷和倍增层几何结构 (SACM) 和横向 Si 倍增层，采用完全兼容 CMOS 的工艺。利用这种几何结构，可以轻松实现与 Si 波导和光纤的集成 [7]，从而实现其在量子通信应用中的潜力。Ge 选择性地生长在 SiO 2 沟槽内，与块状 Ge 生长相比，降低了穿线位错密度 (TDD)。研究了这些器件的暗电流特性，以及不同的 Ge 钝化技术对侧壁的影响。
光学显微镜中的亚微米线宽计量
低至 366 nm 汞线），可以对低至约 0.3 Ilm 的线宽进行光学测量（对于 366 nm 的 f/1 光学元件，艾里斑直径为 0.45 Ilm）。但是，要达到如此窄的线宽，必须对图像中的衍射效应进行建模，并制定一个有意义的标准，确定图像轮廓上的哪个点对应于线的边缘。随着特征高度变得大于大约四分之一波长，并且纵横比（特征高度/宽度）接近并大于 1，这种建模变得越来越困难。这种困难部分是数学上的（例如，不能使用标量理论将特征视为平面，并且对于小线宽和大纵横比，相邻边缘的衍射效应会相互作用）。困难的部分原因还在于，随着特征高度的增加和边缘几何形状与理想垂直形状的偏离，衍射效应变得更加明显，并从边缘进一步传播。事实上，对于大纵横比和非垂直壁，“线宽”的定义本身就有多种解释。