摘要 - 我们的研究在多代理网络中分发了大数据非convex优化。我们考虑平滑(可能)非凸功能的总和的(受约束的)最小化,即代理的总和,以及凸(可能)的凸(可能)非平滑正常器。我们的兴趣是大数据问题,其中有大量变量需要优化。如果通过标准分布式优化算法进行处理,则这些大规模问题可能会因为每个节点的局部计算和通信负担过高,因此可能会棘手。我们提出了一种新颖的分布式解决方案方法,在每种迭代中,代理以不协调的方式更新整个决策向量的一个块。为了处理成本函数的非概念性,新型方案取决于连续的凸近似(SCA)技术,结合了一种新颖的块驱动的推动力共识方案,该方案对执行局部扩展的块状操作和梯度平均跟踪非常有用。建立了渐近收敛到非凸问题的固定溶液。最后,数值结果显示了提出的算法的有效性,并突出了块维度如何影响通信开销和实际收敛速度。
老材料在微电子领域的重要性日益凸显,不仅体现在二级封装(即印刷电路板组装层面),也体现在一级封装(例如,图 1 a 所示的倒装芯片组装)中。1 在这些应用中,各种类型、不同尺寸的焊料凸块用于三维集成电路 (3D-IC) 的复杂互连。1a 典型焊料凸块的构建示意图如图 1 b 所示。当今 300 毫米晶圆级焊料凸块应用技术上最相关的合金材料是电沉积共晶 SnAg。1b 然而,由于 Sn 2+ 和 Ag + 离子的标准还原电位差异很大(ΔE0≈0.94V),通过电化学沉积制造 SnAg 合金是一项艰巨的任务。为了解决这个问题,通常会在 SnAg 电镀液中添加络合剂和螯合剂,这些络合剂和螯合剂选择性地作用于较惰性的 Ag + 离子,从而减慢其沉积速度以与 Sn 2+ 相兼容,并促进两种金属的共沉积。2 这是实现所需合金成分的关键先决条件。3 此类络合剂和螯合剂的另一个补充功能是稳定含 Sn 电解质中的 Ag + 离子,防止其还原为金属 Ag 以及随之而来的 Sn 2+ 氧化
11.使用注意事项 本产品设计为焊接安装。如果您想使用其他安装方法,例如使用导电粘合剂,请事先咨询我们。此外,如果反复受到温度循环或其他热应力,由于与安装基板的热膨胀系数不同,安装部分的焊料(焊锡圆角部分)可能会破裂。由于热应力而产生的裂纹受到安装的焊盘尺寸、焊料量和安装基板的散热的影响。当假设环境温度变化很大时,请仔细设计。
封装在工程实验室环境中。这种封装的传统方法是使用复杂的焊接站,如 Metcal APR5000,它提供光学对准,以便在印刷电路板 (PCB) 上准确放置部件,并运行预定义的回流曲线,使用温控气流焊接或解焊部件。但是,由于成本高昂,这种设施并不常见。或者,使用标准焊接站通常会导致常见错误。用烙铁头接触顶部金属表面加热是最有害的错误之一,会导致 MOSFET 严重损坏。本应用说明是 PolarPAK 系列支持文档之一,介绍了与生产回流曲线紧密匹配的廉价实验室内推荐焊接程序,同时确保即使在实验室工作台上也能获得可靠的焊点。焊点质量通过 X 射线评估,零件的电气功能在焊接和返工程序后均得到验证。
随着互连密度不断缩小,以及制造更细间距基板的成本不断上升,使用传统有机堆积基板的倒装芯片封装在细间距布线方面面临着重大挑战。为了满足这些需求,TSV 中介层应运而生,成为一种良好的解决方案 [1-3]。TSV 中介层提供高布线密度互连,最大限度地减少 Cu/低 k 芯片与铜填充 TSV 中介层之间的热膨胀系数 (CTE) 失配,并由于芯片到基板的互连更短而提高电气性能。TSV 中介层晶圆是通过在硅晶圆上蚀刻通孔并用金属填充通孔来制造的。业界常用的两种 TSV 方法涉及“先通孔/中通孔”和“后通孔”工艺流程。本文中的工作使用“先通孔/中通孔”流程,因为它提供了互连密度的最大优势。通常,使用深反应离子蚀刻 (DRIE) 工艺蚀刻 TSV 通孔以形成高纵横比通孔。 TSV 的直径通常为 10-20 微米,深度为 50-100 微米。TSV 的壁衬有 SiO2 电介质。然后,形成扩散屏障和铜种子层。通过电化学沉积用铜填充通孔。使用化学机械抛光/平坦化 (CMP) 去除铜覆盖层。使用标准后端制造工艺在中介层顶部形成 M1 – Mx 的互连线。中介层顶部涂有钝化层并形成微凸块焊盘。
– 将引线框架的接触点移动到无限平面 – 将引线框架与细间距 pogo 技术相结合 – 减少引线框架特征以匹配凸块间距 – 减少引线框架力以限制晶圆凸块上的接触标记 – 限制擦洗以确保无球剪切
CyberOptics 高分辨率 2D 传感器适用于 SQ3000,可提供 3µm 分辨率的清晰图像。四个独立的白光 LED 环形光通道为检查、测量和缺陷检查提供了极大的灵活性。2D 传感器为各种具有挑战性的应用提供了多功能性,包括引线键合、高级封装、焊球和焊球、镜头检查以及其他对更高准确度和可靠性至关重要的应用。
从Staatliches博物馆fürnaturkundeStuttgart(SMNS)收藏I.来自上奥列内基(A – C)和下Anisian(DF)的标本。A. parotosuchus nasutus(SMNS 5776),下solling fm。B. trematosaurus brauni(SMNS 6207a),下solling fm。C。Rhynchosauroides?schochardti,凸低音(SMNS未经致电),中部Buntsandstein。D. Chirotherium barthii,凸低音(SMNS 4228),上部Solling FM。(Thüringischerchirotheriensandstein)。E. Marcianosuchus angustifrons(SMNS 91318,全型),RötFm。F. Rhynchosauroides ISP。(rhy)和Procolophonichnium(Pro),凸低音(SMNS 51514),Vossenveld FM。信用:地球科学评论(2025)。doi:10.1016/j.earscirev.2025.105085
为了进行这项测试,我们建造了一个反作用结构来支撑右侧机翼,ILEF 测试件就安装在机翼上。我们设计了一组模拟机身舱壁的凸耳,直接与内翼根凸耳连接。这些定制凸耳上装有应变计,目的是估算与反作用结构连接处的负载分布。在最终安装到反作用结构上之前,我们在负载框架中对它们进行了单独校准,并施加了垂直和水平负载。本文重点介绍了选择仪表位置和方向的技术、校准程序和数据分析。最后,我们讨论了从这个项目中学到的一些经验教训。