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World File Search System击穿
在 ATLAS HGTD Beresford, LA 的光束试验中对辐照 LGAD 进行破坏性击穿研究；德国布迈丁；卡斯蒂略·加西亚，L.； LD Corpe
摘要：在过去的几年中，在多次光束测试活动中观察到，当在比实验室测试期间安全操作电压低得多的电压下操作时，辐照的 LGAD 传感器会断裂，并留下典型的星形烧痕。本文提出的研究旨在确定这些传感器可以承受的安全工作电压。作为 ATLAS 高粒度定时探测器 (HGTD) 光束测试的一部分，来自不同制造商的许多辐照传感器在两个测试光束设施 DESY（汉堡）和 CERN-SPS（日内瓦）中进行了测试。将样品放置在光束中并长时间保持在偏压下，以使每个传感器上穿过的粒子数量达到最高。两次光束测试都得出了类似的结论，即当传感器中的平均电场大于 12 V/μm 时，这些破坏性事件就会开始发生。
将激光诱导击穿光谱仪扩展到 900 nm 以上。KL Williams 1 、SM Clegg 2 、C. Legett IV 1 、RK Martinez 2 和
实验：图 1 显示了实验装置的示意图。使用特定于所用激光线的镜子，将波长为 1064 nm、频率为 10 Hz、脉冲能量可变（18 mJ/脉冲 - 50 mJ/脉冲）的 Nd:YAG 激光器导向保持在 7 Torr CO 2 的腔室。腔室的位置使得样品距离用于收集 LIBS 发射的望远镜约 1.5 米。望远镜收集的光聚焦到光纤上，该光纤连接到 OceanInsights 高分辨率光谱仪。
激光诱导击穿光谱
激光发明于 1963 年，此后不久，激光诱导击穿光谱法也得到了发展。1 许多现代分析技术都是以原子光谱为基础来实现典型的汽化和激发。激光诱导击穿光谱 (LIBS) 就是其中之一。元素分析是通过使用快速分析技术即激光诱导击穿光谱 (LIBS) 完成的，该技术已广泛应用于各种工业应用。LIBS 使用由分析仪产生的高能辐射短脉冲。2 LIBS 具有多种优势，例如无化学技术、便携性、空间信息和快速检测。3 但其相对较低的测量重复性是 LIBS 技术的主要缺点。4 LIBS 也称为原子发射光谱法。当原子处于高能态时，它们会从低能级被激发到高能级。5 LIBS 也是一种直接且用途广泛的激光诱导等离子体光谱技术，可分析光谱发射。 6 LIBS 能够同时进行多种物种测量，因此它是一种发射技术。 7 LIBS 也称为激光火花光谱 (LSS) 和激光诱导等离子体光谱 (LIPS)。通过监测发射信号
激光诱导击穿光谱在空间应用中的回顾与展望
a 捷克科学院 J. Heyrovský 物理化学研究所，Dolej ˇ skova 3, CZ 18223，布拉格 8，捷克共和国 b 安特卫普大学，理学院，Groenenborgerlaan 171，BE-2020 安特卫普，比利时 c 布拉格捷克技术大学，核科学与物理工程学院，B ˇ rehov ´ a 78/7，11519，布拉格 1，捷克共和国 d 中欧技术研究所，布尔诺理工大学，Purky ˇ nova 656/123，CZ-61200，布尔诺，捷克共和国 e 物理工程研究所，机械工程学院，布尔诺理工大学，Technick ´ a 2，CZ-61669，布尔诺，捷克共和国 f 德国航空航天中心 (DLR) 光学传感器系统研究所，DE-12489，柏林，德国 g BAM 联邦材料研究与测试 Richard-Willstaetter-Strasse 11, 12489, Berlin, Germany h Lightigo Space sro, Rennesk ´ at ˇ rída 329/13, CZ-63900, Brno, Czech Republic
波前像差对激光诱导击穿产生流动影响的实验研究
研究了相位像差及其对激光诱导击穿引起的流场发展的影响。使用可变形镜将相位像差施加到波长为 1064nm 的高能激光脉冲上。设计了一个实验装置来捕捉激光诱导击穿引起的流场运动，该装置着重于捕捉流场的横向轮廓和同轴轮廓。结果显示，由于非平面相的存在，火花吸收的激光脉冲能量 (181mJ) 显著降低，这是由于在通常发生击穿的焦平面中扩散所致。在收集的数据中，研究了 Zernike 0 ◦ 散光、Zernike Y-彗形像差和 Zernike 球面像差的单个实例。著名的 Horn-Schunck 光流法用于分析阴影图像，产生运动的密集光流场表示。结果表明，所研究的每种像差都会产生独特的流场，显示出超特定局部流规范的潜力，并进一步讨论了其含义。
纳米级时间相关电介质击穿 (nanoTDDB ...
新沉积的介电材料的质量控制是 nanoTDDB 使用的另一个例子。具体来说，当使用原子层沉积 (ALD) 制备薄氧化膜时，需要对该过程进行微调以产生可重复的结果。这里用 ALD 制备二氧化硅膜，并用椭圆偏振法测量其厚度。由于在晶圆的不同位置观察到一些膜厚度变化，因此使用 Jupiter XR AFM 进行 nanoTDDB 测量以测量膜的电性能。使用 AFM 软件中编程的自动程序在晶圆的各个位置进行测量。
β-Ga 2 O 3 LDMOSFET 击穿电压达 500 V，功率因数为 108 MW/cm 2
开关，并显著降低高压 IC 的寄生电容[10–15]。在过去十年中，大量研究已经检验了 SOI 上的 LDMOSFET，其特性和功率品质因数 (PFOM) 得到了增强[8、9、16–19]。实现高 V BR 是 LDMOSFET 的主要挑战
通过器件结构设计提高Si-GaN单片异质集成共源共栅场效应晶体管的击穿电压
摘要 — 本工作研究了影响采用转移印刷法制备的Si-GaN单片异质集成Casccode FET击穿电压的因素。这两个因素是Si器件的雪崩击穿电阻和SiN电隔离层的厚度。设计了Si MOSFET和Si横向扩散MOSFET（LDMOSFET）两种器件结构，研究了Si器件的雪崩击穿电阻对Cascode FET击穿特性的影响。分析了SiN电隔离层厚度的影响。最后，单片集成Cascode FET的击穿电压达到了770 V。索引术语 — 单片异质集成；Cascode FET；击穿电压；LDMOS；极化电荷。
价态变化存储器中的介电击穿成像
电介质击穿 (DB) 控制着微电子设备的故障，并且日益影响着其功能。标准成像技术基于物理结构产生对比度，难以将这一电子过程可视化。本文，我们报告了 Pt/HfO 2 /Ti 价态变化存储设备中 DB 的原位扫描透射电子显微镜 (STEM) 电子束感应电流 (EBIC) 成像。STEM EBIC 成像直接将 DB 的电子特征可视化，即电导率和电场的局部变化，具有高空间分辨率和良好的对比度。我们看到 DB 通过两个串联的不同结构进行：由电子注入产生的挥发性“软”丝；以及由氧空位聚集产生的非挥发性“硬”丝。该图在“软”和“硬”DB 之间进行了物理区分，同时适应了“渐进式”DB，其中硬丝和软丝的相对长度可以连续变化。
粒子分散对纳米填充环氧树脂电树枝化和击穿的重要性
摘要 人们普遍提出添加纳米填料作为增强高压聚合物绝缘材料介电性能的方法，尽管文献中对此的报道褒贬不一。本文确定了二氧化硅纳米粒子延长失效时间的潜力，特别是通过抵抗环氧树脂中的电树枝生长。在混合之前用硅烷处理纳米粒子的好处很明显，可以减缓树枝生长并缩短失效时间。在实验室中测量了针状平面样品中树枝的生长情况，其中纳米填料的含量分别为 1、3 和 5 wt%。在所有情况下，平均失效时间都会延长，但在混合之前对纳米粒子进行硅烷处理可获得更好的效果。在填充量较高的硅烷处理情况下，树枝生长前会出现明显的起始时间。用硅烷处理的 5 wt% 填充材料的平均失效时间是未填充树脂的 28 倍。含有未处理和处理过的填料的纳米复合材料性能的提高归因于处理过的填料团聚物减少和分散性提高。局部放电 (PD) 测量表明，在处理过和未处理过的情况下，树木生长过程中的 PD 模式存在显著差异。这种区别可能为监测材料提供一种质量控制方法。特别是，在硅烷处理的情况下，观察到长时间未测量 PD。对未填充材料中的树木生长进行视觉成像，可以观察到树木在生长过程中从细树到深色树的变化性质。相应的 PD 测量表明深色树逐渐变得导电，并且测得的最大 PD 的增长取决于树木生长和碳化的相对速率。