XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System分布模式
通过RICEAN分布拟合
对位置敏感的SIPM在所有光检测应用中都有用，需要少量读出通道，同时保留有关传入光的相互作用位置的信息。专注于2x2阵列的LG-SIPM，覆盖15的面积。5×15。 5 mm只有6个读数，我们提出了一种定量方法来评估图像重建性能。 该方法基于一种统计方法，以评估设备的精度（空间分辨率）和重建重点重心的精度（线性）。 通过大米概率分布函数拟合来实现此评估。 我们获得了平均传感器空间分辨率的最佳值81±3 µm（标准偏差），这是通过以通道输出信号的幅度重建每个位置来实现的。 相应的精度为231±4 µm。5×15。5 mm只有6个读数，我们提出了一种定量方法来评估图像重建性能。该方法基于一种统计方法，以评估设备的精度（空间分辨率）和重建重点重心的精度（线性）。通过大米概率分布函数拟合来实现此评估。我们获得了平均传感器空间分辨率的最佳值81±3 µm（标准偏差），这是通过以通道输出信号的幅度重建每个位置来实现的。相应的精度为231±4 µm。
3通道LED恒流驱动专用电路TM1914A
功能说明 1、模式设置 本芯片为单线双通道通讯，采用归一码的方式发送信号。芯片接收显示数据前需要配置正确的工作 模式，选择接收显示数据的方式。模式设置命令共48bit，其中前24bit为命令码，后24bit为检验反码， 芯片复位开始接收数据，模式设置命令共有如下3种： （1）0xFFFFFF_000000命令： 芯片配置为正常工作模式。在此模式下，首次默认DIN接收显示数据，芯片检测到该端口有信号输 入则一直保持该端口接收，如果超过300ms未接收到数据，则切换到FDIN接收显示数据，芯片检测到该 端口有信号输入则一直保持该端口接收，如果超过300ms未接收到数据，则再次切换到DIN接收显示数据。 DIN和FDIN依此循环切换，接收显示数据。 （2）0xFFFFFA_000005命令： 芯片配置为DIN工作模式。在此模式下，芯片只接收DIN端输入的显示数据，FDIN端数据无效。 （3）0xFFFFF5_00000A命令： 芯片配置为FDIN工作模式。在此模式下，芯片只接收FDIN端输入的显示数据，DIN端数据无效。 2、显示数据
历史子公司分布
1个子公司分布不应被解释为根据GAAP确定的经营活动提供的净现金替代品。子公司分配对母公司很重要，因为母公司是一家控股公司，并未从其自身的活动中获得任何大量直接收入，而是依靠其子公司的业务活动以及由此产生的分配来资助债务服务，投资和控股公司的其他现金需求。通过运营活动提供的子公司分配与净现金之间的差额的核对由经营活动产生的现金组成，这些现金是由于各种自然界的酌情和非秘密性的原因而保留在子公司的。These factors include, but are not limited to, retention of cash to fund capital expenditures at the subsidiary, cash retention associated with non-recourse debt covenant restrictions and related debt service requirements at the subsidiaries, retention of cash related to sufficiency of local GAAP statutory retained earnings at the subsidiaries, retention of cash for working capital needs at the subsidiaries, and other similar timing differences between when the cash is generated at the子公司及其到达母公司及相关控股公司时。
IITB-京都见面发现一种新的机制来控制细胞膜脂质的分布
在这项研究中，铃木教授的研究小组发现，即使没有两个家庭，例如TMEM16家族和XKR家族，脂质也通过钙刺激在细胞膜上扰乱。因此，为了识别此过程中涉及的脂质串联酶，我们使用CRISPR SGRNA库进行了复兴筛选，以识别离子通道TMEM63B和维生素B1 Transporter SLC19A2。令人惊讶的是，这两种蛋白质形成了复合物，我们还发现这种复合物的形成对于诱导脂质扰流至关重要。此外，众所周知，在发育和癫痫性脑病（DEE）的遗传疾病中插入了TMEM63B中的突变，但该突变体显示出组成型的脂质杂乱无章的活性。这表明构成型脂质拼凑活性会导致DEE疾病。 KCNN4是一种通过钙刺激激活的钾通道，还通过核糖筛选鉴定出来，表明钾的细胞外排出对于激活TMEM63B/SLC19A2复合物很重要。
SiC MOSFET 软故障模式和硬故障模式
摘要 — 本文首先讨论了在短路电热应力下 1200 V SiC 功率 MOSFET 中产生短路故障或开路故障特征的判别现象。由于开路故障行为与应用特别相关，本文接着提出了对一些商用器件的基准测试，确定了一款产品，该产品在偏置电压高达额定值的至少 50% 的情况下，能够提供一致的开路故障特性。对于该特定器件，我们将提供全面的功能和结构特性。具体而言，本文表明：栅极电流是短路应力下随后发生的退化的有效监测器，可用于评估损伤积累以及器件退化的可逆性或永久性；开路故障特征与栅极结构的退化有关，在距离有源单元相对较远且不涉及场氧化物的区域中，栅极和源极端子之间会产生短路。该发现与分立器件和多芯片功率模块（包括多个并联连接的芯片）的应用相关。
