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NUHS 临床科学家开发出新型青光眼植入物，可降低眼压、保护视力
“这项多中心研究的临床结果验证了 PGI 的新颖设计。与其他青光眼管分流术的已发表结果相比，该研究表明，PGI 能够优化难治性青光眼的眼压，同时降低对抗青光眼眼药水的依赖性，”副教授 Victor Koh 说道。该植入物已授权给初创公司 Advanced Ophthalmic Innovations Pte Ltd (AOI)，并已用于新加坡、欧洲、南非、中东和亚太地区的青光眼治疗。创新团队于 2017 年获得了欧洲合格认证 (CE) 标志和卫生科学局 (HSA) 批准的 Paul ® 青光眼植入物，并于 2018 年获得了治疗用品管理局 (TGA) 认证。AOI 最近在中国开始临床试验，以确保获得国家药品监督管理局 (NMPA) 批准在中国进行临床销售。此外，AOI 还计划很快进行美国 FDA 监管备案。该产品已在美国、中国、新加坡和日本获得专利。目前，英国、爱尔兰、德国、荷兰、芬兰、意大利、葡萄牙、法国、西班牙、比利时、沙特阿拉伯、南非、韩国、马来西亚、澳大利亚和新西兰的顶级医院和眼科中心以及新加坡国立大学医院均在使用该产品。 “我们通过保罗青光眼植入物实现的一个重要目标是设计一种对眼内侵入性较小的分流器，其管子比传统植入物小得多，同时又不影响对各种顽固性青光眼的疗效，”英国 Moorfields 眼科医院的青光眼专家、新加坡国立大学医学院客座教授 Keith Barton 教授补充道。他还参与了 PGI 的设计阶段。四川音乐学院的新加坡音乐教授 Lee Tian Tee 教授于 2018 年和 2019 年在国立大学医院接受了植入。“我在 2016 年去做了一次眼科检查，以寻求治疗白内障的方法。就在那时，我发现自己也患有青光眼。经过我的眼科医生 Chew 教授的详细评估后，我的双眼都接受了保罗青光眼植入物 (PGI)。它大大缓解了我的眼压，不需要任何眼药水。”
超导稳定剂膜界面电阻对典型超导性能的影响
摘要 第二代高温超导 (HTS) 带材已广泛用作储能材料，例如超导磁能存储 (SMES) 设备。为了增强载流特性，这些系统通常在接近涂层导体的临界电流下运行；因此，可能会产生热点，这可能导致超导体淬火。为了防止热点的出现并减少故障量，本文努力提高正常区域传播速度 (NZPV)。超导体和稳定层之间的界面电阻已被证明是产生大量 NZPV 的关键，在故障情况下，界面电阻可以充当电流分流器。通过在超导层和稳定层之间添加高阻层，磁带的结构略有修改，其中各种界面电阻已用于预测 10 厘米长度的 HTS 磁带之间的温度分布。使用 COMSOL 创建了 2D 数值模型来评估 2G 超导磁带的 NZPV 和温度分布。已经得出结论，通过使用相当大的界面电阻来防止超导磁带失超，可以实现更大的 NZPV。关键词：HTS 磁带，正常区域传播速度，界面电阻，失超，HTS 电缆，SFCL，SMES。1.简介 涂层导体广泛应用于电力应用，因为它们能够承载巨大的电流，同时在临界电流附近有效运行。涂层导体已在几乎所有电力应用中取代了铜导体，包括电缆、电动机、发电机、变压器、MRI、NMR、故障电流限制器和 SMES 系统，因为它们在管理电流方面更高效，占用的空间比传统设备更少。当故障电流限制和储能设备在临界电流附近运行时，可能会形成热斑，导致超导体失超。如今，HTS 电缆的发展也受到关注，载流电缆的设计负载系数更大（接近临界电流），以最大限度地提高其载流能力。然而，过大的电流会因发热而导致不平衡，而冷却不足会导致热点，最终导致胶带热失超。这个话题尚未解决，许多研究小组正在
IUS 2025春季课程计划本科
ITU至少有30天的实习是强制性的。课程目录描述在IUS：CS303数字设计：关于数字电子构建块的标准入门课程。学生将学习布尔代数的公理，数字系统和表示，逻辑门的功能，编码器，解码器，多路复用器，分流器，加法器，减法器，触发器等。课程包括简单有限状态机的分析和设计。简要研究了不同电路家族的物理实施以及数字记忆的体系结构。学生还将学习使用VHDL在可编程逻辑设备中实现数字电路。EE201模拟电子I：传导。半导体，载体，P型和-Type掺杂，漂移和扩散机制，PN连接的物理结构和行为。理想二极管，实用二极管，电气行为和电流 - 电压曲线。二极管模型。DC分析方法的二极管电路（恒定电压下降模型，带指数模型的固定点迭代）。小信号近似，二极管小信号等效和二极管电路的交流分析，直流电源设计（整流器，用滤波器电容器对拓扑分析）。Zener二极管和调节。身体耐药性和寄生能力。其他二极管类型。双极结构晶体管（BJT），早期现象，BJT操作区域，电气模型（Ebers-Moll）和特征的物理结构和行为。DC偏置和BJT电路的热稳定性。MOSFET，操作区域，特征，重要次要效应（通道长度调制，身体效应）的物理结构和行为。DC偏置和MOSFET电路的热稳定性。切换BJT和MOSFET的应用，这是数字电路中的概念用法。EE202电路II：高阶动态电路的状态和输出方程。状态过渡矩阵和属性。zerostate，零输入和总响应。正弦稳态。在JW-域中找到动态网络和系统的状态和输出方程。拟态。力量。三相系统。在S域中找到动态网络和系统的状态和输出方程。阻抗和入学。稳定性和劳斯标准。网络功能和参数。块和信号流程图。bode图。ee221面向对象的编程：数据类型，控制语句，循环，阵列，功能，指针，动态内存，抽象和封装，类，对象，构造函数，构造函数和驱动器，继承和多态性，类，类等级，超级类，超级类，亚类，互动类，界面，界面，界面，界面，虚拟方法，虚拟方法，operator，Operator opertranting，Operator，Operator opertranting。EE301模拟电子II：扩增和增益概念，Desibell概念，电压放大器 /电流放大器 /跨导电电路 /跨逆性电路模型，晶体管在扩增中的概念功能。DC分析晶体管（BJT，MOSFET）电路。BJT和MOSFET的小信号当量和末端电阻。AC分析BJT和MOSFET放大器：基本放大器阶段的增益和输入/输入电阻，分析级联（直接/电容性耦合）放大器。cascode结构，达灵顿结构。差分放大器，差分和共同模式增益，共同模式排斥比。当前来源，负载的电路。操作放大器，理想和实际行为，样品操作机的内部结构。opamp的线性和非线性应用，非理想性对行为的影响。功率放大器。eens221工程学简介：本课程是工程学深度一年级学生的方向课程。它旨在使学生适应更轻松，并告知他们有关电子产品的一般主题以及电信工程，工程道德和质量。各种教职员工向学生们发表演讲。提供了申请的示例，加上工程伦理守则，道德责任，设计中的质量问题和应用程序。ELIT113技术英语：本课程旨在通过使用引起的信息通过阅读和分析技术和学术文本以及学术和技术写作技巧来提高学生的阅读能力。学生不仅了解学术和技术英语的要求，还可以提高他们的其他语言和批判性思维能力。ELIT213学术写作简介：旨在教授组织和关键的课程学生有望通过使用适当的技术语言来广泛描述对象和机制，以对他们所研究的信息进行分类并撰写有关分类的分析组成，以引用他们在整个过程中使用的所有信息。