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World File Search System分流电阻
用于测量无人机电流的商用磁传感器性能研究
摘要 — 无人机 (UAV) 具有多种自主应用，例如航空摄影、救援行动、监视和科学数据收集，因此工业界对无人机 (UAV) 的投资正在飙升。电流感应对于确定充电和放电过程中的电池容量以及在飞行过程中发出系统故障警报至关重要。分流电阻和霍尔效应传感器传统上用于无人机。最近，磁阻 (MR) 传感器引起了研究人员的极大关注。MR 传感器往往消耗更少的功率，并且它们比霍尔效应传感器更小。在本文中，研究了许多现成的 MR 传感器，以评估将它们应用于无人机的可能性。本文还研究并比较了另一种磁传感器（磁通门）和分流电阻作为参考。采用相对评分法评估传感器在不同指标下的性能，结果表明，与其他磁电流传感器相比，MR传感器具有更高的精度、更低的能耗、更宽的温度耐受性、更小的尺寸和更轻的重量，非常适合无人机的电流感应。通过整体比较，它们与传统分流电阻也非常具有竞争力。进一步讨论了MR传感器的剩磁、热稳定性和跨场灵敏度。这一发现为无人机电流传感器的选择策略提供了见解，并可能促进无人机的工业发展。
使用被动小区平衡的电池组的系统建模和仿真分析
摘要：本文介绍了使用被动细胞平衡技术对锂电池组的系统建模和模拟。在MATLAB/SIMULINK环境中对57.6 V，27 AH的电池组进行了建模和模拟。每当串联连接细胞模块的电荷状态（SOC）的差异超过SOC的0.1％的阈值时，平衡算法就会触发。平衡算法还提供了分流电阻值的最佳值，该值是根据为平衡细胞和最小功率消耗所花费的时间选择的。获得了平衡时间和功耗与电阻值的图。将4Ω的分流电阻作为一组电阻的最佳值，因为其平衡时间为9636.9s，功率损耗为26.2462W是令人满意的。使用恒定充电恒电压（CC-CV）方法在充电阶段分析了电池组的性能，并在20A的恒定电流下放电。
有机光电二极管及其光电应用
400 nm 至 800 nm。（实线）包括 CsI(Tl) 闪烁体的发射光谱以供比较。（虚线）（b）不同光活性层厚度的 OPD 在暗条件和 950 µW/cm 2 光照辐照度（波长 546 nm）下实验和拟合的电流密度 (J) 与电压 (V) 特性。当实线符号表示光响应时，空心符号表示测得的暗电流。实线是根据非理想二极管方程拟合的暗电流密度。虚线表示当分流电阻 R sh 为无穷大时的理想 JV 曲线。（c）对于具有不同活性层厚度的 OPD，暗电流密度 (J dark ) 测量图与内部电场的关系。（d）反向偏压为 1.5V 时具有 320 nm 厚度活性层的 OPD 的外部量子效率 (EQE)...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
0.01 至 2.6 GHz 两倍电流重用双噪声...
摘要 — 本摘要介绍了一种基于低温逆变器的两倍电流再利用和 40 纳米 CMOS 双噪声消除低噪声放大器 (LNA)。所提出的 LNA 由三级组成：基于电流再利用逆变器的输入级，具有分流电阻反馈和自体偏置 (SBB)，可在低温下缓解 V th 增加并提高 r out。第二级是双辅助噪声消除级，带有额外的电流再利用并联晶体管，可增强跨导并抑制主放大器和辅助放大器的噪声。最后一级是共源后置放大器，可进一步增强增益。在 4 K 下，LNA 实现了 31 dB 的测量峰值增益 (S 21)，具有从 10 MHz 到 2.6 GHz 的大 3-dB 带宽，在 0.6 GHz 下，功耗为 8.6 mW，最小 NF 为 0.1 dB（对应于 6.8 K 的噪声温度 TN）。该电路占用的核心面积为 0.117 mm 2 。
多孔硅纳米结构和阳极 SiO2 表面钝化可提高多孔硅太阳能电池效率
摘要：研究了多孔硅 (PS) 表面二氧化硅 (SiO 2 ) 阳极形成过程中的光伏效应，旨在开发一种潜在的钝化技术，实现高效的纳米结构硅太阳能电池。PS 层是在含氢氟酸 (HF) 的电解质中通过电化学阳极氧化制备的。在室温下，在 HCl/H 2 O 溶液中通过自下而上的阳极氧化机制在 PS 表面形成阳极 SiO 2 层。通过调节阳极氧化电流密度和钝化时间来精确控制表面钝化的氧化层厚度，以在 PS 层上实现最佳氧化，同时保持其原始纳米结构。PS 层微观结构的 HRTEM 表征证实了 PS/Si 界面处的原子晶格匹配。研究了光伏性能、串联电阻和分流电阻对钝化时间的依赖关系。由于 PS 表面钝化充分，阳极氧化时间为 30 秒的样品实现了 10.7% 的最佳转换效率。外部量子效率 (EQE) 和内部量子效率 (IQE) 表明由于 PS 的抗反射特性，反射率显著下降，而由于 SiO 2 表面钝化，则表明性能优越。总之，PS 太阳能电池的表面可以通过电化学阳极氧化成功钝化。
绿色能源和传感器系统卓越中心印度工程科学技术学院，shibpur完整课程结构和
模块1：太阳能单元1半导体和连接的基础，P-N连接的I-V特征。太阳能电池结构，发光电流，光IV特性，太阳能电池参数，光谱响应和量子效率，串联电阻的影响和分流电阻对太阳能电池I-V特性的影响，温度和光强度的影响，阴影的影响，阴影的影响，损失，太阳能细胞中的损失。模块2：半导体中太阳能Cell-2生成重组的基本面； Shockley，阅读和大厅表达；表面和界面重组； Schockley-Queissser效率模块的极限-3：硅太阳能电池的生产，丝网印刷太阳能电池，掩埋的接触太阳能电池，高效率太阳能电池，后方接触太阳能电池。模块4：太阳能电池生产线硅源材料，晶片，清洁，纹理，扩散，等离子体隔离，抗反射涂层，屏幕上打印的前后触点，测试和模块制造模块5：测试和测量量的测试和测量量，测量太阳能电池效率，外部量子效率，IM量度，IM量度（EQE），i QE效率（EQE），EQE，EQE效率，EQE效率，EQE效率，EQE效率，EQE效率，EQE效率，EQE效率（EQE）量子效率分析，终生测量
大面积 InGaAs PIN 光电二极管
信息 xcelitas Technologies 的大面积 PIN 光电二极管类型 C30619GH、C30641GH、C30642GH、C30665GH 和 C30723GH 是高响应、低电容 InGaAs 探测器。它们专为测量应用而设计，如光功率计、光纤测试设备、近红外光谱和仪器。它们的平面钝化结构具有低电容以扩展带宽和高分流电阻以实现最大灵敏度。典型设备对大于 +13dBm (20 mW) 的光功率具有 1% 以上的非线性，并且在整个探测器有效面积上具有 2% 以内的均匀性。我们的大面积 InGaAs 设备在 850 nm 处的典型响应度为 0.2 A/W，允许在设计为在 850 nm、1300 nm 和 1550 nm 下工作的光纤测试仪器中使用单个探测器。提供可选的超低电容设备（-LC 选项）。它们电容只有标准类型电容的一半，因此 3 dB 带宽是其两倍。这些器件的有效面积从 0.5 mm 到 5.0 mm，采用密封 TO 封装。Excelitas 认识到不同的应用具有不同的性能要求，因此提供了这些光电二极管的各种定制以满足您的设计挑战。响应度和噪声筛选、定制器件测试、TEC 冷却器件和结合带通滤波器是许多可用的特定于应用的解决方案中的一部分。测试方法 Excelitas 会验证每台器件的电光规格。制造过程中的目视检查按照我们的质量标准进行，并剔除不合格器件。Excelitas Technologies 经过 ISO-9001 认证，光电二极管设计符合 MIL-STD-883 和/或 MIL-STD-750 规格。包装和运输所有大面积 InGaAs PIN 二极管都装在 ESD 安全塑料托盘中运输。
DNA/DNR-AI-224
输入 通道数 4，同时采样 配置 全桥、半桥或四分之一桥 分辨率 18 位 输入范围†见下表。 采样率 100 kSamples/sec（最大板速率 400 kS/s） 精度 积分非线性±0.0015% 偏移误差@25°C，G=2 0.0005% 典型值 增益误差@25°C，G=2 0.003% 典型值 偏移漂移/°C 2ppm 典型值 / 10ppm 最大 增益漂移/°Cz 2ppm 典型值 / 10ppm 最大 整体误差<250µV 桥接电阻120、350 或 1000 Ohm 抗混叠滤波器* 自动，72 dB 最小抑制 输入阻抗10 MegOhm，最小 激励输出 通道数每通道两个（P+、P-），可独立编程 输出电压0 至±10 Vdc（每个输出）； 20Vdc 差分跨度 分辨率 16 位 输出驱动电流 50 mA，最大值 输出误差 ± 5 mV，最大值，测量精度与模拟输入相同 分流校准**（见下页注释） 分流范围 6.7 k 至 170k Ohm（拉力或压力）内部。还提供两个用于用户提供的分流电阻的连接。 分流分辨率 ~1.1 kOhm 分流读回精度** 返回读数的 ±0.02% 自动桥零位/平衡 零位/平衡范围 19 位分辨率 @ ±10V（自动零位 1 mV 最大值） 通用规格 电气隔离 350 Vrms，通道到通道和通道到底盘 工作温度 经测试 -40 °C 至 +85 °C 振动 IEC 60068-2-6 IEC 60068-2-64