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面向下一代太空应用的光子集成电路 (PIC)
制定白皮书和测试计划，用于定义 PIC 技术 (TID、DD、SEE) 中潜在的辐射诱发故障机制 完成 Freedom Photonics PIC TID 和 DD 测试 (使用 50 MeV 质子进行高通量测试) 与 Georgia Tech 合作完成集成硅波导重离子测试。计划测试 GT SiN 波导和分立硅光子器件 (MZM) 计划在商用分立和集成光子器件 (UCSB、NeoPhotonics 等) 调查中进行额外的 TID 和 DD 质子测试 使用 Lumerical 物理建模和贝叶斯分析来分析 PIC 辐射数据的趋势。
Makro Group 的 BMTI FPGA 目录
测试、封装及故障分析、专用元器件生产线。该院已通过GJB9001B-2009质量体系认证、军工大规模集成电路生产线认证、军用标准二极管、三极管生产线认证、安全健康体系认证、环境保护体系认证。该研究所是航天微电子技术领域的主要研究所，专注于单片集成电路、微系统及模块生产，半导体分立器件开发，微处理器（CPU）、片上系统（SoC）、现场可编程逻辑集成电路（FPGA）、存储器件（SRAM/PROM）、模数/数模转换器（ADC/DAC）、总线电路、接口及驱动电路、逻辑电路、射频及微波电路、电源管理芯片、专用集成电路（ASIC）、分立器件、导航芯片组、二极管\三极管的设计
Makro Group 的 BMTI FPGA 目录
测试、封装及故障分析、专用元器件生产线。该院已通过GJB9001B-2009质量体系认证、军工大规模集成电路生产线认证、军用标准二极管、三极管生产线认证、安全健康体系认证、环境保护体系认证。该研究所是航天微电子技术领域的主要研究所，专注于单片集成电路、微系统及模块生产，半导体分立器件开发，微处理器（CPU）、片上系统（SoC）、现场可编程逻辑集成电路（FPGA）、存储器件（SRAM/PROM）、模数/数模转换器（ADC/DAC）、总线电路、接口及驱动电路、逻辑电路、射频及微波电路、电源管理芯片、专用集成电路（ASIC）、分立器件、导航芯片组、二极管\三极管的设计
执行和运动系统产品指南 - Moog, Inc.
Moog 独特的运动技术产品（滑环、电机、旋转变压器、驱动器和执行器）和光纤产品提供了资本资产和工程能力，可设计、制造这些分立产品并将其集成到集成万向节机构中。在当今的商业环境中，许多企业战略都侧重于核心竞争力，让 Moog 负责将这些分立组件的设计和集成到功能齐全且经过测试的子组件中，这些子组件可直接安装到最终产品组件中。如果您的策略是将这些组件外包给按图生产，我们随时准备利用我们的资源，以便您也能实现这些目标。我们的集成组件范围从滑环和旋转变压器的简单组合到复杂的机电组件，包括电机、驱动电子设备、光纤旋转接头、液压和气动旋转接头和 RF 旋转接头。我们还提供完全集成的伺服和实用执行器，配有精密传动装置、离合器、制动器和闭环控制电子设备。
技术就绪水平 - 基础知识 101
在成功完成“概念验证”工作之后，必须整合基本技术元素，以确保“部件”能够协同工作，从而实现组件和/或面包板的概念级性能。此验证必须设计为支持先前制定的概念，并且还应符合潜在系统应用的要求。与最终系统相比，验证是“低保真度”的：它可能由实验室中的临时分立组件组成。
MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf - 无 MTBF
分立半导体。简介 .................................................................................... 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、射频） ........................................................................ 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子学、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子学、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子学、激光二极管 .............................................................................
高级/首席 SiC 工艺开发工程师 (男/女/其他)
您的工作内容 • 在现场或其他地点开发用于分立 SiC 功率产品（如二极管和 MOSFET）的模块和晶圆制造工艺 • 作为产品开发项目团队成员，与产品专家、工艺和生产工程师以及质量工程师组成多学科团队 • 在晶圆厂开展中小型工艺优化项目 • 积累硅和 SiC 晶圆工艺的专业知识（技术和程序） • 调查竞争对手的工艺和技术 • 建立并维护内部联系
MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf - 无 MTBF
分立半导体。简介 ................................................................................ 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、RF） .............................................................................. 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子、激光二极管 ............................................................................................. TJ 测定 ............................................................................................................. 示例 .............................................................................................................................