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SiC MOSFET 软故障模式和硬故障模式
摘要 — 本文首先讨论了在短路电热应力下 1200 V SiC 功率 MOSFET 中产生短路故障或开路故障特征的判别现象。由于开路故障行为与应用特别相关，本文接着提出了对一些商用器件的基准测试，确定了一款产品，该产品在偏置电压高达额定值的至少 50% 的情况下，能够提供一致的开路故障特性。对于该特定器件，我们将提供全面的功能和结构特性。具体而言，本文表明：栅极电流是短路应力下随后发生的退化的有效监测器，可用于评估损伤积累以及器件退化的可逆性或永久性；开路故障特征与栅极结构的退化有关，在距离有源单元相对较远且不涉及场氧化物的区域中，栅极和源极端子之间会产生短路。该发现与分立器件和多芯片功率模块（包括多个并联连接的芯片）的应用相关。
如何隔离 RS-485 系统的信号和电源
第二种方法是使用集成解决方案，将数字隔离器和 RS-485 收发器整合在一个封装中。ISO1410 将 ISO7741 的核心隔离技术和 THVD1410 收发器整合在一个封装中。核心隔离技术能够实现 1500 Vpk 连续工作电压、增强型 5 kVrms 隔离额定值和 100 kV/us 典型共模瞬变抗扰度 (CMTI)。集成收发器在总线上提供高抗噪性，符合 Profibus 标准，具有 16 kV IEC 静电放电 (ESD) 和 4 kV IEC 电气快速瞬变 (EFT)，即使在工厂车间等嘈杂环境中也能确保可靠通信。与分立解决方案相比，ISO1410 具有额外的优势，即逻辑侧电源更宽，支持 1.71 V 至 5.5 V 以启用较低逻辑电平 MCU，总线侧电源支持 3 V 至 5.5 V。
BAV20；BAV21 通用二极管 - Nexperia
重要通知 亲爱的客户， 2017 年 2 月 7 日，前 NXP 标准产品业务部门更名为 Nexperia 。Nexperia 是业界领先的分立器件、逻辑器件和 PowerMOS 半导体供应商，专注于汽车、工业、计算、消费和可穿戴应用市场。 在仍包含 NXP 或飞利浦半导体参考的数据表和应用说明中，请使用对 Nexperia 的参考，如下所示。 不要使用 http://www.nexperia.com、http://www.philips.com/ 或 http://www.semiconductors.philips.com/。 不要使用 sales.addresses@www.nxp.com 或 sales.addresses@www.semiconductors.philips.com，而要使用 salesaddresses@nexperia.com（电子邮件）。 根据版本，替换每页底部或文档其他位置的版权声明，如下所示： - © NXP N.V.（年份）。保留所有权利或 © Koninklijke Philips Electronics N.V. (年份)。保留所有权利 应替换为： - © Nexperia B.V. (年份)。保留所有权利 。如果您对数据表有任何疑问，请通过电子邮件或电话联系我们最近的销售办事处（详情请发送邮件至 salesaddresses@nexperia.com ）。感谢您的合作和理解，
第 7 章 - 无源元件
众所周知，由于磁性元件缺乏可集成性，因此在设计集成电路时应避免使用磁性元件。磁性元件制造领域的新发展是使用单片制造技术（而不是当今的批量方法）集成和小型化的有前途的器件。这种发展的驱动力在于某些受益于或依赖于使用铁磁介质的电感或磁耦合器件的应用。此类应用的示例包括调谐射频谐振器、匹配网络、直流-直流功率转换和调节、网络滤波器和线路隔离器/耦合器。新兴应用需要更高的移动性、更低的功耗以及更小的元件和系统尺寸，这已成为高度集成系统和/或子系统发展的驱动力。为了顺应这些趋势，必须能够将高质量的磁性器件（即电感器和变压器）与其运行的系统集成在一起，而不是作为独立的分立器件。它们的离散特性不仅阻碍了进一步小型化，而且其特性也阻碍了性能（例如速度）的提高。单片磁性设备的主要特点包括：
Weebit Nano
ReRAM 在新兴 NVM 中占据领先地位 在之前的研究报告（可在此处查阅）中，我们讨论了 ReRAM 如何优于现有的闪存技术以及其他竞争的新兴非易失性存储器 (NVM) 技术，这些技术正在争夺闪存的份额。电子设备需要一种能够在越来越小的工艺尺寸下提供卓越性能的技术，同时将增量成本降至最低，而 WBT 的 ReRAM 恰恰具备这种优势。去年，台积电宣布将使用 ReRAM，这进一步凸显了 ReRAM 的重要性，人们猜测 ReRAM 正用于当今的电子设备，包括 Apple 的最新款 iPhone。台积电的竞争对手（如 UMC 和 GlobalFoundries）几乎没有可行的 ReRAM 替代品，但似乎没有哪一种是可供其他代工厂和 IDM 使用的独立产品。开发路线图是一个三级火箭 WBT 的 ReRAM 技术的初始应用将用于嵌入式存储器，其中 SoC（片上系统）需要板载 NVM。嵌入式 ReRAM 目前正在通过 SkyWater 进行商业化，并且还应通过与一级代工厂的许可协议进行扩展。第二阶段是分立（或独立）ReRAM，即独立内存芯片。WBT 正在研究两种变体；带有和不带有高级选择器的变体。较大阵列中的 ReRAM 需要高级选择器，而较小容量的 ReRAM 芯片可以使用现有的简单晶体管作为选择器进行管理。我们预计分立 ReRAM 芯片将在未来几年内上市，首先从较小容量的芯片开始。第三阶段是将 ReRAM 应用于神经形态处理，例如使用脉冲神经网络，但这是公司的一个长期项目。估值为每股 9.56 澳元我们之前对 WBT 的估值为 6.10 澳元，现已达到并超过该估值。考虑到该公司在 2023 年迄今取得的进展以及 2023 年剩余时间和 2024 年的预期新闻流，我们认为 WBT 与 eMemory 等同行的估值差距可能会在未来 12 个月内缩小。基于此，我们认为 WBT 的估值应为每股 9.56 澳元，这意味着比当前股价有 43% 的上涨空间。请参阅第 16 页的主要投资风险。
已出版作品列表
铌4. Alexandru Vasile、Ciprian Ionescu、Ion Plotog、Irina Bristena Bacîș、Bogdan Mihăilescu、Cristina Marghescu、Mihaela Pantazica、Gaudenţiu Vărzaru，“汽车电工电子工程师”，沟通和计算能力、现代语言沟通、质量、职业安全。个人发展与团队合作，74 页，模块 1，技术格式，Ed。 Cavallioti，布加勒斯特 2015，ISBN 978-606-551-061-0，编辑PIM，ISBN 978-606-13-2441-3，雅西 2015，芯片 621.38.629.33 CNCSIS 代码 66 Cb5。 Alexandru Vasile、Ciprian Ionescu、Irina Bristena Bacîș、Mihaela Pantazica，《汽车电工和电子工程师》低压电机的安装和使用、汽车电子中分立和集成电子设备的使用，76 页，模块 3，技术格式，，编辑。 Cavallioti，布加勒斯特 2015，ISBN 978-606-551-063-7，编辑PIM，ISBN 978-606-13-2443-9，雅西 2015 芯片 621.38.629.33，CNCSIS 代码 66 Cb6。 Alexandru Vasile、Irina Bristena Bacîş (Vasile)、Mihaela Pantazica，“汽车电工电子工程师”，低压电机的组装和使用，为汽车电子创建带有分立和集成器件的电子电路”，94 页，模块 4，技术格式，编辑。 Cavallioti，布加勒斯特 2015，ISBN 978-606-551-064-5 PIM 出版社雅西 2015 ISBN 606-13-2444 – 8，芯片 621.38.629.33 Cb7。 Alexandru Vasile、Irina Bristena Bacîș，“汽车电工和电子工程师”，电气装置和汽车电子设备的构造和操作，汽车电气装置的维护，汽车电子元件的使用 64 页，技术格式，模块 5、6，编辑。 Cavallioti，布加勒斯特 2015，ISBN 978-606-551-065-3，编辑PIM，ISBN 978-606-13-2445-6，雅西 2015，芯片 621.38.629.33 CNCSIS 代码 66 Cb8。 。 Alexandru Vasile、Ciprian Ionescu、Ion Plotog、Irina Bristena Bacîș、Bogdan Mihăilescu、Cristina Marghescu、Mihaela Pantazica、Gaudenţiu Vărzaru、电子工程师、自动化设备和器材、现代语言交流、质量、职业安全。 ，60 页，模块 1，技术格式，ISBN 978-606-551-055-6，Ed. PIM，ISBN 978-606-13-2390-5，雅西 2015，CNCSIS 代码 66
使用 TPS25961 进行性能、空间和成本优化保护
终端设备 (EE)（例如机顶盒 (STB)、智能扬声器、电子仪表等）需要成本和空间均经过优化的电源路径保护设计。传统设计由分立元件（例如 MOSFET、保险丝、PTC、齐纳二极管、电阻器、电容器等）组成，用于打开和关闭电源轨。这些设计虽然简单，但通常在物理和电气上尺寸过大，并且可能缺乏保护功能。相比之下，带有集成 FET 的电子保险丝（例如 TPS25961）可以提供类似的功能，同时提供额外的系统优势，包括浪涌电流限制和更小的设计尺寸。本应用简介重点介绍了使用 TPS25961 相对于分立设计的优势。TPS25961 是一款 19 V 2 A 电子保险丝，采用 2 mm × 2 mm 封装，具有过压、过流和短路保护功能。该设备非常适合个人电子产品和工业电源路径保护趋势，这些趋势要求设计具有宽电压范围支持、最低 20 V 绝对最大值支持以承受瞬变和小于 2 A 的电流限制支持。
实施双重主要保护的客户示例...
在机电继电器时代，使用不同制造商的设备来实现冗余或备份功能的做法并不常见。在那个时代，人们很可能会看到一个面板上满是 Westinghouse 或 GE 的设备，但不会同时看到两者。忠诚度通常遵循严格的偏好路线，基于成本、功能和可靠性经验。在配电馈线面板上，通常会看到每个相位都有不同的过流继电器和单独的接地继电器。这种分立设备方案固有可靠性的推广与多功能微处理器继电器的引入相吻合，其中结合了以前不同的功能。乍一看，人们可能会认为机电接地继电器在任何相位继电器发生故障时提供更好的备份。有人认为，对于数字继电器，一次故障意味着整个保护方案的损失。然而，由于必须高于负载设置，机电相位继电器实际上在传统方案中接地继电器发生故障时无法提供备份。换句话说，这些方案没有提供完全的冗余和针对单一故障的保护。此外，机电继电器不提供任何形式的自我测试、监控和远程状态通信。
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的较新的器件结构，例如 HEMT 和 HJBT。此外，GaAs 和相关化合物具有令人兴奋且经过验证的功能，可以产生、检测并将光转换为电信号。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作分立形式的低噪声放大器、混频器、振荡器和高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。本文回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、低噪声和高功率输出。最后，还介绍了 CEERI 制造的一些代表性设备结果。
半导体公司的十年：1988 年版
新兴技术公司 56 模拟 IC 56 ASIC 58 数字信号处理 59 分立半导体 60 砷化镓 60 存储器 62 微型元件 64 光电子器件 65 电信 IC 65 其他产品 66 磁泡存储器 67 V. 公司简介 (139) 69 A&D Co., Ltd. 69 Acrian Inc. 71 ACTEL Corporation 74 Acumos, Inc. 77 Adaptec, Inc. 79 Advanced Linear Devices, Inc. 84 Advanced Microelectronic Products, Inc. 87 Advanced Power Technology, Inc. 89 Alliance Semiconductor 92 Altera Corporation 94 ANADIGICS, Inc. 100 Applied Micro Circuits Corporation 103 Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. 108 Aspen Semiconductor Corporation 111 ATMEL Corporation 113 Austek Microsystems Pty.Ltd. 116 Barvon Research, Inc. 119 Bipolar Integrated Technology 122 Brooktree Corporation 126 California Devices, Ihc.131 California Micro Devices Corporation 135 Calmos Systems, Inc. 140 © 1988 Dataquest Incorporated 六月