XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System剂量率
国防部 - http://quicksearch.dla.mil
测试方法方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序 1021.3数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装诱发的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键合拉力测试） 2012.9 射线照相 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部目视（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
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测试方法方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序 1021.3数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装诱发的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键合拉力测试） 2012.9 射线照相 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部目视（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
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测试方法方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序 1021.3数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装诱发的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键合拉力测试） 2012.9 射线照相 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部目视（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
美国商业空间气象协会
加上应用程序功能：• 测量硅中的吸收剂量• 体积小、质量大• 通过与智能手机或平板电脑应用程序配对的蓝牙检索数据 ‒ 在应用程序上显示当前状态 ‒ 根据需要使用飞机的 WiFi 传输到地面• 提供 2-3 级实时剂量率（吸收剂量、等效剂量和环境剂量等效率）状态：• 2018 年交付 4 台• 2019 年第一季度完成公务机的首次生产运行
SURF导师2025*
🐁（小鸡胚胎） 生物化学 Danilo Boskovic 细菌对血小板功能的影响。在感染、炎症或止血中切换血小板角色。 ：+ I Juli Unternarhrer 导致卵巢癌复发的干细胞，使用分子生物学和细胞生物学方法研究称为上皮-间质转化的胚胎程序在使卵巢癌细胞更具侵袭性中的作用。 ：+ I 生物医学工程科学 Reinhard Schulte 使用生物医学工程方法研究辐射对生物系统的影响：1）心脏细胞的乳酸放射增敏，以了解辐射引起的心脏损伤的机制和减轻它们的潜在治疗策略。 ：+ I 2) 开发用于诊断癌症治疗和监测癌症治疗的挥发性有机化合物检测器。 ：+ I 3) 研究对胶质母细胞瘤癌干细胞具有亲和力的硼中子俘获治疗化合物的外泌体运输。 ：+ I 4) 实验和计算纳米剂量学，包括测量和模拟纳米尺度上电离辐射造成的能量沉积和损伤。：+ I 5) 使用质粒 DNA 进行 FLASH（超高剂量率）放射治疗研究，以检查超高剂量率辐射对 DNA 损伤和修复的影响。：+ I 癌症科学
情况说明书 Hunters Point 海军造船厂
经调查，在松散的土壤中发现一个直径约为 3/16 英寸的小玻璃物体，位于地表以下约六英寸处。在将该物体安全装袋、贴上标签并存放在安全拖车内的上锁保险箱中之前，收集了静态伽马计数和剂量率读数，然后将其带走进行进一步分析。实验室分析发现，该玻璃物体与低水平 Ra-226 活性有关。
IMB-CNM 的碳化硅二极管
放射治疗 (RT) 的主要挑战是向肿瘤提供足够高的治疗剂量，同时保持附近器官受到可耐受的剂量，新的治疗方式正在迅速涌现。FLASH 放射治疗提供的治疗剂量比传统 RT（0.05 Gy/s）快几个数量级（≥40 Gy/s），并且已被证明可以降低正常组织发生并发症的可能性，同时提供与传统剂量率相似或更好的肿瘤控制率，减少治疗时间和器官运动相关问题。然而，FLASH RT 的临床实施面临着重大挑战，因为它的要求使得大多数现有的剂量测定设备已过时。碳化硅 (SiC) 的物理特性使其成为一种有趣的辐射剂量测定材料。SiC 的宽带隙降低了热产生电荷载流子的速率，从而与硅相比降低了漏电流和噪声。特别值得注意的是，SiC 每 mGy 沉积的信号产量（4H-SiC 为 425 pC/(mGy · mm3)）低于硅。这使得 SiC 成为超高剂量脉冲辐射场或直接光束监测剂量测定的良好选择，其中半导体中的瞬时剂量沉积很大，可能会使传统硅二极管饱和。此外，SiC 具有更高的位移能量阈值，因此辐射硬度高于硅。如今，SiC 技术已经成熟，高质量基板可达 200 毫米，可广泛使用。在本次演讲中，我们将介绍在 IMB- CNM 设计和制造的新型碳化硅 PiN 二极管，旨在应对 FLASH RT 的技术挑战。在 PTB（德国）使用 20 MeV FLASH 电子束进行的首次表征中，这些二极管显示出其适用于高达每脉冲 11 Gy（4 MGy/s）剂量的相对剂量测定，且剂量测定性能可与商用金刚石剂量计相媲美 [doi:10.1088/1361-6560/ad37eb]。在 CMAM（西班牙）使用 7 MeV 质子测试了带有 FLASH 质子束的 SiC 二极管的性能，结果显示它们与剂量率具有良好的信号线性度，并且每脉冲剂量至少为 20 Gy 时响应可重复。最后，在 CNA（西班牙）使用高 LET、强脉冲质子束研究了二极管的抗辐射性。二极管的灵敏度在 1 MeV 质子中以 -1.34%/kGy 的初始速率逐渐下降，并且仅在接近 750 kGy 的剂量下才稳定下来。然而，即使累积剂量为几 MGy，每脉冲剂量的线性响应在很宽的剂量率范围内也能保持。所有这些测量都是在无需外部施加电压的情况下进行的。总之，在 IMB-CNM 制造的碳化硅二极管是硅和金刚石剂量计的真正替代品，适用于需要精确实时相对剂量测定的广泛应用，要求快速响应和长期稳定性。