图表 9 : SiC 产业链及代表企业 ............................................................................................................................. 6 图表 10 : 导电型碳化硅衬底 ................................................................................................................................. 6 图表 11 : 半绝缘型碳化硅衬底 ............................................................................................................................. 6 图表 12 : WolfSpeed 公司导电碳化硅衬底演进过程 ........................................................................................... 7 图表 13 : SiC 衬底制作工艺流程 ........................................................................................................................... 8 图表 14 : PVT 法生长碳化硅晶体示意图 ............................................................................................................. 8 图表 15 : 用于制备碳化硅的籽晶 ......................................................................................................................... 8 图表 16 : CMP 过程示意图 ................................................................................................................................... 10 图表 17 : CVD 法制备碳化硅外延工艺流程 ........................................................................................................11 图表 18 : SiC 功率器件种类 ............................................................................................................................... 12 图表 19 : SiC-SBD 与 Si-SBD 比较 ..................................................................................................................... 13 图表 20 : SiC-SBD 正向特性 ............................................................................................................................... 13 图表 21 : SiC-SBD 温度及电流依赖性低 ........................................................................................................... 13 图表 22 : SiC-SBD 具有优异的 TRR 特性 ........................................................................................................... 13 图表 23 : SiC MOSFET 与 Si IGBT 开关损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 24 : SiC MOSFET 与 Si IGBT 导通损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 25 : SiC MOSFET 体二极管动态特性 ......................................................................................................... 14 图表 26 : N 沟道 SiC IGBT 制备技术图 ............................................................................................................. 15 图表 27 : SiC 行业发展阶段曲线 ....................................................................................................................... 16 图表 28 : SiC 市场规模现状及预测 ................................................................................................................... 17 图表 29 : 新能源汽车包含功率器件分布情况 .................................................................................................. 18 图表 30 : 对车载和非车载的器件要求 .............................................................................................................. 18 图表 31 : 车载 OBC 发展趋势 ............................................................................................................................. 19 图表 32 : 硅基材料功率器件的工作极限 ........................................................................................................... 19 图表 33 : 全球新能源汽车碳化硅 IGBT 市场规模 ............................................................................................ 19 图表 34 : 全球新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 35 : 中国新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 36 : 2020 年全球新能源乘用车车企销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 37 : 2020 年全球新能源乘用车车型销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 38 : 光伏碳化硅器件优越性 ....................................................................................................................... 22 图表 39 : 全球光伏需求预测 ............................................................................................................................... 22 图表 40 : 全球光伏碳化硅 IGBT 市场规模 ........................................................................................................ 23 图表 41 : 全球光伏 IGBT 市场规模 .................................................................................................................... 23 图表 42 : 2015-2021 年中国累计充电桩数量 ..................................................................................................... 24 图表 43 : 2015-2020 年中国车桩比例 ................................................................................................................. 24 图表 44 : 中国新能源汽车充电桩市场规模及预测 ............................................................................................ 25 图表 45 : 全球充电桩碳化硅器件市场规模 ....................................................................................................... 25 图表 46 : 全球轨道交通碳化硅市场规模及预测 ............................................................................................... 26 图表 47 : 2020 年全球轨道交通运营里程 TOP10 .............................................................................................. 26 图表 48 : 轨道交通碳化硅器件占比预测 ........................................................................................................... 27 图表 49 : 全球轨道交通碳化硅技术采用情况 ................................................................................................... 27 图表 50 : 2015-2025 年中国 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 28 图表 51 : 2015-2021 年中国 UPS 器件类型情况 ................................................................................................ 28 图表 52 : 2011-2020 年全球 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 29 图表 53 : 2019-2025 年全球 UPS 碳化硅器件市场规模 .................................................................................... 29 图表 54 : 国外碳化硅衬底技术进展 ................................................................................................................... 30 图表 55 : 碳化硅衬底尺寸市场占比演变 ........................................................................................................... 30
以汽车领域的一家公司为例,该公司已将2025年减少目标设定为15%(图5),但是要与所需的部门途径保持一致,应将其脱碳化30%。 基于这些目标,我们计算到2025年的汽车生产组合,尤其是需要多少电动汽车。 然后,我们可以计算运送该数量的电动汽车的需要多少植物和电池,这为我们提供了资本支出和潜在的OPEX成本来实现其目标或达到所需的扇区路径线。 然后可以将这些费用与公司宣布的费用进行比较。 这使财务分析师了解该公司是否可能面临比预期更高的成本,以及公司是否可能达到其目标。以汽车领域的一家公司为例,该公司已将2025年减少目标设定为15%(图5),但是要与所需的部门途径保持一致,应将其脱碳化30%。基于这些目标,我们计算到2025年的汽车生产组合,尤其是需要多少电动汽车。然后,我们可以计算运送该数量的电动汽车的需要多少植物和电池,这为我们提供了资本支出和潜在的OPEX成本来实现其目标或达到所需的扇区路径线。然后可以将这些费用与公司宣布的费用进行比较。这使财务分析师了解该公司是否可能面临比预期更高的成本,以及公司是否可能达到其目标。
如今,国际上已达成共识,需要制定监管框架和全球协议,以协调新基础技术的附加值与负责任的管理,尤其是在使用大型语言模型 (LLM) 方面。欧盟希望成为先行者,因此通过了《人工智能法案》,这是世界上第一部全面的人工智能法律,该法律规定了欧洲市场上人工智能系统的法律框架和要求。该法律在很大程度上采用了基于风险的方法,区分了不可接受、高风险、有限风险和最小风险的人工智能系统,并对提供商、用户和第三方施加了相应的义务和禁令。根据欧盟的《人工智能法案》,某些基于人工智能的做法,包括在公共场所用于执法目的的社交评分、认知行为操纵和生物特征实时远程识别系统,均被欧盟完全禁止。
火车(推荐交通方式):从赫尔辛基国际机场到市中心的火车称为环线铁路。该线路于 2015 年 7 月开始运营,每 10 分钟一班。它有两趟列车,I 和 P,在所有车站停靠,并将您带到市中心的中央火车站。交通大约需要 30 分钟,费用为 5 欧元。车票可以在火车上或火车站入口处购买。可以乘坐从机场出口 25 号站台出发的巴士前往火车站。巴士到火车站需要两分钟,而且是免费的。有关更多信息,请参阅:https://www.hsl.fi/en/ringrailline
我们希望确保大曼彻斯特地区的儿童和年轻人拥有最好的人生开端,并在他们成长为年轻人的过程中获得身心健康支持。我们认识到,大曼彻斯特地区的服务可用性和质量存在差异,对服务的需求意味着我们的一些儿童和年轻人需要更长的评估和治疗等待时间。我们必须继续共同努力解决这些问题,同时关注早期干预和预防,并确保我们的儿童和年轻人及其家人在需要时能够获得支持。
(二)」课程共2学分,36学分【共16学(* 博士论文12学分、实务专题研究4学分),选修至少20学学国际学生不加入行业和博士课程,并且不需要参加行业实习。“夏季工业实践(1),(2)”和“完整的学年工业实践(1),(2)”有2个学分,这些学分需要被其他选修课程所抵消。因此,国际学生应至少完成36个学分,包括16个学分的学分(12个学分的论文学分,4项实用研究学分)和20个选修课程学分。六、为因应法规变更、评鉴建议或政府计画规定等外在因素,本所保有调整学分计画之权利。若有修
信任 – 可解释性是信任的先决条件(由 Ribeiro 等人 (2016) 提出);信任如何定义?信心? 因果关系 – 从纯观察数据推断因果关系已得到广泛研究(Pearl,2009),但它在很大程度上依赖于先验知识 可转移性 – 人类具有更高的概括能力,可以将学到的技能转移到全新的情况中;将其与例如进行比较CNN 对对抗性数据的敏感性(请记住,我们在现实世界中很少有 iid 数据 信息量 – 例如,诊断模型可以通过指出类似案例来支持诊断决策,从而为人类决策者提供直觉 公平和道德决策 – 为评估算法自动生成的决策是否符合道德标准而进行的解释
量子的复杂性理论承诺问题和密码学1410-1455+雷桥森(Tanja Lange,Jonathan Levin)“ PQConnect”
研讨会将由芬兰国防部主办,地点为芬兰赫尔辛基的 Katajanokan Kasino。研讨会将以全体会议开始,随后进行分组讨论/联合讨论。为确保成功,SFA 团队力求获得尽可能广泛的参与。此邀请已扩展到所有北约组织、北约和伙伴国家、北约卓越中心以及过去参加过 SFA 研讨会的所有个人。欢迎于 2015 年 10 月 21 日至 22 日在芬兰与我们一起进行激动人心的思想和见解交流。
时间框架与我们的 SFA 利益社区保持一致。在未来两年内,将分析技术趋势的融合及其对政治、人类、经济/资源和环境领域所有其他趋势的影响,并将在分析过程中使用计算能力开发一份测试报告。此外,作为区域研讨会的成果,还将提供有关俄罗斯-东欧、北极、亚太地区以及中东和北非和萨赫勒地区的简短区域报告。在这项工作中,计算能力将用于支持研究和分析阶段、开发场景以验证和指导趋势分析以及识别影响。这一过程将提供一个在工作人员流程中使用技术和创新方法的例子,以及测试新领域以制造出为北约和各国增加价值的最终产品的例子。1.3 SFA 研讨会的目的是盘点、审查方法、讨论最佳做法并概述