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World File Search System剥离
理事会战略与交付计划 2020 年 4 月
长期目标是剥离可以安全剥离的服务领域，并集中精力于法定职能和要求，确保社区中最脆弱的成员得到良好标准的支持。为了实现这一目标，必须确保留住具有适当资格的工作人员或继任者达到所需标准，这将及时开始为圣赫勒拿制定积极的继任计划。从历史上看，削减合格人员作为节省预算和职位本地化的手段，导致服务低于法定要求，这种做法不应再被复制。
在电解质中的液晶相间的原位形成，具有无柔软的模板效应，可用于双电极电池
Zn/MNO 2电池由双重沉积反应驱动，是在水性系统中实现高能量密度的突出途径。引入最初的双电极（阳极/阴极）构型可以将能量密度进一步提高到200 WH kg -1以上，但由于Zn/MNO 2沉积和剥离的可逆性差而导致的循环寿命有限。从材料合成中的软模板策略中汲取灵感，在这里，我们将这种方法应用于电沉积和剥离，并设计原位形成的液晶相间。通过仅将0.1 mM的表面活性剂分子掺入电解质中来实现，这可以诱导有利的C轴向取向沉积六边形Zn和MNO 2。这种增强后随后增加了沉积/剥离可逆性，并促进了双电极电池的循环寿命，在〜950周期后实现了80％的容量保留。这种液晶相间化学也有很大的希望，可以在其他晶体系统中调节沉积，为下一代高能密度和基于水性化学的长期储能打开了令人兴奋的研究方向。
已发表版本的引用（APA）：Takahashi, M., Jørgensen, JK, Jørgensen, AB, Munk-Nielsen, S., & Uhrenfeldt, C. (2023)。热循环失败
摘要 — 如果可以在 3D 模型上评估模块的结构弱点，则无需物理原型即可对电源模块进行可靠性结构优化。在本研究中，研究了 3D 热应力模拟作为中压电源模块热循环测试 (HCT) 故障点的预测工具。该模块具有两种不同陶瓷（Al2O3 和 AlN）的多层结构，以减少寄生电容。在这个结构复杂的模块中，实际测试样品的故障点与 3D 模拟中的热机械应力的弱点相重合。热循环测试（125/-40°C）用于模拟和测试。模块的故障点主要是 HCT 100 次循环后铜从 AlN 基板表面剥离。剥离位置与模拟中的点相匹配，模拟结果具有两个特征，即高剥离应力点和铜图案的高形状变形。这一观察结果适用于仅与陶瓷连接的铜图案，而与其他相邻层连接的铜图案则不遵循这一趋势。索引术语 —10kV SiC-MOSFET 功率模块、热循环、3D 建模、有限元方法、热机械应力
新鲜人脑的本地超微结构直接从尸检中剥离，由低温电子层析成像揭示出具有冷冻血压浓缩的离子束铣削
运行标题：塞内克斯抑制CDK8/19鲁棒性强制执行病毒潜伏期，这是HIV-1治疗关键词的“阻止和锁定”策略：CDK7； CDK8; CDK9; CDK19; YKL-5-124; LDC000067;塞内克斯蛋白A; HIV-1;潜伏期；转录； tfiih;介体激酶； p-tefb;块和锁 *通信：I。Sadowski，Dept.生物化学和分子生物学，UBC，2350 Health Sciences Mall，Vancouver，B.C.，V6T 1Z3，加拿大；电子邮件：ijs.ubc@gmail.com;电话：（604）822-4524;传真：（604）822-5227。
UltiKleen STG 过滤器 - Pall Shop
Pall UltiKleen STG 过滤器专为非灰化聚合物剥离应用中的有机剥离剂过滤而设计，其中大凝胶数量较多。这些凝胶体积较大，会迅速堵塞传统的膜过滤器，导致过滤器寿命缩短和工艺停机。UltiKleen STG 过滤器采用精心设计的多层介质结构，将高凝胶保留能力层与优化的褶皱设计相结合，以保持连续的流体流动。结果是卓越的凝胶去除效果和较长的过滤器寿命，从而延长了工艺操作时间。
低载波SiC 上的高密度外延石墨烯器件
石墨烯是第一种真正的二维材料，[1] 是形成简单六边形晶格的单层碳。剥离的石墨烯薄片表现出了高迁移率和异常量子霍尔效应 (QHE) 等显著的电学特性，引起了人们对其在许多实际应用中的极大兴趣。[2–5] 然而，由于剥离的石墨烯薄片的尺寸限制（通常高达几十微米），石墨的机械剥离无法提供适用于商业晶圆尺寸电子器件或精确电阻计量的石墨烯。当 SiC 衬底在超高真空或惰性气体氛围中以高于 1000°C 的温度退火时，Si 升华后碳会残留在 SiC 表面并重新排列形成石墨烯层。这种外延石墨烯 (EG) 已准备好用于大规模器件制造，无需转移到另一个绝缘基板上。在六边形 SiC 晶片的硅端面 (Si 面) 上生长的石墨烯由于与 SiC 晶体的方位角取向一致，可以形成大域。与在相反 (碳) 面上生长的石墨烯相比，在 Si 面上，EG 还具有更可控的生长动力学。最近，通过优化
SiC 上的低载流子密度外延石墨烯器件
石墨烯是第一种真正的二维材料，[1] 是形成简单六边形晶格的单层碳。剥离的石墨烯薄片表现出了高迁移率和异常量子霍尔效应 (QHE) 等显著的电学特性，引起了人们对其在许多实际应用中的极大兴趣。[2–5] 然而，由于剥离的石墨烯薄片的尺寸限制（通常高达几十微米），石墨的机械剥离无法提供适用于商业晶圆尺寸电子器件或精确电阻计量的石墨烯。当 SiC 衬底在超高真空或惰性气体氛围中以高于 1000°C 的温度退火时，Si 升华后碳会残留在 SiC 表面并重新排列形成石墨烯层。这种外延石墨烯 (EG) 已准备好用于大规模器件制造，无需转移到另一个绝缘基板上。在六边形 SiC 晶片的硅端面 (Si 面) 上生长的石墨烯由于与 SiC 晶体的方位角取向一致，可以形成大域。与在相反 (碳) 面上生长的石墨烯相比，在 Si 面上，EG 还具有更可控的生长动力学。最近，通过优化