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用于片上锌离子微电极的先进 3D 微电极...
开发具有更安全、更具成本效益的系统的高性能平面微电池对于为医疗植入物、微型机器人、微型传感器和物联网 (IoT) 等智能设备供电至关重要。然而，由于难以有效地将高容量活性材料加载到微电极上，目前的片上微电池在有限的设备占用空间内能量密度有限。片上微电池需要先进微电极的创新设计。这项工作引入了先进的、高度多孔的 3D 金 (Au) 支架基叉指电极 (IDE) 作为集电器，这能够有效地加载活性材料 (Zn 和聚苯胺)，而不会影响整体导电性，并显著增加活性质量负载。这些基于 3D Au 支架的微电池（3D P-ZIMB）在材料加载到平面 Au IDE 上时，与传统微电池（C-ZIMB）相比，具有显著更高的能量存储性能（增强 135%）。此外，3D P-ZIMB 比大多数高性能片上微电池具有更高的面积容量（≈ 35 μ Ah cm − 2 ）和面积能量（≈ 31.05 μ Wh cm − 2 ），并且它提供比高性能片上微型超级电容器高得多的面积功率（≈ 3584.35 μ W cm − 2 ）。深入的事后调查显示，3D P-ZIMB 避免了材料剥落、电解质离子扩散缓慢和阳极上枝晶形成等问题，同时保持了相同的材料形貌和结构特征。因此，本研究提出了一种智能策略来提高平面微电池的电化学性能并推动片上微电池研究领域的发展。
锂离子电池用不同结晶度介孔 TiO2 纳米颗粒负极材料的机理研究
由于其储量丰富、生产成本低以及理论容量合理（372 mA hg 1），它被认为是最先进的 LIBs 负极材料。1,2然而，它存在严重的结构崩塌、循环过程中的剥落、与低工作电压相关的锂枝晶生长以及低温应用的限制。1,3 – 8由于 LIB 技术的快速发展，寻找新型负极材料迫在眉睫。在各种类型的负极材料中，氧化物基插层型负极因其高体积能量密度、增强的安全性和不错的功率密度而备受关注。 2,9 – 14 特别是钛基氧化物材料，例如 TiO 2 ，由于其成本低、毒性低、理论容量好、安全操作电位（1.7 V vs. Li/ Li + ）、锂嵌入过程中体积变化小（< 4％）和往返效率高，对锂离子电池很有吸引力。2,12,15 – 18 氧化物电极材料的电化学性质在很大程度上受原子排列的影响。已研究了用于 LIBs 的各种同质异形体的 TiO 2，包括锐钛矿 ( I 4 1 / amd )、19 – 21 金红石 ( P 4 2 / mnm )、19,22,23 TiO 2 -B ( C 2 / m )、24,25 板钛矿 ( Pbca )、26 斜方锰矿 ( Pbmn ) 27 和钙钛矿 ( I 4 / m )。28 在所有同质异形体中，锐钛矿 TiO 2 的研究最为广泛。2,11,29 此外
在威胁演员再次进行之前闯入Draytek路由器
•一个人的严重程度得分最高为10•鉴于这些漏洞的显着风险，建议立即采取行动。Draytek迅速做出了回应。发现的所有漏洞都在各种固件版本中进行了修补。威胁风险在168个国家 /地区在线曝光的704,000多个Draytek路由器，您无法低估威胁景观。这些设备不仅是硬件；它们代表了毁灭性攻击的潜在入口点。我们的研究表明，这些漏洞可用于间谍，数据剥落，勒索软件和拒绝服务（DOS）攻击。有关涉及易受攻击的设备的示例，请参见第6节“攻击方案”，该设备配置为在WAN（Internet）上公开Web UI。但是，威胁风险不是理论上的。2024年9月18日，联邦调查局宣布，它已经删除了一个在Draytek Assets上剥削三个CVE（CVE-2023-242290，CVE-2020-15415和CVE-20202020-8515）。两周前，CISA将另外两个Draytek CVE添加到KEV（CVE-2021-20123和CVE-2021-20124）。这些事件与我们的发现是分开的，但是它们突出了连续威胁智力发现新问题并跟踪这些设备上的剥削的重要性。商业影响由于这些路由器中有75％用于商业环境，因此对业务连续性和声誉的影响是严重的。成功的攻击可能导致大幅停机，客户信任的丧失和监管处罚，所有这些都完全落在CISO的肩膀上。推荐动作
利用相关事后拉曼和 TEM 研究纳米压痕引起的硅结构变化与温度的关系
硅仍然是技术上最重要的材料之一，广泛应用于各种微电子和微机电系统 (MEMS) 设备和传感器。几十年的深入工业研究已经带来了一些最先进的硅材料加工路线，但有关其机械性能的一些细节仍然是个谜。这并不是因为缺乏努力，而是因为其复杂性。就变形机制而言，位错塑性、断裂和各种相变都是可能的，具体取决于加载速率、应力状态、尺寸、温度、杂质的存在等。本研究重点关注硅中的相变，这种相变发生在以压缩载荷为主的围压下 [1-3]。这使得仪器压痕成为诱导此类行为的流行选择 [4,5]，我们在各种温度下都进行了这种测试。本研究的独特之处在于联合使用了两种事后显微镜技术：压痕的拉曼映射和聚焦离子束 (FIB) 加工提升的透射电子显微镜 (TEM)。这样做是为了试图更详细地了解不仅发生了哪些相变，而且了解它们在空间中的分布情况以及这种相变与压头下方局部应力状态的关系。在高温下，使用配备 800C 的 Hysitron PI88 原位 SEM 压痕和配备金刚石 Berkovich 尖端的原型高真空平台纳米压痕系统测试了具有 <001> 取向和 p 型掺杂的硅晶片，电阻率为 0.001-0.005 Ω-cm，相当于 1x1019 - 1x1020 cm-3 硼掺杂。沿着压痕的对角线准备提取件，从而将一个面和一个角一分为二。在减薄和转移到半网格之前，先沉积保护性铂。样品制备采用 FEI Versa 3D 双束和 EasyLift 操纵器（Thermo Fischer Scientific，希尔斯伯勒），并使用在明场中以 300keV 运行的 Technai F30 TEM 进行成像。图 1 显示了硅从室温到 450°C 的纳米压痕行为变化的摘要。其中，硬度最初随着温度升高到大约 150°C，然后开始稳步下降。这是一个相当有趣的观察结果，因为当性能由位错塑性介导时，硬度和屈服强度通常会随着温度的升高而降低 - 这表明在低温范围内其他行为占主导地位。这也体现在压痕的后期 SEM 成像中，因为在室温下会出现剥落，在 100°C 时会消失，然后在 200°C 时变成延性流动。剥落归因于卸载过程中晶格膨胀的相变。图 2 展示了一些关于解释这种硬度变化的变形机制变化的理解，其中显示了事后拉曼图和 TEM 图像。此处，室温拉曼图显示压头压痕下有一个强烈的相变区域，这从 TEM 成像中也可以看出来。当温度升高到 100°C 时，拉曼光谱显示从非晶态、R8 和 BC8 硅相的复杂混合物急剧转变为六方相和金刚石立方体相。事后 TEM 也显示相变区域的变化，特别是总相变材料的减少。在 200°C 时，拉曼光谱显示为金刚石立方体，含有少量六方材料。TEM 显示压痕下似乎以孪生塑性为主，几乎没有明显的相变材料。
gghead：快速且可推广的3D高斯头
从大型2D图像收集中学习3D头先验是迈向高质量3D感知人类建模的重要一步。核心需求是一种有效的体系结构，可以很好地扩展到大型数据集和大型图像分辨率。不幸的是，现有的3D GAN由于火车相对较慢和渲染速度而难以扩展以高分辨率生成样品，并且通常必须依靠2D超分辨率网络以牺牲全球3D一致性为代价。为了应对这些挑战，我们提出了发电性高斯头（GGHEAD），该挑战在3D GAN框架内采用了最近的3D高斯剥落表示。为了生成3D表示，我们采用强大的2D CNN发电机来预测模板头网格的UV空间中的高斯属性。以这种方式，GGHEAD利用了模板的UV布局的规律性，从而实质上促进了预测非结构化的3D高斯人的挑战性任务。我们进一步提高了生成的3D表示的几何保真度，并在渲染的紫外线坐标上发生了新的总变化损失。直觉，这种正则化鼓励相邻的渲染像素应源于模板的紫外线空间中的邻近高斯人。总的来说，我们的管道可以有效地生成仅从单视2D图像观测值训练的3D头。我们的拟议框架与FFHQ上现有的3D头gan的质量相匹配，同时既快速又完全3D。结果，我们首次以1024 2分辨率证明了高质量3D一致的头的实时生成和渲染。项目网站：https：//tobias-kirschstein.github.io/gghead
通过在火花阳极氧化生长的 TiO2 层中填充藻酸盐孔隙来捕获 Ag 和羟基磷灰石来增强 Ti6Al4V 的生物相容性和抗菌活性
基于这些特性，金属和金属合金被用作承重植入物。其中，钴铬合金、不锈钢、钛和钛合金被广泛用于多种生物医学应用。特别是，钛及其合金的弹性模量接近骨骼，密度低于钴铬合金和不锈钢。[2,3] 此外，与纯钛相比，钛合金具有更高的机械性能，使其特别适合用作骨科和创伤植入物。然而，钛和钛合金被认为是生物惰性材料，即它们不会与人体周围组织发生化学或生物反应。[4] 此外，涉及钛合金（即 Ti6Al4V 合金）的腐蚀现象会导致释放对人体有害的 Al 和 V 合金。为了促进植入物与现有人体骨组织的骨整合，从而优化装置的整合，在植入物表面生长涂层可能是一种合适的方法。尤其对于钛和钛合金，火花阳极氧化是一种合适的技术，可在基体上生长出牢固粘附的多孔陶瓷涂层，最大限度地减少可能导致骨溶解的剥落现象。在此背景下，已研究了多种策略来增强钛合金的生物活性，从而增强其骨整合。[5–7] 文献中有充分的证据表明，羟基磷灰石 (HA，Ca 10 (PO 4 ) 6 (OH) 2 ) 的存在可以增强外来生物材料的骨整合，因为它与硬组织和软组织具有很高的生物相容性。[8] 因此，诱导 HA 的结合或生长已被证明是提高材料生物活性的一种好策略。例如，这可以通过电化学转化涂层工艺（如火花阳极氧化）通过精确调整操作条件（形成电压、电解质浴成分等）来实现。 [3,9,10] 此外，Ti6Al4V 合金表面生长一层厚的阳极氧化层可以提高其耐腐蚀性能
开发用于小芯片的切割芯片粘接膜 (DDAF)
近年来，对包括微机电系统 (MEMS) 和传感器在内的越来越小的芯片的需求急剧增加。自动驾驶技术等技术正在腾飞，市场对减小封装尺寸和提高移动设备性能的压力也在增加。DDAF 越来越多地被用于这些应用中，以将芯片粘合到基板和其他芯片上。DDAF 可用于切割和芯片粘合工艺，取代了使用两种独立材料来切割和粘合芯片的需求。它由 DAF（芯片粘接膜）和基材组成，DAF 层将小芯片粘合到基板和其他芯片上。然而，传统的 DDAF 在芯片尺寸较小时容易出现转移故障 (TF)。这是一种故障模式，在芯片拾取 (PU) 过程中，DAF 层从芯片背面剥落。导致此问题的根本原因有多种；小型芯片的 DAF 附着面积较小，而为增加芯片强度而使芯片背面光滑，导致 DAF 无法锚定到芯片本身。通过使用具有高熔体粘度的 DAF，使 DAF 能够更好地锚定到芯片上，从而改善了 PU 工艺上的 TF。但是，由于材料无法嵌入到基板上，封装可靠性下降。探索了高基板嵌入抑制 TF 的影响因素。为了探索这些因素，实施了直角撕裂强度方法。在分析数据后，发现了一个抑制 TF 的新参数。该参数与 TF 显示出很强的相关性。开发了一种新的 DDAF，可减轻 PU 过程中的 TF。关键词 刀片切割、切割芯片贴膜、MEMS、直角撕裂强度法、转移失败
高级电子掩蔽替代方案的残留分析
irvine，ca摘要在任何保形或化学蒸气沉积的涂料过程，特定区域和组件（通常称为“保持区域”）通常被掩盖在印刷电路板（PCB）上，以保护它们免受暴露于涂料材料的影响。有几种掩盖方法，传统上，这是通过使用磁带（手动应用），紫外可固化的遮罩材料，基于乳胶的产品以及最近可配置，可剥落的热层材料来实现的。掩盖材料可以留下残留物。可能必须清洁这些残留物，因为可能存在腐蚀，电化学迁移和/或寄生电流泄漏的风险。本文还将评估聚酰亚胺胶带，紫外线固化，基于乳胶和热熔遮罩材料，并比较每种胶带，除了测试与性能有关性能的产品外，还可以与无污染的焊料糊状残留物进行测试。将对材料残基的表面绝缘测试（SIR）进行表面绝缘测试（SIR）以及傅立叶转化红外光谱（FTIR）分析。引言在许多电子应用中，PCB组件需要某种类型的保护方法来提高其在有害环境中的可靠性。一种方法是使用保形涂层。共形涂层是施加在PCB表面的侮辱性材料的薄层，以保护敏感组件免受热休克，湿度，水分，腐蚀，腐蚀，灰尘，污垢和其他破坏性元素的影响。共形涂层还可以提供介电电阻，以防止装配内部和外部的杂散电流。在某些情况下，将共形涂层用于缓解锡晶须生长。
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* 包括与白消安清髓性预处理相关的不良事件。# 涵盖多个系统器官类别。a 粘膜炎包括肛门炎症、粘膜炎症、口腔粘膜剥落、口腔粘膜粗糙、咽部炎症、口腔炎。b 腹痛包括腹痛、下腹痛、腹部不适、上腹痛。c 病毒感染包括BK病毒感染、人鼻病毒检测阳性、流感、流感样疾病、副流感病毒感染、鼻病毒感染、SARS-CoV-2检测阳性、病毒感染。d 上呼吸道感染包括上呼吸道咳嗽综合征、上呼吸道感染、病毒性上呼吸道感染、咽炎、链球菌性咽炎。e 脓毒症包括细菌性脓毒症、中性粒细胞减少性脓毒症、真菌性脓毒症、脓毒症。 f 肌肉骨骼疼痛包括肌肉骨骼疼痛、肌肉骨骼性胸痛、骨痛、肌肉骨骼不适、胸痛、肌痛、颈痛、非心源性胸痛、四肢疼痛、脊椎痛、肌腱痛、背痛。g 头痛包括头痛、偏头痛。h 咳嗽包括咳嗽、上呼吸道咳嗽综合征、咳嗽有痰。i 口咽痛包括口咽痛、口腔痛、口咽不适、下颌痛。j 鼻炎包括鼻炎、流鼻涕、过敏性鼻炎。k 皮疹包括痤疮、痤疮样皮炎、特应性皮炎、斑疹、瘀点、皮疹、毛囊性皮疹、斑状皮疹、斑丘疹性皮疹、瘙痒性皮疹、脓疱性皮疹、水疱性皮疹。 l 色素沉着症包括口腔色素沉着、色素沉着障碍、皮肤色素沉着过度、皮肤色素减退。
关于电力危机和正义过渡的说法
在2023年的头几个月中，负载的强度从一年中本来已经很大的天数增加到几乎每天发生。缺乏可靠的电力供应对南非社会以及成千上万的就业机会造成了持续的毁灭性影响，而更多的工作也遭到了损害。尚未量化对经济产出的全部影响，但无疑是很高的。学术界已经广泛发表了有关负载剥落的原因，相互依存的含义和含义。2023年，总统宣布，该国的能源危机构成了全国性的灾难。12233年3月任命的新电力部长的任务是实施国家能源行动计划，以结束负载并关注ESKOM。埃斯科姆的运营活动现在由三个部委（矿产资源和能源，公共企业和总统职位）（电力）管理。然而，这三个部门之间的责任和授权的协调不清楚，造成了额外的混乱，破坏了问责制和绩效的改善。因此，在政治上解决电力危机方面几乎没有取得进展。Assaf认为，在与该国面临的其他多种危机（一层）的背景下，合理的，基于证据的决策应从理解电力危机的深层根源开始。该声明旨在从“正义过渡”的角度为当前电力危机的公众讨论做出贡献。什么是公正的过渡？它与电力危机有何关系？从1980年代美国工会运动中出现了公正过渡的概念。它是由包括国际劳工组织（ILO）在内的许多国际组织所接受的。ILO将公正的过渡定义为“以一种对每个人都尽可能公平和包容的方式绿化经济，创造体面的工作机会，而没有一个人落后” 2。当该概念在1990年代将其进口到南非时，它是由劳动运动定义的，是指变革性的变革，以创造一个更加公正和平等的社会3。从那以后，该概念被缩小以指代能量