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World File Search System力键合
电子回旋共振等离子体法制备氮化硅薄膜的键合结构和氢含量
a 电子和计算机技术系，卡塔赫纳理工大学，30202 卡塔赫纳，西班牙 b 马德里康普顿斯大学 Física Aplicada III 系，28040 马德里，西班牙 c 萨里大学离子束中心，吉尔福德 GU2 7XH，英国 d 研究所Tecnológico e Nuclear, Estrada Nacional 10, 2686-953 Sacavém, 葡萄牙 e 南岸大学工程、科学和技术学院, 103 Borough Road, London SE1 0AA, United Kingdom
优化芯片准备和处理以实现高产量混合芯片到晶圆键合
摘要 混合铜/电介质键合是一种成熟的晶圆对晶圆 (W2W) 键合技术，但将该技术应用于芯片对晶圆 (D2W) 键合却具有挑战性。芯片或晶圆上的极小颗粒可能会导致空隙/非键合区域。用于混合 W2W 的晶圆清洁和激活工艺已经相当成熟，但将其应用于减薄和单片化芯片进行 D2W 键合却非常具有挑战性。为了允许（部分）重复使用现有的晶圆级清洁、计量和激活工艺和设备，我们提出了一个新概念，即在玻璃载体晶圆上对芯片进行单片化、清洁和激活。在完成芯片准备步骤后，直接从载体晶圆上拾取芯片。这种方法不需要额外的拾取和放置步骤，并且避免使用传统的切割胶带。使用这种新方法进行的首次直接电介质 D2W 键合实验显示出非常有希望的键合产量，键合的 50 µm 薄芯片数量众多，完全没有空隙。此外，通过消除切割胶带，减薄晶圆和单个芯片始终由刚性表面支撑，从而实现超薄芯片处理。在本研究中，我们还报告了厚度小于 10 µm 的芯片的处理。关键词载体系统、混合键合、互连、拾取和放置、薄芯片
可构想的介电启用结构化mems和2.5D / 3D键合系统< / div>
Materials • Substrate: 200mm Silicon • Adhesion Promoter: AP9000C • Dielectric: CYCLOTENE TM 6505 Dielectric (positive tone) Bonding Evaluation 1) Priming with AP9000C: 200mm Wafer Track • 2000rpm spin coat, 150˚C/60sec 2) Spin Coat: 200 mm Wafer Track • 1250 rpm/45 sec targeting 5.5 um after development • 90˚C/90秒3）曝光工具：掩模对准器•ABCD面膜平方柱（1-300 UM功能）•20 UM接近差距4）曝光后延迟延迟：〜15分钟5）开发：200mm Wafer Track
开发用于鞋类制造中自动键合的集成机器人工作栏
抽象的传统制造行业目前沉浸在自动化过程中，集成了新技术和工具，这是由生产商要求改善制造过程以及员工工作条件的需求所驱动的。对于鞋类行业来说，粘合是在制造过程中的关键操作，在该过程中，外底被组装到持久的鞋子上。但是，在此操作中，工人通常会受到危险物质（即有机溶剂）的危害，并执行具有有限附加值的重复任务。在这种背景下，本文描述了一个研究项目的结果，其目的是从分析的不同技术中获得最大收益，例如协作机器人技术，人造视觉和多机器人控制，以操纵灵活/可变形物体。该项目的主要结果是在生产线中引入的鞋子粘合机机器人工作栏，以完全自动化操作。此工作电池集成了三个协作机器人，一个用于（热融化）粘合剂应用，另外两个则与两指电动握把，以同步进行粘合。也已嵌入了不同的视力系统以进行所涉及的各种过程。整个操作通过ROS（机器人操作系统）进行控制和协调。这项研究的主要发现展示了人类传统上进行的过程的自动化。在这种新颖的方法中，两个机器人合作操纵灵活的物体，使操作员免于重复，非价值补充的任务和处理危险物质的处理。
卤素键合的性质：相互作用的量子原子和源函数研究的见解
在这里报告了一组扩展的替代吡啶与d -x分子（d = x，cn）形成的复合物中x n（x = i，br）卤素键的详细研究。通过Bader的分子中的原子量子理论（QTAIM）和Penda的相互作用量子原子（IQA）方案，已经在不同的（MP2和DFT）理论水平上研究了这些相互作用的性质。吡啶环上的取代基和卤素键特征上的卤代残基。我们发现，交换相关能量代表了对IQA总能量的实质性贡献，在某些情况下，与（I 2个复合物）甚至是dominited（ICN复合物）相当。有意义的信息是由源函数提供的，表明X N相互作用的键临界点对电子密度的主要贡献是从卤素原子得出的，而氮原子的贡献要低得多，该氮原子充当电子密度的源或源。从远端原子的相关贡献（包括吡啶环不同位置的各种电子支持和吸引电子取代基）也被确定，突出了电子密度的非局部特征。已经检查了结合能，根据IQA的相互作用能量和QTAIM描述符（例如DELECALIZERIAD指数和源函数）之间可能存在的关系。通常，只有在直接涉及的卤素和氮原子外部环境中，才能发现良好的相关性，在相互作用中起较小的作用。
涂有pd的Cu线的针键键工艺
成本降低是最近向CU线键合的主要驱动力，主要是AU线粘结。包装的其他成本降低来自基板和铅框架的新开发项目，例如预镀框（PPF）和QFP和QFN的UPPF降低了镀层和材料成本。但是，由于粗糙的smface饰面和薄板厚度，第二个键（针键键）在某些新的LeadFrame类型上可能更具挑战性。pd涂层的Cu（PCC），以通过裸铜线改善电线键合工艺，主要是为了提高可靠性并增强了S TCH键过程。需要进行更多的FTMDAMENTALS研究来了解粘结参数和粘结工具的影响以提高针迹键合性。在本研究中研究了Au/Ni/pd镀的四型扁平铅（QFN）PPF底物上直径为0.7 mil的PCC电线的针键键过程。两个具有相同几何形状但不同的s脸的胶囊用于研究Capillruy Smface饰面对针键键过程的影响。两种毛细血管类型是一种抛光的饰面类型，用于AU线键合，而颗粒•饰面毛细管具有更粗糙的smface fmish。比较铅（NSOL）ATLD SH01T尾巴之间的过程窗口。研究了过程参数的影响，包括粘结力和表SCMB扩增。过程窗口测试结果表明，颗粒毛细管具有较大的过程窗口，并且SH01T尾巴OCCTM的机会较低。在所有三个Pru·emeter套件中，颗粒状的毛细血管均显示出更高的粘结质量。较高的SCMB振幅增加了成功SS的机会 - 填充针键键的fonnation。ftnther比较了毛细血管smface饰面，3组参数se ttings ttings ttings ttings具有不同的键atld scmb a振幅ru·e测试。与抛光类型相比，Grrumlru·capillruy产生了更高的针迹拉力强度。开发了该过程的有限元模型（FEM），以更好地了解实验性OB使用。从TL1E模型中提取了电线和亚种界面处的电线的Smface膨胀（塑性脱节），并归因于粘附程度（键合）。该模型用于与不同的Smface饰面相连（键合）的实验观察。
DIE的三维建模和表征...
1摘要：在本研究中建立和验证了模具附件（DA）过程的新的三维模型。使用此模型，可以准确预测DA过程的流体流量特性。动态网格和界面跟踪方法，以研究压缩运动和DA的前部。力驱动的模型，以进行不同键合力的参数研究。在优化条件下，通过四种材料AP1，CA1，CA4和DM60验证了DA过程的模型。粘结线厚度（BLT）可以通过〜20％精度进行模拟来预测。模拟结果表明，粘度是关键特性之一，它对所需的键合力，键合时间和DA污染具有显着影响。模具顶部的完整填充和DA污染是评估流体动态分析中良好粘结力范围的两个重要标准。压力分析阐明了圆角面积非常关键，并且在回流过程中经历最高的压力。
