距离海岸 50 公里以上的地方,风力涡轮机产生的电力一般会收集到海上变电平台上,并通过高压电缆输送。当距离更远时,电力将升压到 HVDC(高压直流电),以减少后续传输过程中的功率损耗。平台上可以连接多个风电场。
针对 LEO、MEO 和 GTO 轨道,分别分析了每种任务类型的要求。每种情况下辐射环境的差异推动了每种太阳能电池板的整体设计,并达到了每个项目鉴定阶段的单独参数。还分析了这些项目中的功率损耗(包括寿命终止计算),以确定最终选择的利用和配置。
摘要。音频放大器是经典的、常用的电子电路;特别是在高瓦数放大器的应用中;A 类音频放大器最受欢迎,并且具有最佳音质。然而,它们的扩展率低,效率低。例如,著名的 A 类电路模型:Krell KSA-100,由 3 对复合功率放大器组成,使用正负 45 伏的电源,会一直产生高电流和高功耗,即,当输入信号电压为零时,电路会产生流过最终功率放大器(1 安培对)的电流。这导致总电流始终达到 3 安培或 137 瓦。研究人员将进行研究,通过降低电源电压来减少这种条件下的功率损耗,但电路仍可以像以前一样有效地扩展音频信号。实验用交流电源变压器调节输入电压,可在28伏至145伏之间调节,使直流电源在10伏至45伏之间改变电压。在8欧姆负载下输入100mVpp的输入信号,1kHz正弦波频率,并将电压从45伏降低到输出放大器仍能保持输入信号。实验结果表明,当降低电源电压时,功率损耗相应减少。
摘要 — 在主动配电网中,可再生能源 (RES) 例如光伏 (PV) 和储能系统(例如超导磁能储能 (SMES))可以与消费者结合组成微电网 (MG)。光伏的高渗透率导致联络线潮流波动剧烈,并严重影响电力系统运行。这可能导致电压波动和功率损耗过大等若干技术问题。本文提出了一种基于模糊逻辑控制的 SMES 方法 (FSM) 和一种基于优化模糊逻辑控制的 SMES 方法 (OFSM),用于最小化联络线潮流。因此,波动和传输功率损耗降低了。在 FSM 中,SMES 与鲁棒模糊逻辑控制器 (FLC) 一起使用以控制联络线潮流。在 OFSM 中采用优化模型来同时优化 FLC 的输入参数和 SMES 的电压源换流器 (VSC) 的无功功率。将最小化联络线潮流作为优化模型的目标函数,利用粒子群优化 (PSO) 算法解决优化问题,同时考虑公用电网、VSC 和 SMES 的约束。仿真结果证明了所提方法的有效性和鲁棒性。
创新点包括材料的组成、制备方法以及一种用于增强天线性能的丝网印刷柔性贴片天线的制备方法,其中含有铁氧体厚膜。事实证明,通过在基板和导电贴片之间添加铁氧体厚膜,铁氧体厚膜的介电和磁性可以增强天线的功率损耗和带宽,这对天线性能至关重要。该创新还独立于贴片天线的设计,让客户可以自由使用自己的定制设计/系统。
ir Hirel R9技术为空间应用提供了卓越的功率MOSFET。这些设备对单个事件效应的免疫力提高了(请参阅),并以最高90mev/(mg/cm 2)的线性能量转移(LET)的有用性能进行了特征。在当今高速开关应用(例如DC-DC转换器和电机控制器)中,低R DS(ON)和更快的切换时间的组合减少了功率损耗并增加了功率密度。这些设备保留了所有已建立的MOSFET的所有优势,例如电压控制,电气参数的快速开关温度稳定性。
I. 引言 电力电子逆变器在各种工业驱动应用中越来越受欢迎。从技术角度来看,使用电子功率转换器引入了新的挑战性问题,例如拓扑复杂性、额外的功率损耗和电磁干扰 (EMI),从而降低了系统的整体服务质量、效率和稳定性。为了克服这些缺点,研究人员提出了新的控制拓扑或修改现有的拓扑,以提高逆变器端子的可用能量。其中,正弦脉冲宽度调制 (SPWM) 级联多级替代了当前的逆变器拓扑。级联功率设备,从而克服了它们的电压限制并减少了谐波。MLC 拓扑主要有三种:中性点钳位、级联 H 桥和飞跨电容器 (FC)。通常,需要串联连接四到十二个逆变器才能达到所需的输出电压。MLI 设计的一个主要问题是其控制的复杂性。在过去的十五年里,模糊逻辑 (FL) 被成功采用。它主要用于逆变器控制和调制技术,主要用于直流/交流转换器领域。级联功率器件,从而克服了它们的电压限制并降低了谐波。本文提出了基于模糊的级联多电平逆变器,以实现低谐波失真、降低功率损耗、成本效益高、波形清晰以及电压稳定性。使用 MATLAB/SIMULINK 对所提出的方法进行了仿真。
测试结果 目标是仅通过更换谐振回路来提高效率、成本和 Trise,而无需使用分立谐振电感器。尺寸、成本、效率和 Trise 都得到了显著改善。还要注意,中等负载下的效率提高达到 5%。由于 PFC 级保持不变,21% 的总功率损耗减少意味着 LLC 级的功率损耗减少约 30%。最后,使用集成变压器可提高 pri/sec 绝缘的水平和可靠性。测试变压器的结构允许超过 6KV 的介电强度和 10mm 的爬电距离,而无需额外成本。
摘要 — 表面电极离子阱因其对捕获离子的卓越可控性而在实际量子计算中具有极高的前景。借助先进的微加工技术,硅已被开发为离子阱衬底,用于精细的表面电极设计以及单片电光元件集成。然而,硅的高射频损耗阻碍了大规模实施的可能性。在这项工作中,我们展示了一种硅通孔 (TSV) 集成离子阱,由于消除了表面上的引线键合焊盘和外形尺寸的小型化,该离子阱具有较低的射频损耗。我们还制造了两种类型的传统引线键合 (WB) 阱,它们有或没有接地屏蔽层。就片上 S 参数、封装后谐振和由此产生的功率损耗而言,对不同离子阱的射频性能进行了测试和比较。结果表明,与 WB 阱相比,TSV 阱具有较低的 S21(50 MHz 时约为 0.2 dB)、较高的 Q 因子(约为 22)和较低的功率损耗(0.26 W)。此外,还采用 3D 有限元建模对不同阱的电场进行可视化和 RF 损耗分析。从建模中提取的结果与测量结果显示出良好的一致性。除了各种 RF 测试外,还介绍了不同离子阱的设计、制造和离子捕获操作。这项工作提供了对离子捕获装置 RF 损耗的见解,并为减少 RF 损耗提供了一种新的解决方案。