频率 GHz S11 角度 S11 角度 S21 角度 S21 角度 S12 角度 S12 角度 S12 角度 S22 角度 S22 角度 27.0 0.062 -129.237 0.551 90.459 0.010 177.923 0.116 160.920 27.5 0.077 -125.081 0.649 76.292 0.005 -126.794 0.113 141.866 28.0 0.089 -124.663 0.761 61.180 0.007 171.615 0.114 139.036 28.5 0.106 -125.311 0.902 45.683 0.007 -17.647 0.107 126.936 29.0 0.117 -130.964 1.065 29.516 0.017 67.959 0.070 111.208 29.5 0.128 -130.821 1.249 12.396 0.006 -1.088 0.062 103.935 30.0 0.143 -136.975 1.476 -4.753 0.009 -8.184 0.049 96.472 30.5 0.149 -142.520 1.751 -22.671 0.009 -29.238 0.039 86.803 31.0 0.154 -145.023 2.077 -41.829 0.012 61.068 0.036 90.848 31.5 0.163 -149.449 2.479 -61.162 0.022 -38.946 0.022 90.737 32.0 0.157 -158.027 3.009 -81.541 0.009 -39.383 0.042 68.986 32.5 0.156 -156.492 3.673 -104.231 0.010 -36.304 0.076 44.451 33.0 0.175 -166.626 4.510 -129.040 0.008 -38.664 0.097 24.045 33.5 0.158 -169.736 5.423 -157.652 0.005 -73.290 0.166 -7.068 34.0 0.171 -172.923 6.199 171.300 0.009 170.415 0.206 -33.959 34.5 0.170 -179.975 6.789 138.762 0.007 162.191 0.287 -57.177 35.0 0.163 170.699 6.843 104.802 0.005 -44.847 0.285 -88.319 35.5 0.133 159.436 6.597 72.388 0.002 -169.966 0.288 -114.610 36.0 0.099 160.157 5.923 41.110 0.002 -152.664 0.200 -131.942 36.5 0.096 176.977 5.214 11.642 0.019 97.367 0.148 -151.591 37.0 0.097 174.694 4.457 -14.876 0.007 -64.029 0.135 -143.436 37.5 0.098 173.890 3.794 -39.019 0.013 90.975 0.101 -140.993 38.0 0.103 170.171 3.254 -62.351 0.001 -124.170 0.109 -124.125 38.5 0.091 163.837 2.792 -84.302 0.005 53.455 0.104 -119.409 39.0 0.080 159.494 2.428 -105.377 0.016 25.244 0.108 -120.721 39.5 0.053 165.906 2.147 -125.734 0.013 15.571 0.127 -126.500 40.0 0.050 -166.535 1.912 -146.866 0.015 -40.561 0.116 -140.360 40.5 0.056 -156.522 1.704 -167.600 0.017 117.350 0.145 -129.641 41.0 0.084 -150.528 1.553 171.997 0.019 73.426 0.146 -138.203 41.5 0.106 -158.190 1.443 150.600 0.005 -23.626 0.184 -133.685 42.0 0.121 -168.906 1.381 127.874 0.008 72.289 0.201 -139.224 42.5 0.133 169.169 1.348 100.131 0.006 126.788 0.188 -141.730 43.0 0.105 162.178 1.254 66.104 0.023 165.530 0.197 -136.312
摘要 — 介绍了一种用于 300 GHz 左右高速通信的宽带三级伪差分 SiGe 互连双极晶体管 (HBT) 功率放大器 (PA)。该放大器采用实验性的 130 nm SiGe BiCMOS 技术制造,ft / f max 为 470/650 GHz。建议使用非对称耦合线变压器在所有放大器接口处进行器件电抗补偿,以促进宽带阻抗变换。该放大器的最大小信号功率增益为 23.0 dB,P sat /OP 1 dB 分别高达 9.7/6.7 dBm。它在小信号操作中显示 63 GHz(239-302 GHz)的 3-dB 带宽,在饱和时显示 94 GHz(223-317 GHz)的 3-dB 带宽。该放大器在 3 V 电源电压下消耗大约 360 mW,在 260 GHz 时产生 1.95% 的峰值功率附加效率 (PAE)。
摘要 基于 GaAs 异质结双极晶体管 (HBT) 工艺实现了用于无线局域网 (WLAN) 的效率增强型全集成功率放大器 (PA)。提出了一种可以吸收键合线寄生电感的谐波调谐网络,从而显著减小了芯片面积。该网络在 5.0 至 5.5 GHz 范围内提供接近最佳的基波和二次谐波阻抗。此外,还提出了一种新颖的自适应偏置电路,可校正 AM-AM 和 AM-PM 失真并提高高输入功率下的热稳定性。PA 的芯片尺寸仅为 1.06 mm2,增益为 31.1–31.6 dB,饱和功率为 29.9–30.3 dBm,峰值功率附加效率 (PAE) 在 5.0–5.5 GHz 范围内为 49.3%–51.8%。在 802.11ac MCS9 VHT160 测试信号下,PA 的输出功率为 22.1 dBm(EVM= − 32 dB),PAE 为 18.4%。此外,在使用 5.25 GHz 的 802.11ax MCS11 VHT160 信号进行测试时,PA 的输出功率为 17.5 dBm(EVM= − 42 dB)。关键词:功率放大器、无线局域网、GaAs 异质结双极晶体管、谐波匹配、自适应偏置分类:集成电路
商用和军用系统将继续在整个电磁频谱范围内发展。二十年来,联邦政府对雷达频段 L 至 Ku 的频谱要求证实了这一要求的必要性。采用 GaN 器件的固态功率放大器具有五到十倍的功率处理能力,是此类应用的理想选择,使其成为目前使用 TWT 的系统中合适的替代品。尽管 GaN 技术在这些应用中的使用正在增长,但 CTT 的 GaAs 功率放大器继续在低功率低压系统以及要求高线性度的系统应用中提供特定优势 - GaAs 具有长期的可靠性、低成本、广泛可用性和出色的整体性能记录。不断涌现的应用程序的性质依赖于数字技术的进步所带来的复杂性
a 3 1 0 20000 b 3 1 100000 20000 C 3 1 300000 20000 D 4 0.75 0 47407 E 4 0.75 100000 47407 F 4 0.75 300000 47407 G 5 0.6 0 92592 H 5 0.6 0 92592 H 5 0.6 100000 92592 I 5 0.6 100000 92592 160000 m 7 0.428 0 255093 N 7 0.428 100000 255093 O 7 0.428 300000 255093
摘要 — 本文介绍了单片微波集成电路功率放大器的设计和实验结果,其中将 FET 堆叠方法与 Doherty 架构相结合,以最大限度地提高可实现的性能。具体而言,堆叠单元是通过将共源设备拆分为两个较小的设备来实现的,从而形成非常紧凑和对称的结构,而 Doherty 理念则用于实现高回退效率。该芯片采用 100 nm 栅极长度的硅基氮化镓技术实现,面向下行卫星 Ka 波段。两级放大器不仅满足功率要求,还满足空间使用的热约束。在 17.3 GHz 至 20.3 GHz 的频率范围内,测量结果显示线性增益约为 25 dB,峰值功率为 38 dBm,功率附加效率大于 35%。索引词 — Doherty 放大器、高效率、空间应用、氮化镓
摘要 本文介绍了一种采用 65 nm CMOS 工艺的四路电流合成 Ka 波段功率放大器 (PA)。采用基于对称传输线的四路电流合成器和输出变压器,将高负载阻抗 (4* 푍 퐿 ) 传输到每个功率单元所需的 푍 표푝푡。此外,还优化了级间/输入灵活匹配变压器和功率分配器以提高性能。基于上述方法,功率放大器在 35GHz 时的小信号增益约为 24.12 dB,饱和输出功率为 21.56 dBm,峰值功率附加效率为 27.3%。关键词:四路电流合成、功率放大器、传输线合成器、柔性变压器 分类:微波和毫米波器件、电路和硬件
半导体行业的抽象进步使可穿戴设备可用于广泛的应用,包括个性化医疗保健。新型能源收集技术是必要的,以确保可以使用这些设备而不会中断。晶体硅光伏(PV)细胞为电子载荷提供了高能量密度。但是,这些细胞的优化是一项复杂的任务,因为它们的光学性能与周围环境耦合,而它们的电性能受到内在的PV特征和寄生损失的影响。毫无疑问,模拟工具在设备制造之前为PV细胞性能提供了必要的见解。但是,这些工具中的大多数都需要昂贵的许可费。因此,本文的目的是回顾可用于可穿戴应用的非商业光伏仿真工具的范围。我们提供了一个详细的程序来进行设备建模,并将这些工具的性能与先前发布的实验数据进行比较。根据我们的调查,诸如PC3D之类的非商业3D工具提供了仅≈1的准确模拟结果。与商业同行的7%不同。
Trek®5/80是用于工业和研究应用中使用的直流稳定的高压功率放大器。它具有全固态设计,可用于高为振动速率,宽带宽和低噪声操作。在整个输出电压范围内,四季度的活跃输出阶段下沉或电源电流到反应性或电阻载荷中。这种类型的输出对于实现精确的输出响应和高度电容性或反应性载荷等各种负载所需的高振动速率至关重要。它被配置为非反向放大器。
